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公开(公告)号:CN104425620A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410443424.5
申请日:2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号:CN103064200A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210397252.3
申请日:2012-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0156 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种包括石墨烯的光学调制器,该光学调制器包括:第一石墨烯和第二石墨烯,在半导体层的上表面上;第一电极,在第一石墨烯上;以及第二电极,在第二石墨烯上。第一石墨烯和第二石墨烯各自的侧表面彼此分离。半导体层的第一脊部和第二石墨烯上的第二脊部构成光波导,且第一和第二石墨烯在垂直于半导体层的方向上位于光波导的中心部分。
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公开(公告)号:CN101726478A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200910205466.4
申请日:2009-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 赵成豪
CPC classification number: G01N21/6428 , B01J19/0046 , B01J2219/00286 , B01J2219/00337 , B01J2219/00434 , B01J2219/00439 , B01J2219/00448 , B01J2219/00527 , B01J2219/00596 , B01J2219/00612 , B01J2219/00704 , C12M41/06 , G01N21/253 , G01N21/645 , G02B26/0825 , G02B27/0068 , G03F7/7005 , G03F7/70225 , G03F7/70291 , G03F7/70808 , G03F7/7085
Abstract: 本发明提供一种用于制造生物芯片的装置。该装置包括反应室,该反应室封装与外部环境隔离的生物芯片。该装置还包括曝光系统,该曝光系统具有光源和空间光调制器。空间光调制器接收来自光源的光并利用该光形成光学图像。光学图像被生物芯片接收。该装置还包括检测系统,该检测系统检测从生物芯片行进的光。
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公开(公告)号:CN104425620B
公开(公告)日:2020-08-21
申请号:CN201410443424.5
申请日:2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号:CN104425492B
公开(公告)日:2019-03-22
申请号:CN201410442976.4
申请日:2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中,缓冲层处于硅衬底上,包含第Ⅲ‑Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上,且第二层与第一层间隔开。
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公开(公告)号:CN107039453A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201610829023.2
申请日:2016-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11521 , H01L27/11526
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C16/0433 , G11C16/045 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , H01L21/28273 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/42324 , H01L27/11526 , H01L27/11573
Abstract: 一种非易失性逆变器可以被配置为执行存储器功能。该非易失性逆变器可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管可以包括第一栅电极、第一电极以及第二电极。第二晶体管可以包括第二栅电极和第三电极,并且可以与第一晶体管共享第二电极。第一晶体管可以包括第一切换层和电荷俘获层。第一切换层可以被配置为在高电阻态与低电阻态之间进行切换。电荷复活层可以被配置为根据切换层的电阻状态来俘获或释放电荷。第一切换层可以包括P‑N二极管。第二晶体管可以包括第二栅切换层和电荷俘获层。
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公开(公告)号:CN106037737A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610203209.7
申请日:2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B5/053
Abstract: 用于获得生物信息的装置包括:第一电极部分,其包括被安排为与受试者的第一身体部位接触的电流电极和电压电极;第二电极部分,其包括被安排为与受试者的第二身体部位接触的电流电极和电压电极;以及测量单元,其被配置为通过将电流施加到第一和第二电极部分的电流电极并且在第一和第二电极部分的电压电极处检测电压来测量受试者的生物阻抗。为了减小测量的生物阻抗的误差,对于第一和第二电极部分中的至少一个,与电流电极接触的受试者的第一和第二身体部位和与电压电极接触的受试者的第一和第二身体部位的接触电阻彼此不同。
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公开(公告)号:CN104600070A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410601952.9
申请日:2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02645 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法,其中衬底结构包括:衬底;位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层;以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度,并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。
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公开(公告)号:CN101813617A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN201010106354.6
申请日:2010-01-29
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/0054 , B01J2219/0056 , B01J2219/00608 , B01J2219/00693 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供具有明亮的基准标记的微阵列及从其获得光学数据的方法。本发明公开了基底,包括:设置于所述基底上的基准标记;所述基底上的探针材料配置以固定于其上的区域,所述区域与所述基准标记分开;以及设置于所述基底上的探针材料配置以固定于其上的所述区域上的探针固定化合物,其中所述基准标记具有以比由所述基底上不对应于所述基准标记的区域所反射的照射光的强度大的强度将照射光反射的结构。
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公开(公告)号:CN101776600A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN200911000181.3
申请日:2009-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 赵成豪
CPC classification number: G01N21/6452 , B01J2219/00524 , B01J2219/00576 , B01J2219/00659 , B01J2219/00702 , G01N21/6428 , G01N2021/6484
Abstract: 本发明提供一种集成生物芯片、集成生物芯片的制造方法和用于检测生物材料的装置。集成生物芯片包括基板以及设置在基板中的一个或多个激发光吸收波导。所述基板包括设置样品的一个或多个反应区域。所述一个或多个激发光吸收波导中的每一个的末端部分从基板的上表面暴露,所述一个或多个激发光吸收波导中的每一个的另一末端部分从基板的下表面暴露,所述一个或多个反应区域设置在基板的上表面。所述一个或多个激发光吸收波导吸收射向样品的激发光,并且传输从样品发射出的荧光。
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