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公开(公告)号：CN101362033A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810144922.4
申请日：2008-08-07
申请人： 东进世美肯株式会社
IPC分类号： B01D21/26
摘要： 本发明涉及半导体或显示屏制造工艺的试液再循环方法和装置，其能够在工序进行中除去半导体或显示屏制造工艺的试液(特别是在清洗或剥离工序中的清洗液或剥离液)所含有的渣，能够实现连续运转和实时运转，通过调节离心加速度、停留时间等而具有能够容易地实现对工序上难除去的颗粒状微粒进行固液分离至所期望的粒度范围的效果。所述方法的特征在于，其包含如下阶段：由半导体或显示屏工艺设备向外部供给使用过的试液的阶段；对所述试液进行离心分离，分离成i)渣和ii)试液的离心分离阶段；将在离心分离阶段中在离心力的作用下被分离排出的试液收集，再供给到工艺设备中的再循环阶段；和将由离心分离阶段分离出的渣收集的阶段。
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公开(公告)号：CN101017333A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003266.7
申请日：2006-02-06
申请人： 东进世美肯株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN1950754A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014563.5
申请日：2005-05-06
申请人： 东进世美肯株式会社
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/425 , C07D295/027 , C07D295/088
摘要： 本发明涉及一种在制作电路或显示装置图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体而言，涉及一种含有胺和溶剂的光刻胶去除剂组合物，其中，所述胺为环胺化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物可容易并快速地去除光刻胶膜，并可使形成图形的金属电路的腐蚀最小化。
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公开(公告)号：CN1924710A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128676.4
申请日：2006-09-04
申请人： 东进世美肯株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种用于在制造诸如集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等的半导体器件的过程中去除光刻胶的光刻胶去除剂组合物，该光刻胶去除剂组合物包括：(a)0.1～10wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5～50wt％的有机溶剂；(c)0.5～30wt％的有机胺；(d)5～60wt％的水；(e)0.0001～20wt％的铵盐；(f)0.4～10wt％的防腐剂；和(g)0.5～30wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物的稳定剂。本发明的包括过氧化氢或过氧化氢衍生物的光刻胶去除剂组合物可在短时间内、在高温或低温下有效去除通过硬性烘烤(hardbaking)、干法刻蚀、灰化和/或离子注入硬化并改性的光刻胶膜和通过从光刻胶膜下的金属膜刻蚀出的金属副产品改性的光刻胶膜，并同时将光刻胶膜下的金属布线的腐蚀减到最少。
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公开(公告)号：CN1752852B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200510105132.1
申请日：2005-09-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G03F7/42 , G02F1/1368
CPC分类号： G03F7/425 , H01L21/31133 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458
摘要： 本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。
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公开(公告)号：CN101256366A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号：CN101256366B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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公开(公告)号：CN1752852A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510105132.1
申请日：2005-09-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G03F7/42 , G02F1/1368
CPC分类号： G03F7/425 , H01L21/31133 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458
摘要： 本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N－甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。
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公开(公告)号：CN107034028B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201611111478.7
申请日：2016-12-02
申请人： 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司
摘要： 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。
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公开(公告)号：CN107034028A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611111478.7
申请日：2016-12-02
申请人： 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司
CPC分类号： C09D9/005 , B32B37/0046 , B32B43/006 , B32B2383/00 , B32B2457/14 , C09D9/04 , C09J183/04 , H01L21/31111 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , C11D1/62 , C11D3/28 , C11D3/323 , C11D11/0047 , H01L21/02057
摘要： 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。
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