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公开(公告)号：CN1677783A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510058841.9
申请日：2005-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/32245 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/4087
Abstract: 在蓝紫色半导体激光元件的上面形成p电极，在其下面形成n电极。在红色半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在红外半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在蓝紫色半导体激光元件的p电极的上面的一部分上形成焊锡膜。在p电极的上面，以规定的间隔形成两个焊锡膜。由此，p电极的一部分露出。再者，蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件以及红外半导体激光元件的p电极成为共用的电极。
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公开(公告)号：CN1534841A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号：CN101478116B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910005323.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。
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公开(公告)号：CN101521254B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910005133.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN1744397B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200510093864.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 在支撑部件上，经多个融着层，顺序层积副基板、蓝紫色半导体激光元件、绝缘层和红色半导体激光元件。在蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极上，层积绝缘层，在绝缘层上形成导电层。在导电层上经融着层而层积红色半导体激光元件。导电层与红色半导体激光元件的p侧衬垫电极电气连接。蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极和红色半导体激光元件的n侧衬垫电极电气连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1534841B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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公开(公告)号：CN101521254A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005133.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101478116A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910005323.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。
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公开(公告)号：CN101361238A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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公开(公告)号：CN101232152A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008937.8
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L2224/48463 , H01S5/02469 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01S5/4043 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，其包括：在第一基板上具有射出第一波长光的第一半导体层的第一半导体激光元件；和在第二基板上具有射出第二波长光的第二半导体层的第二半导体激光元件，所述第一和第二波长各自不同，所述第一和第二基板材料各自不同，以在与第一基板的一面垂直的方向上与所述第一半导体激光元件的发光点不重叠的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上，第一发光点的上部露出。
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