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公开(公告)号：CN107226690A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710156213.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/185 , C04B35/622 , C04B37/00 , H01L23/14
CPC classification number: C04B35/185 , B32B3/26 , B32B7/04 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B2250/02 , B32B2307/30 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/546 , B32B2429/00 , B32B2457/00 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B2235/3463 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/704 , C04B35/622 , C04B37/00 , H01L23/14
Abstract: 本发明涉及一种含有多铝红柱石的烧结体、其制法及复合基板。本发明的含有多铝红柱石的烧结体除了含有多铝红柱石以外，还含有从由氮化硅、氮氧化硅及硅铝氧氮陶瓷构成的组中选择的至少1种。该含有多铝红柱石的烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于4.3ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1.5μm以下。
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公开(公告)号：CN104285290A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201480001113.1
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/565
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969 , C04B35/575 , H01L2221/683
Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。
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公开(公告)号：CN104072140A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410108395.7
申请日：2014-03-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B37/00
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氮化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有足够高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含含量最多的前三位的碳化硅、钛碳化硅和碳化钛，这三种物质按照含量从多到少的顺序排列，该复合材料是包含51-68质量%的碳化硅、不含有硅化钛以及具有1%以下的开口孔隙率的复合材料。例如，该致密复合材料的特性包括：40-570℃的平均线性热膨胀系数为5.4-6.0ppm/K，导热系数为100W/m·K以上，以及四点弯曲强度为300MPa以上。
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公开(公告)号：CN103681793A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310410613.8
申请日：2013-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/477 , H01L21/225 , C04B35/00
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2237/366 , C04B2237/60 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32477 , H01J37/3255 , H01J37/32715 , Y10T428/265
Abstract: 一种叠层结构体(10)，具备：以氮氧化铝镁为主相的第1结构体(12)，以氮化铝为主相、含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物晶界相的第2结构体(14)，存在于第1结构体(12)和第2结构体(14)之间的反应层(15)，所述反应层(15)是稀土类铝复合氧化物晶界相(18)稀薄的氮化铝层。该叠层结构体(10)的反应层(15)的厚度在150μm以下。此外，叠层结构体(10)的第1结构体(12)与第2结构体(14)的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。叠层结构体(10)在第2结构体(14)烧成时，通过晶界相(18)向第1结构体(12)一侧扩散，由该晶界相(18)变得稀薄的扩散界面(17)形成反应层(15)。
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