公开(公告)号：CN103367461B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210559082.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H02M3/10

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/735 ,  H01L29/861 ,  H02M3/156

Abstract: 本发明公开了三阱隔离二极管及其制造方法，其中，三阱隔离二极管包括具有第一导电类型的衬底以及形成在衬底中的隐埋层，隐埋层具有第二导电类型。三阱隔离二极管包括形成在衬底和隐埋层上方的外延层，外延层具有第一导电类型。三阱隔离二极管包括：第一阱，形成在外延层中，第一阱具有第二导电类型；第二阱，形成在外延层中，第二阱具有第一导电类型并围绕第一阱；第三阱，形成在外延层中，第三阱具有第二导电类型并围绕第二阱。三阱隔离二极管包括形成在外延层中的深阱，深阱具有第一导电类型并延伸到第一阱的下方。

公开(公告)号：CN103928514A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310084295.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  林东阳 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/66045

Abstract: 提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第一漂移区，形成在栅电极一侧处；和第二漂移区，位于栅电极下方、邻近第一漂移区以及深度小于第一漂移区的深度，使得第一漂移区和第二漂移区一起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第一漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的一部分，可以同时形成第一漂移区和第二漂移区。

公开(公告)号：CN103311295A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210560992.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种产品，包括：掺杂层、掺杂层上方的主体结构、掺杂层中限定的沟槽、部分填充沟槽的绝缘体、以及埋置在绝缘体中并且通过绝缘体与掺杂层和主体结构隔离的第一导电部件。掺杂层具有第一掺杂类型。主体结构具有上表面，并且包括体区。体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。沟槽具有底面。第一导电部件从与主体结构的上表面基本平齐的位置朝向沟槽的底面延伸。第一导电部件与掺杂层重叠一段重叠距离，并且重叠距离在0到2μm的范围内。本发明还提供了晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN102915997A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110366213.2

申请日：2011-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0646 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的非远端部分连接至掺杂阱。高电压半导体器件包括邻近电阻器设置的高电压结终端(HVJT)器件。本发明提供一种具有高电压结终端的高电压电阻器。

公开(公告)号：CN102769014A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110412650.3

申请日：2011-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0802

Abstract: 本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。该预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。

公开(公告)号：CN102543951A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110329752.9

申请日：2011-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01H85/046

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，源极，漏极，和栅极，和堆叠在晶体管上的熔丝。熔丝包括与晶体管的漏极连接的阳极触点，阴极触点，和通过第一肖特基二极管和第二肖特基二极管分别与阴极触点和阳极触点连接的电阻器。也提供了一种制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103928514B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201310084295.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  林东阳 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第漂移区,形成在栅电极侧处;和第二漂移区,位于栅电极下方、邻近第漂移区以及深度小于第漂移区的深度,使得第漂移区和第二漂移区起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的部分,可以同时形成第漂移区和第二漂移区。

公开(公告)号：CN103311295B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201210560992.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种产品，包括：掺杂层、掺杂层上方的主体结构、掺杂层中限定的沟槽、部分填充沟槽的绝缘体、以及埋置在绝缘体中并且通过绝缘体与掺杂层和主体结构隔离的第一导电部件。掺杂层具有第一掺杂类型。主体结构具有上表面，并且包括体区。体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。沟槽具有底面。第一导电部件从与主体结构的上表面基本平齐的位置朝向沟槽的底面延伸。第一导电部件与掺杂层重叠一段重叠距离，并且重叠距离在0到2μm的范围内。本发明还提供了晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN102543951B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110329752.9

申请日：2011-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01H85/046

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，源极，漏极，和栅极，和堆叠在晶体管上的熔丝。熔丝包括与晶体管的漏极连接的阳极触点，阴极触点，和通过第一肖特基二极管和第二肖特基二极管分别与阴极触点和阳极触点连接的电阻器。也提供了一种制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103137697B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210242445.1

申请日：2012-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明公开了一种功率MOSFET，其包括从半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内的半导体区，其中所述半导体区为第一导电类型。栅极介电层和栅电极设置在所述半导体区上方。漂移区为与第一导电类型相反的第二导电类型，并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内。介电层具有在所述第一漂移区上方且与第一漂移区接触的一部分。导电场板位于所述介电层上方。源极区和漏极区在所述栅电极的相对侧。所述漏极区与所述第一漂移区接触。底层金属层在所述场板上方。本发明还公开了功率MOSFET的形成方法。