公开(公告)号：CN107034028B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

申请人： 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC分类号： C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

摘要： 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

公开(公告)号：CN107034028A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

申请人： 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC分类号： C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： C09D9/005 ,  B32B37/0046 ,  B32B43/006 ,  B32B2383/00 ,  B32B2457/14 ,  C09D9/04 ,  C09J183/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/323 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057

摘要： 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

公开(公告)号：CN105936822A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610111879.6

申请日：2016-02-29

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 洪亨杓 ,  梁振锡 ,  洪宪杓 ,  金相泰 ,  李京浩

IPC分类号： C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  C09K13/06

摘要： 本发明提供用于TiN层的蚀刻剂组合物和使用所述蚀刻剂组合物形成金属线的方法，所述蚀刻剂组合物包括(A)以重量计75％‑95％的选自硫酸和烷基磺酸中的至少一种化合物、(B)以重量计0.3％‑10％的过氧化物、(C)以重量计0.0001％‑3％的无机铵盐以及(D)余量的水。

公开(公告)号：CN105867070A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610081251.6

申请日：2016-02-05

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 崔哲珉 ,  宋寅珏 ,  李京浩

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/168 ,  G03F7/162 ,  G03F7/161 ,  G03F7/422

摘要： 公开了稀释剂组合物，包括：丙二醇C1?C10烷基醚；C1?C10烷基C1?C10烷氧基丙酸酯；和C1?C10烷基乳酸酯，从而可以提高光致抗蚀剂的适用性，同时显著减少光致抗蚀剂的使用量以及对不同的光致抗蚀剂、BARC和底层具有优异的溶解性和EBR性能。

公开(公告)号：CN105867070B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201610081251.6

申请日：2016-02-05

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 崔哲珉 ,  宋寅珏 ,  李京浩

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/42

摘要： 公开了稀释剂组合物，包括：丙二醇C1‑C10烷基醚；C1‑C10烷基C1‑C10烷氧基丙酸酯；和C1‑C10烷基乳酸酯，从而可以提高光致抗蚀剂的适用性，同时显著减少光致抗蚀剂的使用量以及对不同的光致抗蚀剂、BARC和底层具有优异的溶解性和EBR性能。

公开(公告)号：CN106483769A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610796689.2

申请日：2016-08-31

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 崔哲珉 ,  宋寅珏 ,  李京浩

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/42

摘要： 一种稀释剂组合物，包括：丙二醇烷基醚乙酸酯、环酮和甲基2-羟基异丁酸酯。所述稀释剂组合物具有优异的EBR、RRC和再加工性能以及改善光致抗蚀剂涂覆均匀性的效果，特别地，对具有高极性的光致抗蚀剂表现出优异的溶解性，以可应用于各种光致抗蚀剂。

公开(公告)号：CN103666136B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201310379594.7

申请日：2013-08-27

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 权基真 ,  梁振锡 ,  李京浩

IPC分类号： C09D129/04 ,  C09D139/06 ,  C09D133/02 ,  C09D171/08 ,  C09D101/28 ,  C09D101/26 ,  C09D179/04 ,  C09D5/08 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了激光切割用晶圆保护膜组合物和半导体元件的制造方法，所述激光切割用晶圆保护膜组合物包含：含有水溶性树脂的树脂、防腐剂以及作为水或水与有机溶剂的混合物的溶剂。

公开(公告)号：CN104140902B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201410109273.X

申请日：2014-03-21

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 金正桓 ,  崔哲珉 ,  李京浩

IPC分类号： C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/16 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种用于蓝宝石晶片的清洗液组合物，所述清洗液组合物包括丙烯酸类聚合物化合物，所述丙烯酸类聚合物化合物包括从具有化学式1表示的结构单元的聚合物及其盐所组成的组中选出的任一种；胺类化合物；螯合物；碱性试剂；和水。该清洗液组合物对于从蓝宝石晶片表面上去除有机污染物和诸如氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、碳化硅、碳化硼等的颗粒是有效的。

公开(公告)号：CN106483769B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201610796689.2

申请日：2016-08-31

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 崔哲珉 ,  宋寅珏 ,  李京浩

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/42

摘要： 一种稀释剂组合物，包括：丙二醇烷基醚乙酸酯、环酮和甲基2‑羟基异丁酸酯。所述稀释剂组合物具有优异的EBR、RRC和再加工性能以及改善光致抗蚀剂涂覆均匀性的效果，特别地，对具有高极性的光致抗蚀剂表现出优异的溶解性，以可应用于各种光致抗蚀剂。

公开(公告)号：CN106868511A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610864614.3

申请日：2016-09-29

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 金成民 ,  曺榕浚 ,  李京浩

IPC分类号： C23F1/14 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C23F1/10 ,  C23F1/38 ,  H01L21/32134 ,  C23F1/14

摘要： 本公开涉及包括N‑甲基吗啉N‑氧化物和水的、用于钨层的蚀刻溶液组合物，该蚀刻溶液组合物在仅选择性蚀刻钨基金属而不会蚀刻基于氮化钛的金属或碳化钛铝层方面有效。