公开(公告)号：CN110299403B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201910475115.9

申请日：2015-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/34 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述碳化硅具有六方晶体结构。本发明还涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述主表面为相对于Si面具有小于8度的偏角的晶面。根据本发明，可以提供可以在其主表面上形成高品质半导体层的碳化硅基板。

公开(公告)号：CN110079862B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910216446.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  B24B37/10 ,  C23C16/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法。碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN111575786A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010466190.1

申请日：2014-05-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子 ,  川濑智博 ,  堀勉

IPC: C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底。一种碳化硅单晶衬底，具有包含直径为100mm的圆的形状的主表面，其中，在布及所述主表面的整个面的任意的位置处通过将c轴向所述主面投影而得到的多个方向上的角度全部分布在3°以内。

公开(公告)号：CN108026662B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201680053607.3

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上田俊策 ,  冲田恭子 ,  原田真

IPC: C30B29/36

Abstract: 碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度，并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。

公开(公告)号：CN108495957A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780007967.4

申请日：2017-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  樱田隆 ,  高须贺英良 ,  上田俊策 ,  佐佐木将 ,  梶直树 ,  三岛英彦 ,  江口宽航

IPC: C30B29/36 ,  G01N23/207

CPC classification number: C30B29/36 ,  G01N23/207

Abstract: 在检测器6配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[-1100]方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

公开(公告)号：CN105789029B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21‑25)和衬底(2)。半导体层(21‑25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21‑25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN105579626A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052597.2

申请日：2014-08-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  冲田恭子 ,  西口太郎 ,  久保田良辅 ,  神原健司

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B23/00 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种碳化硅半导体衬底(10)包括第一主表面(10a)和与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)具有大于100mm的最大直径，且碳化硅半导体衬底(10)具有不大于700μm的厚度。在从第一主表面(10a)的外周端部分(OR)朝向第一主表面(10a)的中心(O)的5mm以内的区域(OR2)中，在具有1mm2的面积的任意区域处，位错密度为不大于500/mm2。因此，提供有能抑制裂缝产生的碳化硅半导体衬底。

公开(公告)号：CN102812537B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201080065662.7

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。

公开(公告)号：CN103563055A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025086.2

申请日：2012-06-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种制造碳化硅基板(3)的方法，包括如下步骤：制备单晶碳化硅的坯料；通过切割该坯料来获得碳化硅基板(3)；以及，在包括碳化硅基板(3)的外周表面的区域中形成倒角部(3C,3D,3E)，其中，在获得碳化硅基板(3)的步骤中，切割该坯料，使得碳化硅基板(3)的主表面(3A)相对于{0001}面形成10°以上的角度。

公开(公告)号：CN102959709A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030749.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。