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公开(公告)号：CN113359392A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110434939.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN113341662A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110558121.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 本公开涉及光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成光致抗蚀剂层；以及使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案。所述潜在图案是通过将显影剂组合物施涂到所述选择性地暴露的光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成图案来显影的。所述显影剂组合物包括：汉森溶解度参数为18>δd>3、7>δp>1和7>δh>1的第一溶剂；酸解离常数pKa为‑11
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公开(公告)号：CN106502053B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201510859943.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种保形中间层的制作方法，包含对单体溶液进行第一聚合工艺以形成经部分处理的树脂溶液，此经部分处理的树脂溶液包含溶剂及硅基的树脂；将经部分处理的树脂溶液旋涂在基板上；及对经部分处理的树脂溶液进行第二聚合工艺以使经部分处理的树脂溶液收缩来形成硅基的保形树脂层。此收缩允许产生较为保形且较均匀的中间层，让中间层的厚度变化可小于15％。
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公开(公告)号：CN109212893A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710794553.2
申请日：2017-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/56
Abstract: 本公开实施例提供光刻光致抗蚀剂材料与对应的光刻技术以改善光刻分辨率，特别是在显影时降低光致抗蚀剂层的膨润现象。例示性的光刻方法包含在光致抗蚀剂层上进行处理工艺，使光致抗蚀剂层的酸活性基团组成经由可交联功能组成进行交联反应；在光致抗蚀剂层上进行曝光工艺；以及在光致抗蚀剂层上进行显影工艺。在一些实施方式中，曝光工艺后的光致抗蚀剂层包含曝光部分与未曝光部分，且处理工艺可增加未曝光部分中的聚合物分子量，以降低未曝光部分对显影工艺采用的显影剂的溶解度。处理工艺可在曝光工艺之前或之后进行。处理工艺可包含进行热处理和/或电磁波处理，以加热光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN113113292B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110336906.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111752093B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010221722.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。
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公开(公告)号：CN113113292A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110336906.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
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公开(公告)号：CN106468859B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201510859496.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供用以使用二次曝光界定多个层图案的方法，包含在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层，保护层材料沉积于第一光致抗蚀剂层上方以形成保护层。在保护层上方形成第二光致抗蚀剂层。通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成底部潜在图案。通过第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成顶部潜在图案，其中顶部潜在图案与底部潜在图案至少部分地重叠。显影第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层以及保护层，以形成分别来自底部潜在图案及顶部潜在图案的第一主要特征及第二主要特征及保护层中的与第二主要特征垂直对准的开口。
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公开(公告)号：CN110716394A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910272919.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供多种半导体系统、设备及方法。在一实施例中，极紫外光光刻系统包括：基板台，配置以将基板固定在第一垂直高度，其中基板上沉积有光刻胶层；至少一电极，位于第一垂直高度上方的第二垂直高度；以及电源，配置以在前述至少一电极与基板台上施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。
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