公开(公告)号：CN100477277C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510089249.5

申请日：2005-07-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨富量 ,  杨育佳 ,  陈宏玮 ,  曹训志 ,  胡正明

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

摘要： 本发明提供一种半导体晶片及半导体装置的制造方法，具体为一种绝缘层上覆半导体的装置，包含覆于一绝缘层上的一硅主动层，上述硅主动层具有 的晶格方向。上述绝缘层是位于具有 结晶方向的一基底上。具有 取向的晶体管则形成于上述硅主动层上。

公开(公告)号：CN100477269C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610138069.6

申请日：2006-11-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  葛崇祜 ,  陈宏玮 ,  李文钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明是提供一种半导体装置及其制作方法。其中半导体装置具有一理想化应力于沟道区域之中，此半导体装置包含一栅极位于一基底上方，一第一间隙壁形成于栅极侧壁上，且在该第一间隙壁下方存在一非硅化区域，包含一凹槽的一源/漏极区域形成于上述基底之中，以及一硅化区域位于上述源/漏极区域上。一阶梯高度形成于硅化区域的一上部位与一下部位之间。凹槽与各自非硅化区域的边缘间隔一间隙距离。阶梯高度与间隙距离较佳的比例是约小于或等于3。其中非硅化区域的宽度与阶梯高度较佳的比例是约小于或等于3。本发明所述的半导体装置及其制作方法，通过修改金属氧化物半导体装置的尺寸，可理想化沟道中的应力，由此可改善半导体装置的效能。

公开(公告)号：CN101304043A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810080434.1

申请日：2008-02-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  陈宏玮 ,  葛崇祜 ,  官大明 ,  李文钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极/漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极/漏极区上；以及，增高式金属化源极/漏极区，介于硅化物区与栅极之间。其中，增高式金属化源极/漏极区邻接硅化物区。本发明可增加MOS元件的驱动电流与降低漏电流。

公开(公告)号：CN101266969A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710140999.X

申请日：2007-08-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  王子睿 ,  陈宏玮 ,  葛崇祜 ,  李文钦

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7843

摘要： 一种以单轴向机械应力(mechanical uniaxial strain)增强性能的双载子互补式金属氧化物半导体元件。于本发明第一实施例中包括一NMOS晶体管、一PMOS与一双极晶体管形成于基底的不同区域。一具有张应力的第一接触窗蚀刻终止层形成在一NMOS晶体管上以及一具有压应力的第二接触窗蚀刻终止层形成在PMOS与双极晶体管上，且增加了各元件的性能。另一实施例除了具应力的接触窗蚀刻终止层(stressed contact etch stop layer)外，还具有位于PMOS晶体管、NMOS晶体管与双极结晶体管的应变基极(strained base)中的应变沟道。

公开(公告)号：CN101038920A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710088698.7

申请日：2007-03-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  李文钦 ,  葛崇祜 ,  陈宏玮

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法以扩散地形程序(diffusion topography engineering，DTE)形成半导体结构。首先在半导体基板中形成沟槽隔离区以定义扩散区。在含氢环境下，对半导体基板进行DTE程序，且在扩散区上形成MOS元件。DTE程序造成硅迁移，形成圆形或T形的扩散区表面。此方法更可包括在进行DTE程序前，使扩散区的一部分形成凹陷。在DTE程序后，此扩散区形成倾斜表面。本发明能够改善各MOS元件内部的应力，从而提高元件的性能。