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公开(公告)号：CN108257993A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711458782.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/7827 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/14612 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在衬底内在第一方向上彼此间隔开的第一凹陷和第二凹陷、填充第一凹陷并突出超过衬底的第一栅电极、填充第二凹陷并突出超过衬底的第二栅电极、形成在第一凹陷与第二凹陷之间的第一源极/漏极、相对于第一凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上的第二源极/漏极、以及相对于第二凹陷形成在与第一源极/漏极相反的方向上并且电连接到第二源极/漏极的第三源极/漏极。
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公开(公告)号：CN106992173A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710006916.1
申请日：2017-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/28123 , H01L21/82345 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/42364 , H01L29/66575 , H01L29/4232 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括：器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；在有源区上的第一栅电极，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸；第二栅电极，其在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；栅间隔物，其在第一栅电极和第二栅电极之间；以及源/漏区域，其在第一栅电极的相对侧的有源区中。源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，该第二方向平行于衬底的顶表面并且交叉第一方向，以及，当在俯视图中被观察时，第一栅电极与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开。
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公开(公告)号：CN103137173B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201210507899.7
申请日：2012-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/10 , G11C8/08 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了高密度半导体存储器件。该器件可以包括：单元阵列区，包括下结构、上结构和选择结构，该选择结构插置在下结构与上结构之间并且包括多个字线；以及解码电路，用于控制施加到字线的电压。该解码电路可以配置为响应于输入到其的字线地址信息而将第一电压施加到彼此相邻的一对字线并且将不同于第一电压的第二电压施加到剩余的字线。
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公开(公告)号：CN104681090A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410586479.1
申请日：2014-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种控制单元晶体管的接口状态提高感测界限的电阻存储装置。存储系统可包括：存储装置，具有电连接到多条位线和多条字线的非易失性存储单元的阵列。所述非易失性存储单元可包括与相应单元晶体管电串联连接的各个非易失性电阻装置。还提供可连接到所述存储装置的控制器。所述控制器可被配置为在将数据写入到所述存储装置中的操作期间利用支持(i)非易失性电阻装置和(ii)单元晶体管内的接口状态的双编程的信号来驱动所述存储装置。
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公开(公告)号：CN1485895A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03132862.8
申请日：2003-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L21/76 , H01L21/302 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/76237 , H01L21/823481 , H01L21/823493
Abstract: 提供一种使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法。在一个实施例中，使用低能、高剂量离子注入工艺形成阱区至沟槽隔离层的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1131558C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN99109408.5
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/762 , H01L21/765 , H01L27/10805 , H01L27/10873
Abstract: 本发明通过采用浅槽隔离(STI)中的导电屏蔽层，为亚微米隔离间距的DRAM提供具有低掺杂衬底和与有源宽度无关的阈值电压的无窄沟道效应的DRAM单元晶体管结构。所得到的单元晶体管结构大大消除了从栅和邻近存储节点结经过浅槽隔离的寄生E场穿透，并且非常适用于Gbit规模DRAM技术。用负电压偏置导电屏蔽层，以便最小化衬底中的侧壁耗尽。
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公开(公告)号：CN119071657A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410686950.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H04N25/57 , H01L27/146 , H04N25/532 , H04N25/59 , H04N25/40
Abstract: 提供了图像像素、图像传感器以及图像传感器的操作方法。所述图像像素包括：光电转换元件；公共电路，包括被配置为从光电转换元件接收电荷的浮置扩散节点，并且被配置为基于浮置扩散节点的电压将输出电压传输到第一节点；采样电路，包括被配置为存储第一节点的输出电压的第一电容器和第二电容器；以及第一晶体管，将第一电容器或第二电容器中的至少一个电连接到浮置扩散节点。
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公开(公告)号：CN118200756A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311694313.7
申请日：2023-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有高动态范围的图像传感器。根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可在全局快门模式下进行操作，并且每个像素电路可支持高转换增益(HCG)模式和低转换增益(LCG)模式，以便具有高动态范围(HDR)。因此，根据本发明构思的一些示例实施例的所述图像传感器可具有HDR并且可生成高质量图像。
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公开(公告)号：CN118173563A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311286691.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/77
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：光电转换元件，在第一半导体基底中；第二半导体基底，在第一半导体基底上；源极跟随器晶体管，在第二半导体基底上；以及贯穿插塞，穿透第二半导体基底。贯穿插塞将光电转换元件电连接到源极跟随器晶体管。源极跟随器晶体管的源极端子电连接到第二半导体基底。
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公开(公告)号：CN109801932B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201811358377.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/67
Abstract: 一种图像传感器和一种电子装置，该图像传感器包括：多个像素，所述多个像素的每个像素包括光电二极管和对应于光电二极管的转移晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管；多个第一互连线，所述多个第一互连线连接到转移晶体管、复位晶体管和选择晶体管的栅极，所述多个第一互连线在第一方向上延伸；以及连接到选择晶体管的源极区的多个第二互连线，所述多个第二互连线在交叉第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个第一互连线或所述多个第二互连线在其中安置像素的像素区域之外的外围区域上包括虚设线。
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