公开(公告)号：CN102790095B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210158073.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN106409919A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610584634.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  后藤尚人

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78606 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G06F1/1643 ,  G06F1/169 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 抑制包括氧化物半导体的晶体管的电特性变动并提高其可靠性。晶体管包括：第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的栅电极；与第二绝缘膜的侧面接触的金属氧化膜；以及氧化物半导体膜、栅电极以及金属氧化膜上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括：重叠于栅电极的沟道区域；与第三绝缘膜接触的源区域；以及与第三绝缘膜接触的漏区域。源区域及漏区域包含如下一种以上：氢、硼、碳、氮、氟、磷、硫、氯、钛、稀有气体。

公开(公告)号：CN102763203B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201180011339.6

申请日：2011-01-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/385 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半导体层的晶体管中，形成氧化物绝缘层，以与氧化物半导体层接触。然后，通过氧化物绝缘层将氧引(加)入氧化物半导体层，并进行热处理。通过氧引入和热处理的这些步骤，从氧化物半导体层有意地去除杂质，如氢、水分、羟基或氢化物，以便使氧化物半导体层高度纯化。

公开(公告)号：CN105849796A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480069840.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN104934483A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510349006.4

申请日：2010-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  宫永昭治 ,  坂仓真之 ,  肥塚纯一 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN101859708B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010159783.X

申请日：2010-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明名称为半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，通过对缓冲层进行反溅射处理及氮气氛下的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。

公开(公告)号：CN1581429B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN200410056427.X

申请日：2004-08-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/24 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y10S438/914

Abstract: 掺杂装置和掺杂方法以及薄膜晶体管的制作方法。本发明的目的是提供一种能够以最合适的载流子浓度执行掺杂，非破坏性且简便地获取所希望的电特性的掺杂装置、掺杂方法、以及使用该掺杂装置和掺杂方法的薄膜晶体管的制作方法。在本发明中，使用接触角正确且精密地监测半导体元件的电特性(薄膜晶体管中的阈值电压等)，通过控制掺杂方法从而控制特性。此外，根据本发明，借助用原地监测特性，可以随时获取信息，并在没有时间延迟的情况下执行反馈。

公开(公告)号：CN103219394A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310138489.4

申请日：2009-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种驱动电路及半导体装置，提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷（SiH4）以及氨（NH3）等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。

公开(公告)号：CN102790095A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210158073.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN102760697A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210114763.X

申请日：2012-04-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  佐藤裕平 ,  岡崎豊 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/383 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。