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公开(公告)号：CN104916530A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510111358.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L29/66795 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e-束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括：显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。
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公开(公告)号：CN103529641A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310244934.5
申请日：2013-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种极紫外光刻(EUVL)工艺。该工艺包括：接收具有多种状态的极紫外(EUV)掩膜。主多边形和邻近第一主多边形分配为不同的状态。所有子分辨率辅多边形分配为相同的状态，分配给子分辨率辅多边形的状态不同于分配给区域(即不具有主多边形和子分辨率辅多边形的布景)的状态。采用部分相干性б小于0.3的近似轴上照明(ONI)，以露出EUV掩膜，从而产生衍射光和非衍射光。去除大部分的非衍射光。使用投影光学箱收集和引导衍射光和没有被去除的非衍射光，从而露出目标。
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公开(公告)号：CN111708250A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010531834.0
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/20 , G03F1/58 , G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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公开(公告)号：CN106094441B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510800502.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其他目标液滴不同的激发位置处被加热。第二激光源配置为生成多个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标羽流，从而生成发射EUV辐射的等离子体。本发明的实施例还涉及远紫外光刻收集器污染减少。
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公开(公告)号：CN105278256B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510282331.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G03F1/0046 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/70091 , G03F7/70116 , G03F7/70125 , G03F7/70283 , G03F7/70308
Abstract: 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103365110B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310036569.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/48 , G03F1/58 , G03F7/7015 , G03F7/70191
Abstract: 公开了一种极紫外光刻(EUVL)的工艺。该工艺包括：接收具有多种形态件的极紫外(EUV)掩模。将EUV掩模的不同形态件分配给邻近的多边形和场。通过部分相干性σ小于0.3的几乎轴上照明(ONI)暴露EUV掩模以产生衍射光和非衍射光。去除大部分非衍射光。通过投影光学箱聚集并引导衍射光和未被去除的非衍射光以暴露目标。本发明提供了极紫外光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN104656368A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410677613.9
申请日：2014-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种低EUV反射率掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于第一区中的LTEM层上方的低EUV反射率(LEUVR)多层，位于第二区中的LTEM层上方的高EUV反射率(HEUVR)多层以及位于LEUVR多层和HEUVR多层上方的图案化的吸收层。本发明还涉及远紫外光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN103969962A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310158694.7
申请日：2013-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70325 , G03F1/24 , G03F7/70033 , G03F7/70091 , G03F7/70125 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F7/70408 , G21K1/062
Abstract: 本发明公开了一种远紫外线光刻处理方法。该处理方法包括：接收远紫外光(EUV)掩膜、EUV放射源和照明器。该处理方法也包括：通过放射光以小于3度的物体侧的主光线入射角(CRAO)曝光EUV，其中，辐射光来自EUV放射源且被照明器定向。该处理方法进一步包括去除大部分的非衍射光以及通过投影光学箱(POB)收集和定向衍射光和没有被去除的非衍射光，从而曝光目标。
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公开(公告)号：CN103365110A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310036569.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/48 , G03F1/58 , G03F7/7015 , G03F7/70191
Abstract: 公开了一种极紫外光刻(EUVL)的工艺。该工艺包括：接收具有多种形态件的极紫外(EUV)掩模。将EUV掩模的不同形态件分配给邻近的多边形和场。通过部分相干性σ小于0.3的几乎轴上照明(ONI)暴露EUV掩模以产生衍射光和非衍射光。去除大部分非衍射光。通过投影光学箱聚集并引导衍射光和未被去除的非衍射光以暴露目标。本发明提供了极紫外光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN108227396B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201711038936.3
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统包括配置为生成极紫外线(EUV)光的辐射源。光刻系统包括限定集成电路(IC)的一个或多个部件的掩模。光刻系统包括配置为将EUV光引导到掩模上的照射器。掩模将EUV光衍射成0级光和多个更高级光。光刻系统包括配置为固定的晶圆的晶圆台，其中，根据由掩模限定的一个或多个部件来图案化该晶圆。光刻系统包括位于定位在掩模和晶圆台之间的光瞳面中的光瞳相位调制器。光瞳相位调制器配置为改变0级光线的相位。本发明还提供了印刷低图案密度部件的改进极紫外线光刻系统、器件及方法。
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