传感器装置和用于制造传感器装置的方法

    公开(公告)号:CN113661384B

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202080028172.3

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明实现一种传感器装置(1),包括:衬底(2);在衬底上的至少一个电气绝缘层(30、31);边缘结构(RS),该边缘结构设置在该至少一个电气绝缘层(30、31)上且在衬底(2)之上限制内部区域(IB);隔膜(3),该隔膜锚定在边缘结构(RS)上且至少部分跨越内部区域(IB),其中隔膜(3)在内部区域(IB)中包括通过压力(p)可动的区域(BB);第一中间载体(ZT1),该第一中间载体在可动的区域(BB)中在隔膜(3)之下延伸且与隔膜(3)通过接触部位(KS)电气和机械连接且包括至少一个间隔元件(3a),该间隔元件由中间载体(ZT1)朝衬底(2)的方向延伸;以及在该至少一个电气绝缘层(30、31)上的第一对应电极(E1),其中该第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下延伸,且其中在中间载体(ZT1)与第一对应电极(E1)之间的第一间隔(d12)通过到可动的区域(BB)上的压力(p)是可改变的;且其中第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下包括至少一个电气隔离的区域(EB),该电气隔离的区域设置在间隔元件(3a)之下且具有间隔元件(3a)的至少一个横向扩展。

    用于探测壳体部件的气密地封闭的内部容积中的内部压力和/或内部压力的变化的传感器装置和方法

    公开(公告)号:CN116583727A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202180078927.5

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明涉及一种传感器装置,其具有:壳体部件(50),该壳体部件具有构造在其中的、气密地封闭的内部容积(52);至少一个电极结构(60),该电极结构能调整地和/或能弯曲地布置在内部容积(52)中;至少一个固定地布置在壳体部件(50)上和/或中的电极(62);和电子装置(64),该电子装置设计和/或编程用于将至少一个激励电压信号(Ua)施加在至少一个电极结构(60)和唯一对应电极(62)或者对应电极(62)中的至少一个之间,使得至少一个电极结构(60)相对于壳体部件(50)处于振动运动状态,电子装置(64)还设计和/或编程用于在考虑至少一个传感器信号(S)的情况下证明和/或确定在内部容积(52)中存在的内部压力(pi)和/或内部压力(pi)的变化,至少一个传感器信号取决于作用在至少一个电极结构(60)和唯一的对应电极(62)或对应电极(62)中的至少一个之间的电压或电容。

    用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法

    公开(公告)号:CN116438136A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202180070565.5

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法,具有以下步骤:在衬底(12)的衬底表面(12a)上由第一牺牲材料形成支撑结构(10),支撑结构具有第一牺牲材料层(14)、多个通过第一牺牲材料层(14)结构化的蚀刻孔(16)和多个伸入到衬底(12)中的支撑柱(18),将由支撑结构(10)跨越的至少一个空腔(22)蚀刻到衬底表面(12a)中,由至少一个半导体材料在支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上或上方形成膜片(30),将层堆叠(34)沉积,层堆叠(34)包括至少一个牺牲层(36a,36b)和至少一个对电极(38),通过至少部分地移除至少支撑结构(10)和至少一个牺牲层(36a,36b),释放膜片(30)。

    用于制造应力解耦的微机械压力传感器的方法

    公开(公告)号:CN109803917B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN201780063229.1

    申请日:2017-09-18

    Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械压力传感器(100)的方法,具有以下步骤:提供具有硅衬底(11)和构造在该硅衬底中的、在传感器膜片(12)下面的第一空腔(13)的MEMS晶片(10);提供第二晶片(30);使所述MEMS晶片(10)与所述第二晶片(30)键合;并且使传感器芯(12、13、13a)从背侧开始露出,其中,在传感器芯(12、13、13a)和所述硅衬底(11)的表面之间构造第二空腔(18),其中,借助蚀刻过程构造所述第二空腔(18),该蚀刻过程以限定改变的蚀刻参数实施。

    微机械传感器装置和用于制造微机械传感器装置的方法

    公开(公告)号:CN113227741A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201980085042.0

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器装置(1),包括衬底(2)和边缘层(3),所述边缘层布置在所述衬底(2)上并且在横向上包围在所述衬底(2)上面的内部区域(IB);至少一个膜片(4),所述膜片跨越所述内部区域(IB)并且构造在所述衬底(2)上面的被遮盖的腔(K);至少一个支撑部(5),所述支撑部在所述腔(K)内部布置在所述衬底(2)和所述膜片(4)之间并且所述膜片(4)固定在所述边缘层(3)和/或所述至少一个支撑部(5)上,其中,所述支撑部(5)将所述膜片(4)分隔成至少一个通过力作用(p)能运动的测量区域(MB)和至少一个通过所述力作用(p)不能运动的参考区域(RB),其中,所述衬底(2)和所述膜片(4)在所述腔(K)内部包括在所述测量区域(MB)和参考区域(RB)中的面向彼此的电极(E1;E2)。

    微机械压力传感器设备和相应的制造方法

    公开(公告)号:CN113227740A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201980085011.5

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 一种微机械压力传感器设备,所述微机械压力传感器设备具有:第一掺杂类型的半导体基础衬底,在所述半导体基础衬底上布置有所述第一掺杂类型的中间层;空腔,所述空腔包括所述半导体基础衬底的部分区域的凹槽和所述中间层的凹槽,其中,所述空腔由第二掺杂类型的密封层封闭并且包含参考压力,其中,所述密封层具有布置在所述空腔的上侧处的膜片区域;所述第二掺杂类型的第一栅格,所述第一栅格在所述空腔内悬挂在所述第二掺杂类型的掩埋连接区域处,其中,所述掩埋连接区域远离所述空腔侧向延伸到所述半导体基础衬底中;所述第二掺杂类型的第二栅格,所述第二栅格布置在所述膜片区域的指向所述空腔的一侧上并且悬挂在所述膜片区域处,其中,所述第一栅格和所述第二栅格彼此电绝缘并且形成电容C,其中,第一连接部经由所述掩埋连接区域与所述第一栅格电连接,并且第二连接部与所述第二栅格电连接,其中,外部压力与所述参考压力之间的压力变化能够通过所述第一连接部与所述第二连接部之间的电容变化来检测。一种相应的制造方法。

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