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公开(公告)号：CN102754207A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008673.6
申请日：2011-01-27
申请人： 美光科技公司
发明人： 古尔特杰·S·桑胡 , 约翰·A·斯迈思三世
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1658
摘要： 本文中描述电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法。处理电阻式存储器的一个或一个以上方法实施例包含：在层间电介质中的开口中保形地形成单元材料，使得在所述单元材料中形成接缝；通过对所述接缝进行改性来形成导电通路；及在所述单元材料及所述接缝上形成电极。
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公开(公告)号：CN102696107A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080057285.2
申请日：2010-12-14
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： C23C26/00 , C23C28/00 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： 在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时，包括：下部电极；第一氧化物层，其在上述下部电极上形成，在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成；第二氧化物层，其在上述第一氧化物层上形成，在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成；在上述第二氧化物层上形成的上部电极；保护层，其在上述上部电极上形成，由具有与上述上部电极不同的组成的导电性材料构成；以覆盖上述保护层的方式形成的层间绝缘层；和在贯通上述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓。
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公开(公告)号：CN101981695B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要： 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN101523629B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200780037956.7
申请日：2007-08-06
申请人： 美光科技公司
发明人： 刘峻
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691
摘要： 本发明揭示一种电阻可变存储器单元及其形成方法。所述存储器单元包括第一电极和与所述第一电极接触的至少一个电阻可变材料层。第一个第二电极与所述至少一个电阻可变材料层的第一部分接触，且第二个第二电极与所述至少一个电阻可变材料层的第二部分接触。
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公开(公告)号：CN101958399A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010229193.X
申请日：2010-07-14
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1273 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148
摘要： 一种相变存储装置及其制造方法，包括存储元件、导电接触窗、绝缘元件、下电极以及上电极。存储元件包括位于导电接触窗上的可编程电阻存储材料。绝缘元件包括管状部分，其由导电接触窗延伸至存储元件，且具有近端、远端以及定义出内部的内表面，近端与导电接触窗相邻。下电极接触导电接触窗，且在内部中由近端向上延伸至远端。下电极具有上表面，上表面以第一接触表面接触与远端相邻的存储元件。存储元件使上电极与管状部分的远端分离，且上电极接触以第二接触表面接触存储元件。第二接触表面的表面积大于第一接触表面的表面积。
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公开(公告)号：CN101677121A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910135932.6
申请日：2009-04-30
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 李有真
CPC分类号： H01L45/1233 , B82Y10/00 , H01L45/04 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要： 本发明涉及一种电阻式存储器件及其制造方法，所述电阻式存储器件包括：在衬底之上的绝缘层；穿过所述绝缘层的纳米线；电阻层，其形成在所述绝缘层之上并接触所述纳米线；以及形成在所述电阻层之上的上电极。
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公开(公告)号：CN101635331A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910147436.2
申请日：2009-06-12
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑璲钰
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： 一种电阻式存储器件，包括：基板；绝缘层，配置于该基板上方；第一电极栓，自该基板穿过该绝缘层，具有突出于该绝缘层的上部外的部分，以及在突出的部分的边缘具有尖端；电阻层，配置于该绝缘层上方并覆盖该第一电极栓；以及第二电极，配置于该电阻层上方。本发明还涉及一种制造电阻式存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN101599529A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910007778.4
申请日：2009-02-24
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 黄允泽
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1675
摘要： 本发明揭示了阻抗随机存储器件(ReRAM)及其制造方法。该阻抗随机存储器件能展现出改进的设置阻抗分布和重置阻抗分布。该阻抗随机存储器件包括下电极接触和二元氧化层，该下电极接触至少有一个纳米碳管；该二元氧化层在该下电极接触的上方形成。该二元氧化层用于依据其二种不同的阻抗状态而储存信息。
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公开(公告)号：CN100524874C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410094745.5
申请日：2004-11-17
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1691
摘要： 一种存储单元、具有可能位于存储单元阵列中的一个或多个存储单元的集成电路(IC)、以及制作存储单元和IC的方法。各个存储单元包括其尖端是相变材料的触针。相变尖端可以被夹在电极与导电材料例如氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、或n型半导体之间。相变层可以是硫族化物，确切地说是锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)(GST)层。
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公开(公告)号：CN101432878A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015413.5
申请日：2007-02-23
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1691
摘要： 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。
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