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公开(公告)号：CN103187348A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110458094.3
申请日：2011-12-31
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种晶片固定装置、半导体设备和晶片固定方法。该晶片固定装置包括：包括：卡盘、卡盘电源和位于卡盘之上的托盘，其中：卡盘内部设置有与卡盘电源连接的卡盘电极，托盘包括托盘电极和包覆于托盘电极周围的绝缘体；晶片固定装置用于在等离子启辉过程中将晶片吸附于托盘上以及使托盘吸附于卡盘上。本发明的技术方案中，无需通过人工操作的方式将晶片固定于托盘上，从而提高了生产效率以及降低了生产成本；无需采用压紧固定部件通过按压晶片边缘的方式将晶片固定于托盘上，从而增加了晶片表面的可加工面积；无需采用螺钉将压紧固定部件固定于托盘上，从而增加了托盘上放置晶片的位置。
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公开(公告)号：CN101515498A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810057830.2
申请日：2008-02-18
IPC分类号： H01F5/00 , H01F38/14 , H05H1/46 , H05H1/50 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种电感耦合线圈，其包括至少两组直径不同且相互嵌套的线圈绕组，所述线圈绕组中的至少两组线圈绕组的上表面处于不同高度的平面，以便获得分布较为均匀的等离子体。此外，本发明还公开了一种等离子体处理装置，其包括反应腔室，在该反应室的上部设有介电窗，并且在所述介电窗的上方设置有上述电感耦合线圈，所述电感耦合线圈通过射频匹配器与射频电源连接，以便在反应腔室内得到分布均匀的等离子体。本发明提供的电感耦合线圈及等离子体处理装置能够获得分布较为均匀的等离子体，同时能够获得良好的、均匀的加工/处理结果。
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公开(公告)号：CN100527294C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510008776.9
申请日：2005-02-25
IPC分类号： H01F5/00 , H01L21/3065 , H05H1/34 , H05H1/00
摘要： 本发明所述的电感耦合线圈由两组渐开线线圈嵌套而成，渐开线线圈可以为一段渐开线。还可以由渐开线形状的内线圈与外线圈串联组成；且两组渐开线线圈形状相同，中心对称布置。完全对称的平面线圈结构的设计使得电磁场在反应腔室内部的分布很对称，从而改善了等离子体在反应腔室内部的分布均匀性，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。采用了这种结构的电感耦合等离子体装置减小了电感耦合线圈的电感，从而可以很容易的获得大面积的等离子体和改善大面积工艺中等离子体的均匀性。即使随着晶片尺寸的增大，该技术方案也能很好的控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。提高刻蚀晶片的质量。
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公开(公告)号：CN1825505A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510008776.9
申请日：2005-02-25
IPC分类号： H01F5/00 , H01L21/3065 , H05H1/34 , H05H1/00
摘要： 本发明所述的电感耦合线圈由两组渐开线线圈嵌套而成，渐开线线圈可以为一段渐开线。还可以由渐开线形状的内线圈与外线圈串联组成；且两组渐开线线圈形状相同，中心对称布置。完全对称的平面线圈结构的设计使得电磁场在反应腔室内部的分布很对称，从而改善了等离子体在反应腔室内部的分布均匀性，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。采用了这种结构的电感耦合等离子体装置减小了电感耦合线圈的电感，从而可以很容易的获得大面积的等离子体和改善大面积工艺中等离子体的均匀性。即使随着晶片尺寸的增大，该技术方案也能很好的控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。提高刻蚀晶片的质量。
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公开(公告)号：CN105471404A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410460933.9
申请日：2014-09-11
摘要： 本发明公开了一种阻抗匹配网络及等离子体处理设备。其中该阻抗匹配网络包括第一连接端、第二连接端和接地端，还包括第一电感、第二电感、第一可变电容和第二可变电容。其中：第一电感一端与第一连接端连接，另一端与第二可变电容连接；第二可变电容一端与第二连接端连接，另一端与第一电感连接；第二电感和第一可变电容并联后，一端与接地端连接，另一端连接在第一电感与第二可变电容之间。其可根据接入的负载调节两个可变电容，达到连接到电源的总负载与电源自身特征阻抗共轭的效果，从而减小由于功率反射造成的功率浪费及对电源的损伤。同时，可变电容的调整可实现连续的阻抗调整，调节精度高。
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公开(公告)号：CN104134624A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310158104.0
