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公开(公告)号：CN117851280A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202310661866.6
申请日：2023-06-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G06F12/0802 , G06F16/2455 , G06F3/06 , G11C15/04
摘要： 本公开提供了一种系统、装置、方法及电路，用于管理内容可寻址存储器(CAM)装置。在一方面中，半导体装置包含：存储器单元阵列，用于在多个存储器单元中储存数据，以及电路系统，耦接于存储器单元阵列，且用于根据搜索指令，在存储器单元阵列中执行搜索操作。搜索指令包含搜索数据及/或选项代码，且选项代码用于于搜索操作中指定搜索长度及/或搜索深度。
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公开(公告)号：CN117766005A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211279259.5
申请日：2022-10-19
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种具有页缓冲器的开关装置的存储器装置及其擦除方法，该存储器装置包括：多个开关单元，耦接于存储单元阵列与所述页缓冲器的感测放大电路之间。所述多个开关单元中的每一个开关单元还包括：高压元件与低压元件，所述高压元件与所述低压元件彼此串联连接。所述高压元件的第一端耦接到所述感测放大电路，所述低压元件的第一端耦接到所述存储单元阵列的共源极线。所述高压元件的第二端与所述低压元件的第二端彼此连接并耦接到所述存储单元阵列的相应位线。与各所述多个开关单元耦接的所述共源极线共用共同有源区。
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公开(公告)号：CN117649868A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202211161152.0
申请日：2022-09-21
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/4096 , G11C11/4094 , G11C11/4091 , G11C7/06 , G11C7/10
摘要： 本公开提供一种用于存储器内运算的运算方法、存储器装置和运算单元。运算方法包括：储存多个权重值于串联的多个运算单元，这些运算单元包括第一运算存储单元与第二运算存储单元，这些运算单元的这些第一运算存储单元彼此串联成第一运算存储单元串，这些运算单元的这些第二运算存储单元彼此串联成第二运算存储单元串；该第一运算存储单元串与该第二运算存储单元串接收多个输入值；该第一运算存储单元串对这些输入值与这些权重值进行第一逻辑运算得到第一逻辑运算结果，该第二运算存储单元串对这些输入值与这些权重值进行第二逻辑运算得到第二逻辑运算结果；对该第一逻辑运算结果与该第二逻辑运算结果进行第三逻辑运算，得到输出逻辑总和运算结果。
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公开(公告)号：CN117637601A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211061737.5
申请日：2022-08-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括栓塞与在栓塞上的通孔。栓塞包括钨栓塞与在钨栓塞上的导电层。钨栓塞与导电层包括不同材料。钨栓塞具有在横方向上的第一宽度。导电层具有在横方向上的第二宽度。第二宽度大于等于第一宽度。通孔电性连接栓塞。导电层介于通孔与钨栓塞之间。
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公开(公告)号：CN112596596B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010733692.6
申请日：2020-07-27
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G06F1/30
摘要： 本发明公开了一种集成电路、存储器装置及管理一位线电压产生电路的方法，其中，该集成电路将稳定的箝位电压提供至连接于存储器装置的存储单元的至少一位线。该集成电路包括：运算放大器，接收第一参考电压、反馈电压与补偿电流，并输送出输出电压；以及输出晶体管，提供作为反馈电压的端点电压以及输出电压，其中输出电压作为相关于箝位电压的目标电压。运算放大器配置为不平衡的，其端点电压小于第一参考电压。补偿电流补偿运算放大器，使箝位电压实质恒定且独立于PVT(工艺‑电压‑温度)效应。
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公开(公告)号：CN117558313A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210978192.8
申请日：2022-08-15
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C11/402 , G11C11/407 , G11C11/22 , G06E3/00 , G06N10/80
摘要： 本公开提供一种存储器装置及其运算方法，该存储器装置包括：存储器阵列，用于处理模型运算。该存储器阵列包括至少一个存储器子阵列及至少一个运算单元，该至少一个存储器子阵列包括：多个存储单元，及多条第一信号线、多条第二信号线与多条第三信号线，多个存储单元产生多个源极电流，多个源极电流流经多条第一信号线以产生多个共源极电流，多个共源极电流送至至少一个运算单元，多个存储单元的第一部分产生多个共源极电流的第一部分，多个存储单元的第二部分产生多个共源极电流的第二部分；至少一个运算单元根据多个共源极电流的第一部分以计算模型运算的局部能量的第一部分，根据多个共源极电流的第二部分以计算模型运算的局部能量的第二部分。
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公开(公告)号：CN117453448A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210924497.0
申请日：2022-08-02
申请人： 旺宏电子股份有限公司
发明人： 王冠杰
摘要： 本公开提供了一种存储器装置、纠错装置及其纠错方法，该纠错装置包括第一纠错译码器以及第二纠错译码器。第一纠错译码器针对数据块执行至少一次循环的第一纠错动作，计算至少一次循环的第一纠错动作所产生的特征状态值等于设定逻辑值的计数数量，并根据计数数量以产生控制信号。第二纠错译码器接收控制信号，并根据控制信号以决定是否被启动以执行第二纠错动作。其中第二纠错译码器的纠错能力大于第一纠错译码器的纠错能力。
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公开(公告)号：CN117437955A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210873792.8
申请日：2022-07-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于存储器内搜索的存储器装置及数据搜索方法，该存储器装置包括：多个存储单元，各存储单元储存储存数据并接收搜索数据，且包括第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管具有第一阈值电压并接收第一栅极偏压。第二晶体管连接第一晶体管，第二晶体管具有第二阈值电压并接收第二栅极偏压。储存数据根据第一阈值电压与第二阈值电压编码而成，搜索数据根据第一栅极偏压与第二栅极偏压编码而成。储存数据与搜索数据之间具有不匹配距离，各存储单元产生的输出电流相关于不匹配距离。
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公开(公告)号：CN109522237B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201710854702.X
申请日：2017-09-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 一种存储器的数据管理方法及存储器装置。存储器包括多个存储器页面，各存储器页面包括多个存储单元，各存储单元包括第一存储位及第二存储位。各存储单元具有第一逻辑状态、第二逻辑状态、第三逻辑状态及第四逻辑状态。数据管理方法包括以下步骤：接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收数据更新指令前，该逻辑地址对应至一实体地址。施加一净化电压至位于实体地址的存储器页面中的一目标存储单元，改变存储器页面中的目标存储单元的逻辑状态。
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公开(公告)号：CN117156859A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210605125.1
申请日：2022-05-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体装置，包括电路板、底板、着陆垫、堆叠、支撑柱以及存储器柱。电路板包括电路结构及导线，电路结构电性连接于对应的导线，且电路板具有周边区域、阵列区域及设置于周边区域与阵列区域之间的阶梯区域。底板设置于电路板之上，且底板包括底导电层。着陆垫在阶梯区域中内嵌于底导电层的至少一顶部部分中且接触于底导电层。堆叠设置于底板上，堆叠包括沿着第一方向交替堆叠的多个导电层与多个绝缘层。支撑柱在阶梯区域中沿着第一方向穿过堆叠并延伸至着陆垫。存储器柱在阵列区域中沿着第一方向穿过堆叠。
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