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公开(公告)号：CN118016588A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410405129.4
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677 , B25J11/00 , B25J19/02 , B25J19/00
Abstract: 本发明提供一种用于刻蚀中的多功能机械手，包括：上臂；罩壳，设置在上臂下侧的一端、与上臂之间形成冷却腔室，所述罩壳底部设置与冷却腔室连通的进气口，所述罩壳侧部设置与冷却腔室连通的排气口；转轴，旋转密封连接于上臂，所述转轴的两端分别连接扇叶和转盘，所述扇叶隐藏在冷却腔室内，所述转盘位于上臂上侧，所述转轴与所述进气口偏心布置；感应件，设置在上臂上，用于感应晶圆上的缺口；刹车件，用于刹停或释放所述转轴；本申请使用同一气源实现晶圆转运过程中寻边和冷却，集寻边、冷却于一体，简化机械手结构，降低机械手厚度。
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公开(公告)号：CN113930741A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111204291.2
申请日：2021-10-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，针对由于高价态氧化钒掉落衬底导致氧化钒薄膜良率不达标的问题，提供了以下技术方案，步骤1，将衬底从真空室中移出，气嘴停止供氧气；步骤2，利用溅射电源，向靶材施加高频电力，以使靶材向真空室内溅射钒离子；步骤3，利用外力，将步骤2中的钒离子引导朝向真空室内的屏蔽件和气嘴的方向移动，并使钒离子附着在屏蔽件和气嘴上。利用纯钒的粘性，使高价态的氧化钒在气嘴和屏蔽件上固定牢固，不易掉落至氧化钒薄膜上，从而使氧化钒薄膜的钒元素的含量在可控的范围内，提高氧化钒薄膜的良率。
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公开(公告)号：CN113930735A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111205625.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改善氧化钒膜厚均匀性的气相沉积设备及其气相沉积方法，针对现有技术中氧化钒膜厚均匀性较差的问题，提供了以下技术方案，包括真空腔室、溅射电源以及设于真空腔室的磁场装置，真空腔室顶部设有连接溅射电源的靶材，真空腔室底部设有用于沉积薄膜的衬底，真空腔室在衬底正上方中心区域设有挡片，真空腔室水平设置用于安装挡片的支撑杆，衬底的直径为200mm，挡片直径为80~90mm，挡片与衬底之间的距离为110‑130mm。通过挡片挡住部分要沉积在衬底中心区域的氧化钒粒子，从而减少氧化钒在衬底中心区域的沉积量，使氧化钒膜厚更均匀，当衬底的直径为200mm时，选用直径为80~90mm的挡片，并调节挡片与衬底之间的距离为110‑130mm时，能有效提高良率。
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公开(公告)号：CN119132927B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411598284.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于晶圆处理设备技术领域，主要涉及一种晶圆表面预清洁的装置及方法，晶圆表面预清洁装置包括主体、进腔管以及混合组件，主体内具有与进腔管连通的处理腔；混合组件包括多个混合件，混合件包括两个固定环以及多个导流板，导流板均通过一块直板绕固定环的中心轴线扭曲设定的角度而形成，导流板具有位于上下两端且平行的端部平面以及位于两个端部平面之间的螺旋曲面，混合件中任意相邻的两个导流板之间、位于两侧导流板与进腔管的管壁之间均形成供工艺气体混合流通的混合导流通道，相邻两个混合件中一一对应的两块导流板的端部平面之间具有夹角α。经过相邻两个混合件的混合作用，实现多种工艺气体的均匀混合。
