公开(公告)号：CN108780757A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为-1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN108292683A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680066525.2

申请日：2016-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。

公开(公告)号：CN105849796A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480069840.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN119678672A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380058212.2

申请日：2023-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一 ,  黑崎大辅

IPC: H10D84/83 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10D30/01 ,  H10D30/67 ,  H10D84/03 ,  H10D84/80 ,  H05B33/02 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种具有微型晶体管的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一至第三导电层、绝缘层、第一及第二半导体层。第一导电层上的第二导电层包括与第一导电层重叠的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层与第一半导体层的顶面接触。绝缘层与第二半导体层的顶面接触。第三导电层在开口内与第一及第二半导体层重叠。第二晶体管包括绝缘层、第三半导体层、第四至第六导电层。第四及第五导电层与第三半导体层的不同顶面接触。绝缘层在第四与第五导电层间与第三半导体层的顶面接触。第六导电层与绝缘层的顶面接触。第一及第二半导体层包含不同材料。第二及第三半导体层包含相同材料。

公开(公告)号：CN119586349A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380051385.1

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  肥冢纯一 ,  中田昌孝 ,  岛行德 ,  大野正胜 ,  土桥正佳

IPC: H10D30/67 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种兼具低功耗及高性能的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二晶体管。第一晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二导电层、第二导电层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第三导电层以及第一半导体层。第二导电层在与第一导电层重叠的区域中具有到达第一绝缘层的第一开口。第一绝缘层至第三绝缘层及第三导电层在与第一开口重叠的区域中具有到达第一导电层的第二开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二绝缘层的侧面、第三绝缘层的侧面以及第三导电层的顶面及侧面接触。第二晶体管包括第四导电层、第四导电层上的第一绝缘层至第三绝缘层及第三绝缘层上的第二半导体层。

公开(公告)号：CN118946975A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380030581.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  肥塚纯一 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/14 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种占有面积小的晶体管。提供一种沟道长度小的晶体管。半导体装置包括第一绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一电极、第二电极及第一导电层。第一绝缘层的侧面位于第一电极上。第二电极位于第一绝缘层上。半导体层与第一电极、第一绝缘层的侧面及第二电极接触。栅极绝缘层具有隔着半导体层与侧面对置的部分。栅电极具有隔着栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分。第一导电层与栅电极接触且具有隔着栅电极、栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分并具有比栅电极厚的部分。

公开(公告)号：CN111788664B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980014007.X

申请日：2019-02-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  岛行德

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H10K59/10 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置通过如下工序制造：形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；形成第一绝缘层的第二工序；在第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；通过对第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成第一导电层重叠于半导体层上的第一区域以及第一导电层不重叠与半导体层上的第二区域的第四工序；以及对导电层进行第一处理的第五工序。第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN117693782A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202280052018.9

申请日：2022-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 片山雅博 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  江口晋吾 ,  中村太纪 ,  楠纮慈

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一下部电极以及位于第一下部电极上的第一有机化合物层的第一发光器件；包括第二下部电极以及位于第二下部电极上的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件以及第二发光器件包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线包括第一布线层以及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时具有格子状。

公开(公告)号：CN117690933A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311665243.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN111052396B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201880056532.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  中田昌孝 ,  土桥正佳 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现高集成化的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一导电层以及第二导电层。第二半导体层位于第一半导体层上，第二导电层位于第二半导体层上，第二绝缘层以覆盖第二导电层的顶面和侧面的方式设置。第二导电层和第二绝缘层具有第一开口，第三半导体层被设置为接触于第二绝缘层的顶面、第一开口的侧面及第二半导体层的位置。第一绝缘层位于第一导电层与第三半导体层之间，第三绝缘层位于第一绝缘层与第一导电层之间，第四绝缘层以围绕第一导电层的方式设置。