公开(公告)号：CN102010677A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010275922.5

申请日：2010-09-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 林美希 ,  田中俊平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  井上刚一

IPC: C09J7/02 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜适合通过拉伸张力而断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜，用于将半导体芯片固着到被粘物上，至少具有胶粘剂层，其中，在热固化前室温下单位面积的断裂能为1J/mm2以下，并且断裂伸长率为40％以上且500％以下。

公开(公告)号：CN117799261B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410034620.0

申请日：2022-12-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  植野大树 ,  长束尚辉 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  福富秀平

IPC: B32B27/30 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B17/10 ,  B32B27/00 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/06 ,  B32B38/10 ,  B32B38/00 ,  B32B37/00 ,  B32B37/10 ,  B32B27/06

Abstract: 提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。

公开(公告)号：CN117799261A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202410034620.0

申请日：2022-12-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  植野大树 ,  长束尚辉 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  福富秀平

IPC: B32B27/30 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B17/10 ,  B32B27/00 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/06 ,  B32B38/10 ,  B32B38/00 ,  B32B37/00 ,  B32B37/10 ,  B32B27/06

Abstract: 提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。

公开(公告)号：CN116031351B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310112192.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井量子 ,  仲野武史 ,  福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15

公开(公告)号：CN116805646A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310290325.7

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长束尚辉 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  田中俊平 ,  植野大树

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供不易产生色偏且亮度较高的显示体。显示体(1)具备基板(2)、配置在基板上的多个光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)、以及将多个光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)密封的密封树脂层(4)。密封树脂层从光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)侧起依次包含着色层(41)和非着色层(42)。在通过光半导体元件(3a)的重心(GA)和与光半导体元件(3a)在同一像素(3)内相邻的光半导体元件(3b)的重心(GB)的、相对于基板表面而言的垂直面剖面中，着色层的位于光半导体元件(3a)的正面侧的部分的截面积(S1)小于着色层的位于光半导体元件(3a)与光半导体元件(3b)之间的部分的截面积(S2)。

公开(公告)号：CN116805642A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310287806.2

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  田中俊平 ,  长束尚辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供防止基板表面的反射的防反射性优异且亮度较高的显示体。显示体具备基板、配置在基板上的多个光半导体元件(3a～3c)及将多个光半导体元件密封的密封树脂层。密封树脂层包含着色层和非着色层，将通过光半导体元件(3a)的重心的相对于基板表面而言的垂线设为垂线(PA)，将通过光半导体元件(3a)的重心与同光半导体元件(3a)在同一像素内相邻的光半导体元件(3b)的重心之间的中点的、相对于基板表面而言的垂线设为垂线(PC)，垂线(PA)上的着色层的总厚度(HA)、垂线(PA)上的非着色层的总厚度(IA)、垂线(PC)上的着色层的总厚度(HC)和垂线(PC)上的非着色层的总厚度(IC)满足下述式子(1)，HA/HC＜IA/IC(1)。

公开(公告)号：CN116423948A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211664510.X

申请日：2022-12-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  植野大树 ,  长束尚辉 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  福富秀平

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B17/10 ,  B32B27/00 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/06 ,  B32B38/10 ,  B32B37/00 ,  B32B38/00 ,  B32B37/10 ,  B32B27/06 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

Abstract: 提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。

公开(公告)号：CN114958226A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210179145.7

申请日：2022-02-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  浅井量子 ,  飞永骏 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J133/08 ,  G02F1/13357

Abstract: 本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和辐射线固化性树脂层(31)。辐射线固化性树脂层(31)包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物。

公开(公告)号：CN113004817A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011446409.8

申请日：2020-12-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  田中俊平 ,  田村彰规

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，所述切割芯片接合薄膜的汉森溶解度参数距离Ra为3以上且14以下，所述汉森溶解度参数距离Ra是使用由三维坐标表示的前述粘合剂层的汉森溶解度参数(δdA、δpA、δhA)和由三维坐标表示的前述芯片接合层的汉森溶解度参数(δdD、δpD、δhD)而算出的。

公开(公告)号：CN110128958A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910107520.5

申请日：2019-02-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二 ,  田中俊平

IPC: C09J7/24

Abstract: 本发明提供一种可用于隐形切割的切割带，该切割带不会对利用照相机进行的激光照射位置检测以及形成良好的改性层造成阻碍。本发明的切割带具备基材和配置于该基材的一侧的粘合剂层，在以最大亮度的55％作为阈值将从基材侧利用激光显微镜观察得到的亮度256色阶的灰度图像二值化为白色部分和黑色部分时，白色部分的面积相对于图像面积为80％以上。