公开(公告)号：CN101546782A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127094.8

申请日：2009-03-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和基体接触区；布置在所述半导体层上从而使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。所述基体接触区被形成在所述半导体层的边缘中。

公开(公告)号：CN101494242A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910001981.0

申请日：2009-01-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安志洙 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李吉远 ,  李基龙 ,  金圣哲

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)及其制备方法，以及包含所述TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置；所述TFT包括衬底、布置在衬底上的栅极、布置在栅极上的栅绝缘层、布置在栅绝缘层上并使用金属催化剂结晶的半导体层，以及布置在半导体层上并电连接到半导体层的源区和漏区的源极和漏极。将第二金属扩散到所述半导体层的表面区域里，以吸除所述半导体层的沟道区中的金属催化剂。第二金属在硅中的扩散系数比上述金属催化剂更低。

公开(公告)号：CN101335302B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102386235A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259212.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  苏炳洙 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。

公开(公告)号：CN101556968B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910134258.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管和其制造方法以及有机发光二极管显示装置。所述薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上并且具有沟道区、源区、漏区和体接触区的半导体层；布置在所述半导体层上以暴露所述体接触区的栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上并与被所述栅绝缘层暴露的所述体接触区接触的硅层；布置在所述硅层上的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并与所述源区和漏区电连接的源电极和漏电极，其中所述体接触区形成在所述半导体层的边缘区域中。

公开(公告)号：CN102214556A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110041351.3

申请日：2011-02-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  朴钟力 ,  李卓泳 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。

公开(公告)号：CN102194890A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110064215.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李卓泳 ,  朴炳建 ,  郑胤谟 ,  朴种力 ,  李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括基底和在基底上的有源区域，该有源区域包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、至少一个与源极区域或漏极区域相邻的轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域。所述TFT包括在有源区域上的栅绝缘层和多栅电极，所述多栅电极包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻。所述TFT包括在所述多栅电极上的第一层间绝缘层和源电极与漏电极，所述源电极与漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与各自的源极区域和漏极区域接触。

公开(公告)号：CN102064089A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010506428.5

申请日：2010-10-12

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管(TFT)、显示装置及制造方法。形成多晶硅层的方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层中形成凹槽；在非晶硅层上形成覆盖层；在覆盖层上形成金属催化剂层；对基底进行退火并使非晶硅层晶化成具有与形成的凹槽的相邻的晶种区域的多晶硅层。

公开(公告)号：CN101866853B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010128599.9

申请日：2010-03-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑胤谟 ,  梁泰勋 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·迈丹丘克 ,  白原奉 ,  郑在琓

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。

公开(公告)号：CN102386070A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110259627.5

申请日：2011-08-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  李卓泳 ,  朴种力

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明公开了一种形成多晶硅层的方法、一种形成薄膜晶体管的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。形成多晶硅层的方法包括：在基底上形成缓冲层；利用氢等离子体处理所述缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成用于使所述非晶硅层晶化的金属催化剂层；以及对所述非晶硅层热处理以形成多晶硅层。