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公开(公告)号：CN107394022A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710610925.1
申请日：2017-09-05
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/20 , B82Y40/00 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。
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公开(公告)号：CN107068813A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710210413.6
申请日：2017-03-31
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高AlN圆环和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低AlN圆环相间组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物层，由N面圆环和金属面圆环相间组成。该Ⅲ族氮化物层采用圆环结构增加反型畴的密度；该III族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明相比于传统LED，器件结构和制作流程简单，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN107068812A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710207374.4
申请日：2017-03-31
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/16 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要： 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑23000的高Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹和Ⅴ/Ⅲ比为800‑1200的低Ⅴ/Ⅲ比AlN成核层条纹交错组成，发光层为一层c面Ⅲ族氮化物薄膜，由N面Ⅲ族氮化物条纹和金属面Ⅲ族氮化物条纹交错组成。该Ⅲ族氮化物采用GaN或InGaN，分别发紫外光和绿光。本发明利用c面Ⅲ族氮化物内的反型畴代替传统LED的量子阱发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。
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公开(公告)号：CN105977135A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610334385.4
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L21/02485 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C16/303 , C23C28/04 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105931946A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610333373.X
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了黑磷和磁控溅射氮化铝，材料质量优异，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN103983909B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410228195.5
申请日：2014-05-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种用于测试MOS器件沟道不均匀损伤的方法，主要解决现有技术难以定量分析沟道不均匀损伤效应的问题。其实现步骤是：1.设定器件的标准漏电流与标准低漏压；2.在标准低漏压下扫描栅压，得到漏电流达到标准值时的栅压Vg0；3.在应力条件下，用相同方法测量栅压Vg，得到栅压差值△Vg0；4.施加多组高漏压后测得栅压差值△Vgi；5.用比值△Vgi/ΔVg0绘制正向测试图；6.改变端口设置进行反向测试，得到反向测试图；7.根据正、反向测试图量化得出沟道各处不均匀损伤的比重及对器件退化的影响。本发明能有效监测MOS器件沟道的不均匀损伤并量化其对器件退化的影响及所占比重，可用于对器件的质量检测。
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公开(公告)号：CN105861987A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610334060.6
申请日：2016-05-19
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了六方氮化硼和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能氮化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105140365A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510508696.3
申请日：2015-08-18
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/0066 , H01L33/0075
摘要： 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5-200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作Ga极性GaN黄光发光二极管。
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公开(公告)号：CN105098017A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510510551.7
申请日：2015-08-18
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2-100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3～5×1019cm-3，C掺杂浓度为1×1017cm-3～4×1019cm-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5-200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3的高温p型GaN层。本发明工艺简单，成本低，可用于制作N面GaN黄光发光二极管。
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公开(公告)号：CN103928502A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410165612.6
申请日：2014-04-23
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/267 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262
摘要： 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，将m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性GaN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，方向一致的优点，可用于制作高性能极性GaN纳米器件。
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