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公开(公告)号：CN113196172B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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公开(公告)号：CN110998455B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201880053401.X
申请日：2018-06-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，该方法包括：对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于第一目标结构的信号数据与用于第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，该量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；确定通过针对多个不同量测配方的量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。
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公开(公告)号：CN113196172A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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公开(公告)号：CN111338187A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264539.3
申请日：2015-08-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC: G03F7/20
Abstract: 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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公开(公告)号：CN111133384A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061025.9
申请日：2018-09-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·J·J·杰克 , S·G·J·马斯杰森 , K·布哈塔查里亚 , 张源宰 , 边珍武
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定图案化过程参数的方法，该方法包括：针对目标，从利用包括中心波长的辐射照射该目标所获得的数据计算中间参数的第一值；针对该目标，从利用包括两种不同中心波长的辐射照射该目标所获得的数据计算该中间参数的第二值；并且基于该中间参数的第一值和第二值计算图案化过程参数的组合测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110998455A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053401.X
申请日：2018-06-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，该方法包括：对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于第一目标结构的信号数据与用于第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，该量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；确定通过针对多个不同量测配方的量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。
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公开(公告)号：CN109073992A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025162.2
申请日：2017-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。
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公开(公告)号：CN107533299A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680020990.2
申请日：2016-03-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·威廉斯 , K·布哈塔查里亚 , P·P·宾特维诺斯 , G·陈 , M·艾伯特 , P·J·M·H·克奈里森 , S·摩根 , M·范德沙 , L·H·M·维斯塔彭 , J-S·王 , P·H·瓦德尼尔
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/7046 , G06F2217/16
Abstract: 一种方法，包括：执行仿真以对多个量测目标和/或用来测量量测目标的多个量测选配方案进行评价；从经评价的多个量测目标和/或量测选配方案中标识一个或多个量测目标和/或量测选配方案；接收一个或多个标识的量测目标和/或量测选配方案的测量数据；以及使用测量数据来调整量测目标参数或量测选配方案参数。
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公开(公告)号：CN106462076A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079475.2
申请日：2014-08-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70158 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/708 , H01L23/544
Abstract: 由光刻工艺形成度量目标，每个目标包括底部光栅和顶部光栅。可以通过使用辐射照明每个目标并且观测衍射辐射中非对称性而度量光刻工艺的重叠性能。选择度量配方和目标设计的参数以便于最大化重叠测量的精度而不是可重复性。方法包括计算在(i)表示由顶部光栅衍射的辐射的第一辐射分量与(ii)表示在穿过顶部光栅和插入层之后由底部光栅衍射的辐射的第二辐射分量之间的相对幅度和相对相位的至少一个。顶部光栅设计可以修改以使得相对幅度接近均一。度量配方中照明辐射的波长可以调节以使得相对相位接近π/2或3π/2。
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公开(公告)号：CN114144732B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080053489.2
申请日：2020-07-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , 张耕辅 , S·G·J·马斯杰森
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了用于确定关于目标结构的信息的方法和系统。在一种布置中，获得针对目标结构的不对称指示符的值。不对称指示符的值表示目标结构中套刻无关不对称的量。估计在先前时间对目标结构执行的初始套刻测量中的误差。使用所获得的不对称指示符的值和以下项之间的关系来执行该估计：不对称指示符的值与至少部分地由套刻无关不对称引起的套刻测量误差。使用初始套刻测量和估计误差来确定目标结构中的套刻。
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