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公开(公告)号：CN102934195B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180027850.5
申请日：2011-04-21
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30
摘要： 揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源，其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反，本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上，将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h)，所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d)，使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中，使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210，211，212)，进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
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公开(公告)号：CN102449739B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC分类号： H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN102232241B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980148112.9
申请日：2009-12-03
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 具本雄 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 奎格·R·钱尼 , 法兰克·辛克莱 , 奈尔·J·巴森
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/006 , H01J2237/061 , H01J2237/0815 , H01J2237/24514
摘要： 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。另一实施例中，使用多样的气体，其中一或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一或多个额外气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外等离子。
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公开(公告)号：CN102947479A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180029156.7
申请日：2011-05-18
申请人： 默克专利有限公司
发明人： 菲利普·施特塞尔 , 霍尔格·海尔 , 赫伯特·施普赖策 , 伯恩哈德·舒巴赫 , 约翰内斯·达森布罗克
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/32 , H01L51/00 , H01J37/317
CPC分类号： C23C14/32 , C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/221 , H01J37/05 , H01J37/3178 , H01J49/00 , H01J2237/057 , H01J2237/0815 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01L51/0008
摘要： 本发明涉及利用分子（5，6）涂覆载体材料（2）的表面（1）的方法，其中来自分子储存器（3，4）的所述分子（5，6）被转化为气体状态并电离，在所述带电分子（5，6）到达所述表面（1）的途中，使其暴露于至少一个场分量与所述带电分子（5，6）定向运动方向垂直的至少一个电场和/或磁场，以便向所述带电分子（5，6）施加力的导向作用，所述导向作用与所述带电分子（5，6）的定向运动方向垂直。电和/或磁聚焦装置（8），例如四极场，作用于所述带电分子（5，6）在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间的定向运动。隔膜装置（12）以这样的方式布置在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间，所述方式使得仅具有指定的质荷比的分子（5，6）通过所述隔膜装置（12）到达表面（1）。借助于合适的电场和/或磁场或借助于可随时间变化的隔膜装置（14），防止所述带电分子（5，6）在指定的时间内撞击所述表面（1）。由此促进所述表面的结构化涂覆。
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公开(公告)号：CN102256430A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110075718.3
申请日：2011-02-15
申请人： FEI公司
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/24 , H01J2237/0815 , H01J2237/31749 , H05H1/36
摘要： 本发明涉及用于感应耦合等离子体离子源的等离子体点燃器。公开了一种聚焦离子束(FIB)系统，该系统包括：感应耦合等离子体离子源；包含等离子体的绝缘等离子体室；传导源偏置电极，与等离子体接触并偏置到高压以控制样品和多个孔处的离子束能量。等离子体室内的等离子体用作包括一个或多个透镜的离子镜筒的虚拟源，所述透镜把聚焦离子束形成在待被成像和/或FIB处理的样品的表面上。等离子体由装配在镜筒附近或在镜筒处的等离子体点燃器启动，所述等离子体点燃器在源偏置电极上诱导高压振荡脉冲。通过在镜筒附近装配等离子体点燃器，连接源偏置电极到偏置电源的电缆的电容性影响被最小化。通过合适的孔材料选择，使孔的离子束溅射最小化。
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