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    一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料及其制备方法
    11.
    发明公开
    一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN101434408A

    公开(公告)日：2009-05-20

    申请号：CN200810236931.6

    申请日：2008-12-19

    申请人： 华中科技大学

    发明人： 于军 ,  吴云翼 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  李建军 ,  郑朝丹 ,  刘心明

    IPC分类号： C01G23/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  G11B9/02

    摘要： 本发明涉及信息存储薄膜材料领域，公开了一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料，它是由镨、铋、钛和氧离子组成的，其组成分子式为Bi(4－11x/9)PrxTi3O12，x取值为0.3～0.9。该薄膜材料采用射频磁控溅射方法制备，具体为：将Bi(4－11x/9)PrxTi3O12靶材沉积在Pt/TiO2/SiO2/p－Si衬底上，抽至高真空，预溅射，通入氧气和氩气调节工作气压，再次溅射，最后快速退火，得到薄膜。本发明制得的薄膜为随机取向的多晶薄膜，薄膜表面光滑，晶粒尺寸均匀，具有低的漏电流和较好的电滞回线，可与现有CMOS工艺兼容。

    提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法
    12.
    发明公开
    提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法 失效

    公开(公告)号：CN101359493A

    公开(公告)日：2009-02-04

    申请号：CN200810086943.5

    申请日：2008-03-28

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 全大暎 ,  闵桐基 ,  高亨守 ,  洪承范

    IPC分类号： G11B9/02

    CPC分类号： G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409

    摘要： 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。

    电介质再现装置以及电介质记录再现装置
    17.
    发明公开
    电介质再现装置以及电介质记录再现装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN118633125A

    公开(公告)日：2024-09-10

    申请号：CN202380020163.3

    申请日：2023-03-13

    申请人： 国立大学法人东北大学

    发明人： 长康雄

    IPC分类号： G11B9/02 ,  G11B5/02 ,  G11B9/14

    摘要： 本发明提供能够提高再现速度的电介质再现装置以及电介质记录再现装置。检测单元（11）被设置为能够对由电介质材料构成的数据记录层（1）相对地扫描，检测与记录于数据记录层（1）的数据对应的各个位（1a）的极化状态。加热单元（12）被设置为能够在检测单元（11）检测极化状态期间将检测的位（1a）加热至规定的温度。再现单元（13）被设置为能够基于由检测单元（11）检测到的各个位（1a）的极化状态再现数据。

    存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法
    18.
    发明授权
    存储器单元布置和操作存储器单元布置的方法 有权

    公开(公告)号：CN113948114B

    公开(公告)日：2023-12-15

    申请号：CN202110794412.7

    申请日：2021-07-14

    申请人： 铁电存储器股份有限公司

    发明人： M·门内加 ,  J·奥克

    IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C5/14 ,  G11B9/06 ,  G11B9/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

    摘要： 提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第二控制线中的对应的一条第二控制线和多条第三控制线寻址的至少第一存储器单元子集，以及可经由对应的第一控制线、多条第二控制线和多条第三控制线中的对应的一条第三控制线寻址的至少第二存储器单元子集。多条第三控制线中的对应的一条第三控制线对多个存储器单元集中的每个存储器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。

    存储器单元布置
    19.
    发明公开
    存储器单元布置 审中-实审

    公开(公告)号：CN113948115A

    公开(公告)日：2022-01-18

    申请号：CN202110796013.4

    申请日：2021-07-14

    申请人： 铁电存储器股份有限公司

    发明人： M·门内加

    IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C5/14 ,  G11B9/02 ,  G11B9/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

    摘要： 本发明提供一种存储器单元布置。根据各个方面，所述存储器单元布置包含：第一控制线和第二控制线；多个存储器结构，其设置在该第一控制线与该第二控制线之间，其中，所述多个存储器结构中的每个存储器结构包括第三控制线、第一存储器单元和第二存储器单元；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元通过所述第三控制线彼此耦合；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元耦合至所述第一控制线，并且所述第二存储器单元耦合至所述第二控制线。