公开(公告)号：CN102412279A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110326336.3

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛凯 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管，在基区的周侧的浅槽场氧中形成一和基区相接触的槽，槽的深度小于等于基区的深度，在槽中填充有多晶硅并在多晶硅中掺入了N型杂质，由掺入N型杂质的多晶硅形成外基区，外基区和基区在基区的侧面相接触，在外基区上形成有金属接触并引出基极。本发明还公开了一种锗硅BICMOS工艺中垂直寄生型PNP三极管的制造方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、减小器件的寄生效应、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能；本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

公开(公告)号：CN101465270A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710094574.X

申请日：2007-12-17

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 潘嘉 ,  王明琪 ,  刘须电

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种硅片背面单片刻蚀设备，包括控制器，还包括终点检知装置，该终点检知装置包含光源发射器、反射光接收传感器和信号处理系统，所述光源发射器向硅片背面发射光线；所述反射光接收传感器用于接收硅片背面不同介质膜发出的针对发射光线的反射光线，并将该反射光线的信息传递给信号处理系统；所述信号处理系统根据反射光线信息确定终点检测结果，并将该终点检测结果传递给控制器，以控制药液的刻蚀过程停在不同介质膜的分界处。本发明硅片背面单片刻蚀设备，可以使硅片背面需要刻蚀的介质膜被完全刻蚀，同时又减轻药液对下层介质膜的过刻蚀，确保产品背面保留下的介质膜质量。

公开(公告)号：CN103165672A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110412694.6

申请日：2011-12-12

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  范永洁 ,  钱文生 ,  徐向明 ,  肖胜安 ,  陈帆 ,  刘鹏 ,  陈雄斌 ,  潘嘉 ,  刘冬华 ,  孙娟 ,  袁媛 ,  吴智勇 ,  黄志刚 ,  王雷 ,  郭晓波 ,  孟鸿林 ,  苏波 ,  季伟 ,  程晓华 ,  钱志刚 ,  陈福成 ,  刘继全 ,  孙勤 ,  金锋 ,  刘梅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层上形成金属接触引出源漏极。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。本发明能减少源漏区和衬底间的寄生电容，能更适合的应用在RF领域。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制造方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题；能减少金属层数，能降低整个BICMOS工艺的成本。

公开(公告)号：CN103137678A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110388997.9

申请日：2011-11-30

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在外基区中包括有以发射区的外侧边缘为自对准边界的自对准注入的锗或碳杂质以及P型杂质。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明通过在外基区中注入锗或碳杂质，能减少外基区的P型杂质的横向扩散，从而能减少外基区的宽度，提高器件的最大振荡频率。

公开(公告)号：CN103137605A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110394479.8

申请日：2011-12-02

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 周正良 ,  潘嘉

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/02 ,  G01R27/26

摘要： 本发明公开了一种监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构，包括栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上方的栅极多晶硅，栅极侧墙形成于栅极的两侧，源漏多晶硅形成于栅极侧墙的外侧，栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅均位于氧化硅浅槽隔离上方。本发明还公开所述测试结构的制造方法及一种多指结构的测试结构。本发明针对锗硅BiCMOS工艺中的自对准CMOS管，可以有效监控栅极多晶硅通过管侧墙和源漏多晶硅间的寄生电容的大小；测试结构完全建立在浅槽氧化硅隔离上，源漏多晶硅的下部是氧化硅，通过源漏多晶硅和栅极多晶硅底部产生的额外寄生电容可以忽略，所测电容单一来自源漏多晶硅-CMOS侧墙-栅极多晶硅的寄生电容。

公开(公告)号：CN103117299A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110363863.1

申请日：2011-11-16

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种自对准双极晶体管，通过发射区窗口介质层定义出发射区窗口和外基区自对准注入区，能实现发射区和外基区之间的良好对准；发射区仅由形成于发射区窗口中的多晶硅组成，能减少发射区和外基区的耦合区域、从而能降低发射区和基区间的寄生电容，最后能提高器件的频率特性和性能。本发明还公开了一种自对准双极晶体管的制作方法，外基区注入为自对准注入，从而能够节省形成外基区的光刻层，降低工艺成本；形成发射区时对发射极多晶硅进行的回刻为全面回刻，也能节省一层光刻掩模板，降低工艺成本和复杂度。

公开(公告)号：CN103066116A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110326334.4

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛凯 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  王永成

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管器件，包括：集电区、基区和发射区，还包括场板，场板呈一侧墙结构覆盖于有源区的侧面从而能从侧面覆盖集电区，场板的平面和有源区的侧面平行、场板和有源区的侧面间隔离一衬垫氧化层、场板的顶部高度低于有源区表面。本发明还公开了一种双极晶体管器件的制造方法。本发明能使集电结的电场强度平坦、降低集电结的峰值电场强度，从而能在不增加集电区的电阻、不降低器件的频率特性的条件下提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN103066115A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110326331.0

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛凯 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种垂直寄生型PNP三极管，在有源区周侧的浅槽场氧底部形成有一槽，在槽中填充有多晶硅，由填充于槽中的多晶硅形成多晶硅赝埋层，在多晶硅赝埋层中掺入有P型杂质，P型杂质还扩散至多晶硅赝埋层周侧的硅衬底中形成第一P型掺杂区，由多晶硅赝埋层和第一P型掺杂区组成集电极连接层，集电极连接层和集电区在浅槽场氧的底部相接触；由在多晶硅赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极。本发明还公开了一种垂直寄生型PNP三极管的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高器件的截止频率。

公开(公告)号：CN103066056A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110326338.2

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈曦 ,  周正良 ,  陈雄斌 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  薛凯 ,  周克然 ,  蔡莹

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L29/06 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及赝埋层。赝埋层形成于集电区两侧的浅槽场氧底部并横向延伸进入有源区并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极。发射区由形成于基区上部的P型多晶硅组成、且发射区位于偏离有源区中心的一侧。基区的金属接触位于有源区的另一侧。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能。本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

公开(公告)号：CN102412200A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110317240.0

申请日：2011-10-18

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛凯 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李浩

IPC分类号： H01L21/8228

摘要： 本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对PNP区域的基区的硅表面进行处理，使PNP区域的基区的硅表面的晶格结构被破坏；在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行刻蚀处理，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，能使后续在PNP区域形成的锗硅层为非晶结构，有利于在对PNP三极管发射区注入离子的扩散，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。