公开(公告)号：CN106486548A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610597456.X

申请日：2016-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/78 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明实施例提供了FET结构，FET结构包括具有顶面的第一导电类型的衬底，在顶面上方的第一栅极，在衬底中的第二导电类型的源极和漏极，以及在第一栅极下方的第一沟道。第一导电类型的掺杂剂浓度包括在顶面之下小于200nm处，沿着第一沟道从第一栅极的一端至第一栅极的另一端测量的双高斯峰。在一些实施例中，FET结构还包括在顶面上方的第二栅极和在第二栅极下方的第二沟道。第一导电类型的掺杂剂浓度包括在顶面之下小于200nm处，沿着第二沟道从第二栅极的一端至第二栅极的另一端测量的单高斯峰。本发明实施例涉及场效应晶体管结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN109801968B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201811257747.X

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴 ,  雷明达 ,  黄士芬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体元件，包括具有元件区域的半导体基板。隔离结构于封闭路径中横向延伸，以标定元件区域。第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，位于元件区域中且横向相隔。第一源极/漏极区域的侧壁与隔离结构于第一隔离结构侧壁直接接触。第一源极/漏极区域的其余侧壁与隔离结构分隔。选择性导电沟道位于元件区域中，选择性导电沟道自第一源极/漏极区域横向延伸至第二源极/漏极区域。半导体元件还包括具有中央部分及第一外围部分的平板。中央部分覆盖选择性导电沟道，且第一外围部分朝第一隔离结构侧壁突出于中央部分。

公开(公告)号：CN109801968A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811257747.X

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴 ,  雷明达 ,  黄士芬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体元件，包括具有元件区域的半导体基板。隔离结构于封闭路径中横向延伸，以标定元件区域。第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，位于元件区域中且横向相隔。第一源极/漏极区域的侧壁与隔离结构于第一隔离结构侧壁直接接触。第一源极/漏极区域的其余侧壁与隔离结构分隔。选择性导电沟道位于元件区域中，选择性导电沟道自第一源极/漏极区域横向延伸至第二源极/漏极区域。半导体元件还包括具有中央部分及第一外围部分的平板。中央部分覆盖选择性导电沟道，且第一外围部分朝第一隔离结构侧壁突出于中央部分。

公开(公告)号：CN103367461B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210559082.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H02M3/10

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/735 ,  H01L29/861 ,  H02M3/156

Abstract: 本发明公开了三阱隔离二极管及其制造方法，其中，三阱隔离二极管包括具有第一导电类型的衬底以及形成在衬底中的隐埋层，隐埋层具有第二导电类型。三阱隔离二极管包括形成在衬底和隐埋层上方的外延层，外延层具有第一导电类型。三阱隔离二极管包括：第一阱，形成在外延层中，第一阱具有第二导电类型；第二阱，形成在外延层中，第二阱具有第一导电类型并围绕第一阱；第三阱，形成在外延层中，第三阱具有第二导电类型并围绕第二阱。三阱隔离二极管包括形成在外延层中的深阱，深阱具有第一导电类型并延伸到第一阱的下方。

公开(公告)号：CN103928514A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310084295.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  林东阳 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/66045

Abstract: 提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第一漂移区，形成在栅电极一侧处；和第二漂移区，位于栅电极下方、邻近第一漂移区以及深度小于第一漂移区的深度，使得第一漂移区和第二漂移区一起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第一漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的一部分，可以同时形成第一漂移区和第二漂移区。

公开(公告)号：CN103311295A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210560992.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种产品，包括：掺杂层、掺杂层上方的主体结构、掺杂层中限定的沟槽、部分填充沟槽的绝缘体、以及埋置在绝缘体中并且通过绝缘体与掺杂层和主体结构隔离的第一导电部件。掺杂层具有第一掺杂类型。主体结构具有上表面，并且包括体区。体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。沟槽具有底面。第一导电部件从与主体结构的上表面基本平齐的位置朝向沟槽的底面延伸。第一导电部件与掺杂层重叠一段重叠距离，并且重叠距离在0到2μm的范围内。本发明还提供了晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN107046061B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201611180557.3

申请日：2016-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴 ,  陈光鑫 ,  柯志欣 ,  黄士芬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。

公开(公告)号：CN111739942A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201910511593.0

申请日：2019-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337

Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包括隔离结构，所述隔离结构设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区。栅极设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内。第一源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上。第二源极/漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上。硅化物阻挡结构局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极/漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。

公开(公告)号：CN107046061A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611180557.3

申请日：2016-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴 ,  陈光鑫 ,  柯志欣 ,  黄士芬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/40 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。

公开(公告)号：CN103928514B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201310084295.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  林东阳 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第漂移区,形成在栅电极侧处;和第二漂移区,位于栅电极下方、邻近第漂移区以及深度小于第漂移区的深度,使得第漂移区和第二漂移区起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的部分,可以同时形成第漂移区和第二漂移区。