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公开(公告)号：CN108548892A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810163704.9
申请日：2013-01-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本发明提供了一种识别车间中的气态分子污染(AMC)泄露源的方法。该方法包括在车间中分布传感器，进行车间中的正向气流的计算流体动力学(CFD)仿真，设定车间中的正向气流的CFD仿真的反演模型，利用车间中的AMC测量数据建立传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库，以及利用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库识别AMC泄露源。
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公开(公告)号：CN104051298B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410087925.4
申请日：2014-03-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于在制造半导体器件中处理晶圆的方法和系统，其中，化学反应需要设置化学品和晶圆加热。将晶圆放置在晶圆加热器之上，从而使第二表面面对晶圆加热器，并且从第二表面加热晶圆。化学层形成在相对的第一表面上。设置晶圆加热器的尺寸并且将晶圆加热器配置为能够加热整个第二表面，并且如果需要，晶圆加热器适合于产生局部不同的温度分布。在加热期间，可以监测晶圆上的实际温度分布且将实际温度分布传输至计算系统，计算系统可以产生目标温度分布并且根据目标温度分布控制晶圆加热器以调整晶圆上的局部温度。用于加热化学品的辅助加热器可以用于更精细地控制晶圆温度。
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公开(公告)号：CN103377890B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210309438.9
申请日：2012-08-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L23/544 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/681 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/683 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种定向半导体晶圆的方法。该方法包括：关于中心轴旋转晶圆；使旋转晶圆的多个边缘部分暴露在来自一个或多个光源的具有预定波长的光下；在旋转晶圆的多个边缘部分中的至少一部分中检测表面下标记；以及使用所检测到的表面下标记作为参考定向晶圆。本发明还提供了用于制造半导体晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN102974563B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210027831.9
申请日：2012-02-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B08B3/12 , B08B3/02 , H01L21/67028 , H01L21/6704
摘要： 用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶圆表面上方移动的同时，将液体施加给晶圆表面。在其他实施例中，方法包括：提供用于将兆声能量施加给晶圆表面的换能器。公开了包括可移动兆声晶圆喷头的装置实施例。
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公开(公告)号：CN102851647B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210320845.X
申请日：2010-05-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/56 , C23C16/48 , C23C16/44 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/78 , C23C14/022 , C23C14/046 , C23C14/18 , C23C14/221 , C23C16/0263 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/48 , C23C16/484 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76877 , H01L29/4966 , H01L29/66545
摘要： 本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。
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公开(公告)号：CN103000481B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210191876.X
申请日：2012-06-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304
CPC分类号： H01L22/10 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703 , H01L21/265
摘要： 一种监测晶圆离子分布的装置，包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外，控制器调节离子束的扫描频率或晶圆的移动速度以实现晶圆上的离子均匀分布。本发明还提供了一种离子注入监测装置。
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公开(公告)号：CN104051298A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410087925.4
申请日：2014-03-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要： 本发明公开了一种用于在制造半导体器件中处理晶圆的方法和系统，其中，化学反应需要设置化学品和晶圆加热。将晶圆放置在晶圆加热器之上，从而使第二表面面对晶圆加热器，并且从第二表面加热晶圆。化学层形成在相对的第一表面上。设置晶圆加热器的尺寸并且将晶圆加热器配置为能够加热整个第二表面，并且如果需要，晶圆加热器适合于产生局部不同的温度分布。在加热期间，可以监测晶圆上的实际温度分布且将实际温度分布传输至计算系统，计算系统可以产生目标温度分布并且根据目标温度分布控制晶圆加热器以调整晶圆上的局部温度。用于加热化学品的辅助加热器可以用于更精细地控制晶圆温度。
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公开(公告)号：CN103871839A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310136296.5
申请日：2013-04-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/04 , C11D11/0047 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/67023 , B08B3/024 , H01L21/02057
摘要： 本发明涉及了一种清洁晶圆的装置，该装置包括腔室、处在腔室内部的可旋转衬底支持件、位于可旋转衬底支持件上方的喷嘴、面朝下方且与喷嘴流体连接的盖状件。该可旋转衬底支持件被配置成在其上装配一个或多个半导体晶圆。该喷嘴被配置成向一个或多个半导体晶圆上喷洒清洁介质。盖状件的形状具有带有顶部截面区域的顶部边缘和带有底部截面区域的底部边缘。本发明还提供了一种清洁晶圆的装置和方法。
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公开(公告)号：CN103009236A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210045566.7
申请日：2012-02-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供了用于制造半导体器件的装置。该装置包括用于对晶圆实施抛光工艺的抛光头。该装置包括可旋转地连接至抛光头的保持环。保持环可用于紧固将被抛光的晶圆。该装置包括位于保持环内的软材料部件。软材料部件比硅软。软材料部件用于在抛光工艺期间研磨晶圆的倾斜区域。该装置包括可旋转地连接至抛光头的喷嘴。喷嘴用于在抛光工艺期间向晶圆的倾斜区域散布清洁溶液。本发明还提供了用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置。
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公开(公告)号：CN102974563A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210027831.9
申请日：2012-02-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B08B3/12 , B08B3/02 , H01L21/67028 , H01L21/6704
摘要： 用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶圆表面上方移动的同时，将液体施加给晶圆表面。在其他实施例中，方法包括：提供用于将兆声能量施加给晶圆表面的换能器。公开了包括可移动兆声晶圆喷头的装置实施例。
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