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公开(公告)号：CN205993960U
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201620606454.8
申请日：2016-06-21
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 一种洁净柜，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净柜，其特征在于该洁净柜是一个柜体，该柜体由两块侧板、一块背板和柜门构成，柜体顶部安装高效过滤器，高效过滤器顶部设置静压箱，静压箱顶部开口处设置风机，柜体内侧板上设置紫外线杀菌灯，并设置若干对对称布置的凹槽，置物架通过凹槽水平固定在两侧板之间，柜体底部设置排风孔。本实用新型的一种洁净柜，组装拆卸方便，操作简单实用，结构设计科学合理，利用空气流通原理起到良好的清洁作用，方便有效且节省人力物力。
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公开(公告)号：CN111455405A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010518994.1
申请日：2020-06-09
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本发明涉及稀有金属冶炼领域,具体公开一种多单元串联多级电解精炼制备高纯铟的方法及装置，包括电解前储液槽、电解槽、电解后储液槽、第一循环泵通过管道和U型槽连通形成一个电解精炼循环系统，并通过该电解槽进行一级电解、真空蒸馏、二级电解、单晶生长这四个步骤制得质量一致性好、纯度达8N的高纯铟，为我国磷化铟材料高端产品的制备提供技术基础和材料基础。
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公开(公告)号：CN102234500A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010162290.1
申请日：2010-04-28
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒状粉体的粒径大小为3微米到30微米之间，柱状粉体的粒径范围为3微米到30微米之间。所含的柱状粉体其长度和直径的比例为1.5∶1到10∶1之间.所含的粒状粉体的含量为5％到95％之间，柱状粉体的含量为95％到5％之间。
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公开(公告)号：CN102233620A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010162454.0
申请日：2010-04-28
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力，在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式，载荷压力的值可以预先设定，或者在切割过程中按照一定的方式变化。这种切割方式可以较好的控制翘曲度和锯纹的产生，同时对其它切割要素的要求降低，在一定范围内均可以保证切割结果在可控制的范围内波动，有较好的重复性。
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公开(公告)号：CN102234595A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010162447.0
申请日：2010-04-28
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明涉及清洗液技术领域，特别是一种适用于精密抛光晶片的有机物去除清洗液。该有机物清洗液由醚和醇两种有机溶剂组成。醚在混合液中所占重量含量为5％到95％，醇所占重量含量为95％到5％。其中醚由下列中选出：甲醚、乙醚、乙二醚、丙醚、丁醚、异丙醚、乙丙醚、苯甲醚、石油醚。其中醚为石油醚。其中醇由下列选出：甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、异丙醇、丁醇、正丁醇、丙醇、正丙醇、正戊醇、异戊醇。其中醇含有三个以下的羟基。其中醇含有一个羟基。其中醇为异丙醇。
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公开(公告)号：CN102234484A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010162466.3
申请日：2010-04-28
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
IPC分类号： C09G1/18 , H01L21/306
摘要： 一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯1％-10％；PH调节剂3.5％-10％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。
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公开(公告)号：CN100494473C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510012052.1
申请日：2005-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工艺基础上，通过加热系统和温控设备控制升温、恒温、降温，将高含水B2O3脱水并使其挥发，扩散至处于低温端的PBN坩埚的表层，形成B2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN105133019A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510659806.6
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞 , 祝永成
摘要： 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN105154978B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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公开(公告)号：CN105154978A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510659597.5
申请日：2015-10-14
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
发明人： 卢纪军 , 包文东 , 李苏滨 , 惠峰 , 李雪峰 , 柳廷龙 , 李武芳 , 周一 , 杨海超 , 候振海 , 朱大清 , 董汝昆 , 何永彬 , 田东 , 马会宇 , 肖祥江 , 杨小瑞
摘要： 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
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