公开(公告)号：CN107359105A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710624010.6

申请日：2016-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·班塞尔 ,  J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 ,  S·巴录佳 ,  S·H·金 ,  T·A·恩古耶

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开涉及了一种处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法。喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。

公开(公告)号：CN103109357B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180044541.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/263

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/482 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  Y10T137/0391

Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。

公开(公告)号：CN103329269A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006332.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  A·T·迪莫斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/3105 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明提供了用于制造存储单元的系统、方法和设备。本发明包括：在第一介电材料中形成特征，所述特征具有侧壁；在所述特征的侧壁上形成第一导电材料；将具有第二介电材料的层沉积至导电材料上；以及使第二介电材料接触氧化物质和紫外光，以氧化第二介电材料。本发明揭示了许多附加方面。

公开(公告)号：CN102187441B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980142397.5

申请日：2009-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-H·杨 ,  T·A·恩古耶 ,  S·巴录佳 ,  A·卡祖巴 ,  J·C·罗查 ,  T·诺瓦克 ,  D·W·何

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的方法。

公开(公告)号：CN102906304A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180026221.0

申请日：2011-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-W·李 ,  V·佐泊考伏 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  D·R·威蒂

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

Abstract: 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：CN102498558A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080035135.1

申请日：2010-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  L·亚普 ,  J·周 ,  T·诺瓦克

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。

公开(公告)号：CN106653674B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201610972233.7

申请日：2016-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  P·P·贾 ,  K·尼塔拉

IPC: H01L21/687

Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。

公开(公告)号：CN111218666B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202010128359.2

申请日：2015-12-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  祝基恩 ,  S·金 ,  王彦杰

IPC: C23C16/44

Abstract: 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。

公开(公告)号：CN108998776B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201810576218.X

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  Y·杨 ,  T·恩古耶 ,  N·南塔瓦拉努 ,  J·F·奥布充 ,  T·A·恩古耶 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。

公开(公告)号：CN113508191A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080017675.0

申请日：2020-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·阿加瓦尔 ,  S·巴录佳 ,  C·彼德森 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/455

Abstract: 一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞，该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞，该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步，该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。