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公开(公告)号：CN102548179B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201010591768.2
申请日：2010-12-08
发明人： 陈鹏
摘要： 本发明公开了一种下电极装置和半导体设备。该下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源，所述匹配器和所述射频电源连接，所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。本发明采用的连接体可通过较大的电流，满足了大电流的要求，无需定制超大规格的连接器和电缆，从而降低了成本以及节省了开发时间；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题，从而提高了设备的可维护性；无需定制超大规格的连接器和电缆，有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题，从而提高了设备的可靠性。
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公开(公告)号：CN105097401A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410202122.9
申请日：2014-05-13
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3441 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01L21/00 , H01L21/2855
摘要： 本发明提供反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环，在法拉第屏蔽环上设置有开缝，法拉第屏蔽环和绝缘环均套置在反应腔室的侧壁内侧，且法拉第屏蔽环叠置在绝缘环上，在绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环，遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接，遮蔽环上设置有开缝，且遮蔽环采用不导磁的材料制成，并且，遮蔽环的外周壁与绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。该反应腔室，不仅可以避免降低打火风险，而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染；另外，可以增大反应腔室的内径和可利用控制。
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公开(公告)号：CN103849836A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210516454.5
申请日：2012-12-05
摘要： 本发明公开了一种等离子体设备及其反应腔室，用于等离子体的反应腔室报包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。根据本发明实施例的用于等离子体设备的反应腔室具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。
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公开(公告)号：CN102480831A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010569759.3
申请日：2010-11-26
摘要： 本发明提供一种下电极装置，其包括下电极、匹配器、射频电源、第一连接器、第二连接器、射频电缆以及阻抗网络，其中，匹配器连接第二连接器和射频电源，射频电缆连接第一连接器和第二连接器，且阻抗网络连接在下电极与第一连接器之间，以使射频电源的输出功率依次经过匹配器、第二连接器、射频电缆、第一连接器和阻抗网络而输送至下电极。本发明还提供一种包括上述下电极装置的半导体设备。本发明提供的下电极装置和半导体设备可使下电极输出同一射频功率时所需要的电流显著降低，因而避免了因定制耐流范围更大的非通用连接器和射频电缆所耗费的成本和时间，同时使下电极装置及半导体设备的结构得到简化、可靠性得到提高。
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公开(公告)号：CN101345114B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710118653.X
申请日：2007-07-11
IPC分类号： H01F5/00 , H01F38/14 , H05H1/46 , H05H1/50 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种电感耦合线圈及应用该线圈的电感耦合等离子体装置，包括内绕组、外绕组，内绕组与外绕组之间的相对位置可以调节。内绕组和外绕组分别固定在内绕组支架和外绕组支架上，内绕组支架和外绕组支架设置在反应室上部，外绕组支架上固定有齿条，反应室的壁上设有齿轮，齿轮与齿条啮合。使内绕组与外绕组之间的相对位置可以调节，可以通过调节内绕组与外绕组之间的相对位置来调节反应室内等离子体的密度，使等离子体在反应室的晶片上方分布均匀，能有效调节刻蚀速率的均匀性，提高刻蚀晶片的质量。本发明主要用于半导体晶片加工设备，也适用于其它类似的设备。
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公开(公告)号：CN101677485A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810222559.3
申请日：2008-09-19
发明人： 陈鹏
摘要： 本发明公开了一种射频装置，包括依次连接的射频电源、射频匹配器以及电感耦合线圈，所述电感耦合线圈包括中心线圈以及围绕所述中心线圈的至少一组外周线圈；所述中心线圈以及各所述外周线圈相互独立，且各线圈中射频电流的比例能够调整。本发明还公开了一种包括上述射频装置的等离子体处理设备。本发明所公开的射频输送方法通过至少两个相互独立的电感耦合线圈分别向反应腔室的中心部位和外周部位输入射频能量，并根据各部位中等离子体的浓度调整各线圈中射频电流的比例。由于实现了射频能量的分区输送以及分区控制，可以提高所述反应腔室径向上等离子体的均匀性，进而确保等离子体处理设备对加工件进行的精细处理顺利完成。
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公开(公告)号：CN100405878C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510126341.4
申请日：2005-12-07
发明人： 陈鹏
摘要： 本发明涉及等离子体刻蚀装置，本发明提出一种具有改良的线圈的等离子体刻蚀装置，其线圈包括若干匝圆形和若干匝多边形线圈，用于把反应气体激励成等离子体。本发明的等离子体刻蚀装置的优点和积极效果在于：由于采用了改进的激励线圈，能够在实际的反应室内补偿反应室的机械结构非对称性的影响，产生径向均匀的等离子体，提高硅片刻蚀的均匀性，从而提高硅片刻蚀的良率。
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公开(公告)号：CN106876315A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510922012.4
申请日：2015-12-14
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供的压环、预清洗腔室及半导体加工设备，其应用在预清洗腔室中，在该预清洗腔室内设置有基座，该基座包括用于承载晶片的承载面。压环用于利用自身重力压住晶片上表面的边缘区域，从而实现对所述晶片的固定；并且，通过向承载面与晶片的下表面之间输送冷却气体，来冷却晶片。并且，压环包括负重体和绝缘体，其中，负重体采用金属制作，以在输送冷却气体时，使压环的整体重量足以承受承载面与晶片下表面之间的气压。绝缘体包覆负重体，以避免等离子体轰击负重体。本发明提供的压环，其可以避免晶片的温度过高，从而不仅可以保证晶片质量，而且还可以缩短在完成预清洗工艺之后需要冷却晶片的时间，进而可以提高设备产能。
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公开(公告)号：CN105097401B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410202122.9
申请日：2014-05-13
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3441 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01L21/00 , H01L21/2855
摘要： 本发明提供反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环，在法拉第屏蔽环上设置有开缝，法拉第屏蔽环和绝缘环均套置在反应腔室的侧壁内侧，且法拉第屏蔽环叠置在绝缘环上，在绝缘环的内周壁内侧设置遮蔽环，遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面的边缘区域连接，遮蔽环上设置有开缝，且遮蔽环采用不导磁的材料制成，并且，遮蔽环的外周壁与绝缘环的内周壁在水平方向上存在水平间距。该反应腔室，不仅可以避免降低打火风险，而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染；另外，可以增大反应腔室的内径和可利用控制。
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公开(公告)号：CN103849836B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210516454.5
申请日：2012-12-05
摘要： 本发明公开了一种等离子体设备及其反应腔室，用于电感耦合等离子体设备的反应腔室包括：腔体，所述腔体内具有反应腔，所述反应腔具有工艺气体进口和工艺气体出口；和边缘磁场增强组件，所述边缘磁场增强组件设在所述反应腔内以增强所述反应腔外周缘处的磁场。根据本发明实施例的用于电感耦合等离子体设备的反应腔室具有能够提高等离子体设备清洗晶圆的均匀性、增大预清洗工艺窗口等优点。
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