公开(公告)号：CN107204323A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611189728.9

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐英杰 ,  黄士芬

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其包括半导电衬底和半导电衬底中的掺杂区。掺杂区具有与半导电衬底相反的导电类型。半导体结构还包含掺杂区中的电容器，其中电容器包括多个电极并且多个电极彼此绝缘。半导体结构进一步包含电容器中的并且被多个电极包围的插塞。

公开(公告)号：CN107046061A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611180557.3

申请日：2016-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴 ,  陈光鑫 ,  柯志欣 ,  黄士芬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/40 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。

公开(公告)号：CN222320270U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420657915.9

申请日：2024-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊纮 ,  郑新立 ,  萧茹雄 ,  黄士芬 ,  简铎欣 ,  梁育玮

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及一种包括具有半导体电阻器结构的半导体装置和用于形成半导体电阻器结构的技术。技术包括在层(例如，渐变电阻层)内形成具有不同硅/铬比率的硅铬材料的层作为形成半导体电阻器结构的一部分。渐变电阻层可以补偿可能导致渐变电阻层的膜损坏、变薄、结晶或成分偏移的半导体制造工艺(例如，刻蚀、氧化、热退火)以扩大用于制造半导体电阻器结构的工艺窗口。相对于使用硅铬材料的均匀层制造的其他半导体电阻器结构，扩大的工艺窗口可以改善半导体电阻器结构的效能(例如，电阻和/或阻抗均匀性)。

公开(公告)号：CN222850826U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421588853.7

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗文勋 ,  叶胜凯 ,  杨锦煌 ,  施启元 ,  黄士芬 ,  徐英杰

IPC: G02F1/01

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括第一介电层、位于第一介电层之上的刻蚀停止层、位于刻蚀停止层之上的第二介电层、位于第一介电层中的光学调制器结构及位于光学调制器结构上方且被包括于第二介电层中的调制加热器结构，其中调制加热器结构包括位于光学调制器结构正上方的加热器环及与加热器环耦合的加热器接垫，其中加热器接垫的厚度大于加热器环的厚度。加热器接垫的较大厚度提供低电阻而可通过加热器接垫将电流提供到加热器环，同时加热器接垫中的热耗散因加热器接垫中的电流耗散较低而减少，使得调制加热器结构能高效操作，相对于其他调制加热器结构配置消耗较少的电流来向光学调制器提供热量。

公开(公告)号：CN222529609U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420957065.4

申请日：2024-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗文勋 ,  周大为 ,  石志聪 ,  杨锦煌 ,  施启元 ,  徐英杰 ,  黄士芬

IPC: G02F1/015

Abstract: 本实用新型提供一种半导体元件，包括：介电层；以及光调制器结构，在所述介电层中且包括：第一区域，包括第一掺杂剂类型；以及第二区域，在所述第一区域的顶面上且包括第二掺杂剂类型，其中所述第一区域和所述第二区域对应所述光调制器结构的PN结二极管。光子集成电路中的光调制器结构包括位于光调制器结构的光模(例如，光调制器结构中产生光的区域)的L形PN结。相对于其他类型的结，例如水平结或I形结，L形PN结在光模处增加了PN结重叠面积。增加的重叠面积可以使光调制器结构实现更高的调制效率。

公开(公告)号：CN220376359U

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202321159616.4

申请日：2023-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佑儒 ,  叶胜凯 ,  张任远 ,  施启元 ,  洪嘉明 ,  陈相甫 ,  黄士芬

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本实用新型实施例涉及一种半导体装置。根据本实用新型的一些实施例，一种半导体装置及形成此装置的方法包含MEMS组件，所述MEMS组件包含一或多个MEMS像素且具有MEMS膜衬底及MEMS侧壁。所述半导体装置包含模拟电路组件，所述模拟电路组件经接合到MEMS组件，且包含模拟电路绝缘层内的至少一个模拟CMOS组件及模拟电路组件衬底。所述半导体装置包含经接合到所述模拟电路组件衬底的HPC组件。所述HPC组件包含经放置于HPC绝缘层内的至少一个HPC金属组件、至少一个接垫、将所述至少一个接垫及所述至少一个HPC金属组件连接的至少一个接垫通路，以及HPC衬底。另外，所述半导体装置包含DTC组件，所述DTC组件经接合到所述HPC衬底，且包含经放置于DTC衬底中的DTC裸片。