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公开(公告)号：CN102610511A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210077046.4
申请日：2012-03-21
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027
摘要： 一种光刻胶的去除方法，包括：提供基底，所述基底表面依次具有刻蚀阻挡层、低k介质层和图案化的掩膜层，其中掩膜层至少包括有机光刻胶层，所述低k介质层内具有暴露出刻蚀阻挡层的开口，所述开口暴露出的刻蚀阻挡层表面具有含氟的聚合物层；采用第一光刻胶去除工艺去除部分有机光刻胶层的同时将含氟的聚合物层中的氟释放；采用第二光刻胶去除工艺去除剩余的有机光刻胶层。本发明实施例的光刻胶去除方法去除有机光刻胶效果佳且不会损伤低k介质层。
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公开(公告)号：CN101872733B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910049960.6
申请日：2009-04-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H05F3/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L22/14
摘要： 本发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败，从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压，并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口，而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势，来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量，因此，在下一次的去夹持操作过程中，反向放电电压的参数可以被调整。
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公开(公告)号：CN103811296B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201210458267.6
申请日：2012-11-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种关键尺寸控制系统以及等离子体处理装置，包括如第一温控装置和/或第二温控装置，第一温控装置与气体喷淋头接触，用于检测并调控气体喷淋头的温度，第二温控装置与接地环接触，用于检测并调控接地环的温度；以及控制单元，对应于第一温控装置和/或第二温控装置而生成如下控制信号中的至少一种：第一控制信号，用于控制第一温控装置调节气体喷淋头的温度；第二控制信号，用于控制第二温控装置调节接地环的温度。其通过对气体喷淋头和接地环的温度控制，实现了对晶圆不同区域的关键尺寸的调控，实现代价小，易于扩展应用。
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公开(公告)号：CN104576280B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201310504954.1
申请日：2013-10-23
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题，且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。
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公开(公告)号：CN103854995B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201210521264.2
申请日：2012-12-06
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明提供一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的频率范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的频率范围为1MHz至15MHz，使用本发明的改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置进行底部介质隔离层的刻蚀时，光刻胶侧面的粗糙条痕没有往下传，避免了对聚合物层的表面和侧壁形成破坏，相比现有工艺，采用本发明的刻蚀结果聚合物层的表面和侧壁没有变粗糙和出现条痕，通孔的条痕大大改善。
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公开(公告)号：CN103915308B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210594588.9
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反，本发明结合两种低频频率刻蚀方法，通过调节脉冲发生器的脉冲周期及占空比实现连续调节粒子密度和离子能量，使关键尺寸和均匀性都能得到连续的精确控制，对28nm刻蚀工艺或以下刻蚀工艺中关键尺寸精确控制提供有力帮助。
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公开(公告)号：CN103972055A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310039528.5
申请日：2013-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31138
摘要： 本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
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公开(公告)号：CN103915308A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210594588.9
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反，本发明结合两种低频频率刻蚀方法，通过调节脉冲发生器的脉冲周期及占空比实现连续调节粒子密度和离子能量，使关键尺寸和均匀性都能得到连续的精确控制，对28nm刻蚀工艺或以下刻蚀工艺中关键尺寸精确控制提供有力帮助。
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公开(公告)号：CN103035508A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210593718.7
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一特征尺寸收缩方法，采用CO替代传统的碳氟化合物以及含H的碳氟化合物气体，作为特征尺寸收缩方法中的高分子聚合物气体，在低频射频功率下进行等离子体刻蚀，从而有效控制特征尺寸收缩过程中分子链长度和等离子体能量、密度，能够控制等离子体刻蚀形成的聚合物分子链长度，避免了等离子体刻蚀过程中长分子链聚合物的形成。同时，该特征尺寸收缩方法的等离子体刻蚀工艺在高压环境下进行，能够进一步改善刻蚀过程中聚合物沉积的物理轰击现象，从而有效避免条纹现象的出现，改善特征尺寸收缩后刻蚀结构的线边缘粗糙度，进一步提高工艺质量，实现特征尺寸的有效、高质量收缩。
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