申请日：2013-05-02
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/32 , H01J37/02
CPC分类号： H01L21/68771 , H01L21/67109
摘要： 本发明提供的托盘及等离子体加工设备，在每个托盘的装片位上设置有进气通道，该进气通道包括边缘进气通道和中间进气通道，其中，边缘进气通道设置在装片位上，且位于装片位的靠近边缘的位置，并由沿装片位的周向间隔设置的多个边缘进气孔组成；中间进气通道设置在装片位上，且位于边缘进气通道与装片位的中心之间，并且中间进气通道包括多个中间进气孔，多个中间进气孔沿装片位的圆周方向间隔设置。本发明提供的托盘，其可以改善被加工工件的边缘区域的热交换效果，从而可以使被加工工件的边缘区域与中间区域的温度趋于均匀，进而可以提高等离子体加工设备的工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN103159163A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110424013.8
申请日：2011-12-19
CPC分类号： B81C1/00531 , B81C1/00619 , B81C99/0025 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
摘要： 本发明提出一种基片刻蚀方法和基片处理设备。所述基片刻蚀方法包括：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入刻蚀气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沉积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沉积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成刻蚀工艺。根据本发明，在整个刻蚀工艺过程中始终保持等离子体的存在，并在刻蚀工艺过程之中穿插沉积步骤，因此在沉积步骤时也可以将部分的沉积聚合物刻蚀掉。从而基片的最终刻蚀剖面具有很好的连续性，实现了刻蚀剖面侧壁的平滑。
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公开(公告)号：CN101441983B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710177831.6
申请日：2007-11-21
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/00 , C23C16/513 , C23F4/00
CPC分类号： H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32642
摘要： 本发明提供了一种等离子体约束装置，用于限制等离子体向外扩散。所述约束装置包括至少一层筒状的约束罩，所述每一层约束罩上均开设有形成约束通道的通孔。本发明还提供了一种应用该等离子体约束装置的半导体处理设备，其包括反应腔室、上电极和下电极、以及上述等离子体约束装置，该约束装置位于反应腔室内并环绕着上电极和下电极之间的反应区域，以便阻止等离子体扩散到约束装置之外。本发明提供的等离子体约束装置及半导体处理设备不仅便于安装和维护，而且不易损坏。同时，该约束装置和半导体处理设备能够减少甚至避免等离子体在反应区域之外所造成的颗粒污染，进而提高产品良率、延长反应腔室内各部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101345114A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200710118653.X
申请日：2007-07-11
IPC分类号： H01F5/00 , H01F38/14 , H05H1/46 , H05H1/50 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种电感耦合线圈及应用该线圈的电感耦合等离子体装置，包括内绕组、外绕组，内绕组与外绕组之间的相对位置可以调节。内绕组和外绕组分别固定在内绕组支架和外绕组支架上，内绕组支架和外绕组支架设置在反应室上部，外绕组支架上固定有齿条，反应室的壁上设有齿轮，齿轮与齿条啮合。使内绕组与外绕组之间的相对位置可以调节，可以通过调节内绕组与外绕组之间的相对位置来调节反应室内等离子体的密度，使等离子体在反应室的晶片上方分布均匀，能有效调节刻蚀速率的均匀性，提高刻蚀晶片的质量。本发明主要用于半导体晶片加工设备，也适用于其它类似的设备。
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公开(公告)号：CN104752140B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310750632.5
申请日：2013-12-31
摘要： 本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备，其包括电源、介质窗、连接侧壁和平面线圈；介质窗水平设置于反应腔室的顶部，其由非导电材料制成；介质窗的数量为一个或多个，且其中包括至少一个不与反应腔室的顶壁处于同一水平面上的第一介质窗；第一介质窗通过连接侧壁与反应腔室的顶壁固定连接，且第一介质窗和连接侧壁相配合将反应腔室内部分割为多个区域；平面线圈设置于介质窗的上方，且与电源电连接，用于在与电源连接时，产生电磁场，将反应腔室内与其对应的区域内的工艺气体激发为等离子体。上述反应腔室，可以控制等离子体在反应腔室内的分布和反应腔室内等离子体的密度；并提高感应耦合产生等离子体的效率更高。
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