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公开(公告)号：CN116646377A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310407745.9
申请日：2023-04-17
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种使用等离子体处理凹槽栅的MIS结构增强型GaN p沟道器件及其制备，该沟道器件包括衬底、设置于衬底上的外延结构层，以及与所述外延结构层配合的源极、漏极、栅极与薄膜介质层，所述外延结构层包括依次设置于衬底上的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层配合形成异质结，在第二半导体层上还刻蚀有栅凹槽结构，且所述栅凹槽结构底部区域还形成有介于薄膜介质层与第二半导体层之间的高阻材料层。与现有技术相比，本发明提供的方法能够有效减小干法刻蚀对所述第二半导体层带来的刻蚀损伤，制备工艺简单，耗时短，且制成的凹槽栅MIS结构增强型GaN p沟道器件关态漏电小、开关比大、阈值电压增强型效果明显。
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公开(公告)号：CN111900213B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010771822.5
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。
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公开(公告)号：CN108615786A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810538191.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105182855B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510610802.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN105679881B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti‑TiN‑Mo背电极/Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层/Cd1‑xZnxS阻挡层i‑ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层；(4)在吸收层上制备Cd1‑xZnxS阻挡层；(5)在Cd1‑xZnxS阻挡层上依次淀积i‑ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i‑ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i‑ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。.本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107275440A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710438002.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1868 , H01L31/02167
Abstract: 本发明公开了一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，该方法包括a.抛光；b.腐蚀；c.制备金电极；d.表面钝化四个步骤，其中最后表面钝化具体步骤是：将在真空腔内采用阳极层离子源对步骤c所得的金电极的CZT晶体表面沉积DLC薄膜，其具体步骤为：向真空腔内通入Ar气，真空腔内气压为10-3～10－4Pa，开启阳极层离子源对CZT表面清洗8～10min；然后通入C2H2气体，保持温度为20～25℃在金电极的CZT晶体表面沉积厚度为5～10nm左右的DLC薄膜，即得到表面钝化的碲锌镉晶片。该方法采用DLC薄膜钝化CZT表面进行钝化能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶片表面电阻率，降低碲锌镉（CdZnTe，CZT）探测器的表面漏电流，提高CZT探测器的电学性能。
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公开(公告)号：CN105679881A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti-TiN-Mo背电极/Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层/Cd1-xZnxS阻挡层i-ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层； (4)在吸收层上制备Cd1-xZnxS阻挡层；(5)在Cd1-xZnxS阻挡层上依次淀积i-ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i-ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i-ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105182855A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510610802.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G05B19/042 , G05B2219/25338
Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN103993355A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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公开(公告)号：CN102220644B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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