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公开(公告)号：CN119132927A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411598284.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于晶圆处理设备技术领域，主要涉及一种晶圆表面预清洁的装置及方法，晶圆表面预清洁装置包括主体、进腔管以及混合组件，主体内具有与进腔管连通的处理腔；混合组件包括多个混合件，混合件包括两个固定环以及多个导流板，导流板均通过一块直板绕固定环的中心轴线扭曲设定的角度而形成，导流板具有位于上下两端且平行的端部平面以及位于两个端部平面之间的螺旋曲面，混合件中任意相邻的两个导流板之间、位于两侧导流板与进腔管的管壁之间均形成供工艺气体混合流通的混合导流通道，相邻两个混合件中一一对应的两块导流板的端部平面之间具有夹角α。经过相邻两个混合件的混合作用，实现多种工艺气体的均匀混合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118486630B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410942950.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种晶圆寻边装置，包括至少两组托片机构、旋转驱动机构和检测机构，通过设置多组托片机构，能够同时进行多片晶圆的寻边作业，提高寻边效率；托片机构包括托具和转具，旋转驱动机构包括旋转驱动件、主齿轮、副齿轮和位移驱动件，位移驱动件用于驱使副齿轮往返于第一工位和第二工位；副齿轮处于第一工位时，副齿轮与主齿轮和转具啮合、旋转驱动件能够驱使托片机构旋转，副齿轮处于第二工位时，托片机构不受旋转力；通过配套设置副齿轮与位移驱动件，每一组托片机构都能够独立地开始或结束旋转寻边，可控性强、寻边精度有保障；同时，实现了采用一组旋转驱动件即可满足多组托片机构独立作业的功能，结构可靠、控制简单。
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公开(公告)号：CN118969681A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411420400.8
申请日：2024-10-12
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提出了晶圆多片degas系统及其控制方法，属于半导体制造技术领域，晶圆多片degas系统包括：大气degas设备、与大气degas设备连接的真空与大气中转机构、与真空与大气中转机构连接的真空degas设备，真空degas设备还与工艺平台连接。本发明中对晶圆进行degas处理时大部分时间在大气的情况下进行，因此大部分的杂气能够在大气的环境下去除，减小对工艺平台内的污染。大气degas设备采用可升降的移动板移动晶圆进出口，并在大气状态下通过可升降的机械手传输晶圆，避免存片机构的移动，节约腔体空间，增加存片实际数量。而晶圆进出口的气帘设计能够既能去除晶圆表面的灰尘，还能避免外部灰尘进入腔内。
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公开(公告)号：CN118957525A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411272267.6
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于磁控溅射领域，具体涉及一种定向溅射靶材及磁控溅射工艺，定向溅射靶材包括：基板材靠经衬底的一侧为正板，另一面为背板，在基板的正板开设有若干的凹槽；靶材位于凹槽内，且低于基板的表面1mm以上，背板连接每个凹槽内的靶材，用于对靶材的通电；靶材在使用时，气缸的设置可以控制靶材进行升降，调节靶材与表面的距离，进而调节金属原子的出射角，向四周扩散的靶材金属原子将会打在靶材凹槽的内壁面上，只有竖直向下或小角度向下的金属原子才能够从凹槽溅射出，减少金属原子堆积在衬底表面的微孔或沟槽顶部处，使得更多的金属原子能够沉积到沟槽的侧壁或底部，提高镀膜的台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN118422149B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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公开(公告)号：CN118866645A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411319945.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种层级式静电吸附刻蚀装置，包括工作室、载台、第一静电吸盘和第二静电吸盘，第一静电吸盘和第二静电吸盘设于工作室内、并处于载台上方，静电吸盘能够吸引杂质颗粒附着，从而保证腔内环境清洁、延长腔体维护保养周期、提高设备运行效率；第二静电吸盘上设有第一穿孔，杂质颗粒能够通过第一穿孔朝向第一静电吸盘运动；第一静电吸盘的吸引力大于第二静电吸盘的吸引力；在第一静电吸盘下方增设吸引力较小的第二静电吸盘，既不会影响载台对正离子的吸引、又能够很好地诱导飞溅角度小、飞溅高度低的杂质颗粒向上运动；使得杂质颗粒主要附着到第一静电吸盘上，能够让杂质颗粒远离刻蚀气体气源，从而避免气流扰动已经被吸附杂质颗粒。
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