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公开(公告)号：CN116451135A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310384296.0
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F18/241 , G06N20/00 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于自动学习和集成学习的静电形成纳米线半导体VOCs识别方法，识别方法包括如下过程：获取第一数据集或第二数据集，其中，第一数据集包括待检测VOCs通过静电形成纳米线前后的背栅阈值电压偏移量、背栅亚阈值摆动偏移量和背栅源漏电流偏移量，所述第二数据集包括待检测VOCs通过静电形成纳米线前后的结栅极阈值电压偏移量、结栅亚阈值摆动偏移量和结栅源漏电流偏移量；利用已训练好的CatBoost模型、Stacking模型或Blending模型对第一数据集进行处理，得到待检测VOCs种类；或者，利用已训练好的CatBoost模型、Stacking模型或Blending模型对第二数据集进行处理，得到待检测VOCs的种类。
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公开(公告)号：CN113526452B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110694517.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MEMS温压复合式传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括外围压力测量单元和中心温度测量单元；压力测量单元由带凸起岛的碳化硅基底，背面刻蚀有圆形背腔形成压力敏感膜片，凸起岛和压力敏感膜片构成了膜岛结构，在凸起岛之外，压力敏感膜片之内，沿着压力敏感膜片根部圆周对称布置四个压阻条；温度测量单元包括基底凸起岛以及布置在其上的薄膜热电偶；当压力作用在芯片上时，压力测量单元通过半导体压阻效应及惠斯通电桥将压力转变成电信号输出，同时温度测量单元通过金属薄膜热电偶塞贝克效应将温度转换成热电势输出，以此完成高温下压力和温度的实时检测，具有耐高温、微型化、灵敏度高、稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN115752810A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211506399.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明公开了一种用于高温环境温压集成芯片测试的温度校准装置和方法，包括热电偶、固定装置和信号采集器；所述固定装置包括陶瓷板，所述陶瓷板上设置有限位凸台、第一焊盘和第二焊盘，所述限位凸台一端与热电偶的热电偶外壳端面相接触，所述限位凸台用于安装温压集成芯片，进行校准时，所述热电偶的热电偶温度探头和温压集成芯片相接触；所述温压集成芯片通过第一焊盘与第二焊盘连接，所述第二焊盘通过导线与信号采集器连接。该装置能在空气中耐受600℃及以上高温，并且可对600℃及以上高温环境进行温度校准，精准获取高温环境下温压集成芯片感压处的温度参数，实现对温度单元的温度校准以及对压力单元零压温度漂移的补偿。
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公开(公告)号：CN114383762B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210028939.3
申请日：2022-01-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于多梳齿阵列的MEMS电容式微力传感器及去耦合测试方法，传感器包括通过支撑梁固定在边框上的质量块，质量块、支撑梁悬空，质量块外侧布置运动限位结构；质量块前端设置有一个凸起的探针，质量块末端布置有动梳齿阵列组，与动梳齿阵列组配合构成差分梳齿电容阵列的定梳齿阵列组连接在边框上；质量块由x方向刚度高的支撑梁支撑，y方向为其工作敏感方向，动梳齿阵列组、定梳齿阵列组偏离质量块中心布置；去耦合测试时，将定梳齿阵列中具有相同间距/面积变化趋势的阵列进行电气连接，其与质量块上的动梳齿阵列接入到常规电容检测方法进行差分检测；同时驱动定梳齿阵列施加不同的交流电势调整传感器的检测量程；本发明用于亚nN‑μN量级微力的测量。
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公开(公告)号：CN115420390A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211049653.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种引线加固型探针式薄膜热电偶的封装结构，所述耐高温柱状陶瓷基底的上端为平面结构，耐高温柱状陶瓷基底的下端自耐高温金属螺纹套管的上端插入于耐高温金属螺纹套管内，耐高温绝缘陶瓷引线固定套管自耐高温金属螺纹套管的下端插入于耐高温金属螺纹套管内，且耐高温柱状陶瓷基底的下端插入于耐高温绝缘陶瓷引线固定套管的上端内，螺帽套接于耐高温金属螺纹套管的下端上；耐高温金属螺纹套管的外壁设置有外螺纹，耐高温柱状陶瓷基底的外壁上沿轴向分别设置有两个直槽，其中，一个直槽内设置有正极敏感薄膜，另一个直槽内设置有负极敏感薄膜，该结构能够满足高温流场环境下的温度测量，同时安装较为方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114323396B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN113374867B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110554109.X
申请日：2021-05-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: F16J15/32 , F16J15/3268 , F16J15/3284 , F16J15/10 , F16F15/08 , G01K1/14 , H01C1/012 , H01C1/08
Abstract: 本发明公开了一种掘进机及其能实现温度实时监测的主驱动轴端密封，主驱动轴端密封包括主驱动轴、动密封橡胶圈和温度传感器，动密封橡胶圈套设在主驱动轴上，主驱动轴在其与动密封橡胶圈的接触界面设有安装孔，温度传感器设置于安装孔内，温度传感器表面与动密封橡胶圈直接接触，安装孔内还设有用于支撑温度传感器并使得温度传感器与动密封橡胶圈保持接触的弹性结构，能够实现动密封橡胶圈与主驱动轴接触界面处温度的在线原位监测，提高测量精度。弹性结构能够对温度传感器进行弹性支承，能够降低温度传感器与动密封橡胶圈接触表面间的应力，能够降低对温度传感器的磨损和冲击，提高了温度传感器使用的使用寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN110526200B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201910683513.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纯轴向变形敏感梁的面外压阻式加速度计芯片及其制备方法，该芯片包括两个对称设置的质量块，两个质量块的外端面各自和芯片外框连接，内端面通过两组敏感梁连接；四个敏感梁组成惠斯通全桥电路；质量块用于直接感测面外加速度信号，当芯片受到Z方向的加速度时，两质量块同步运动，与其固定的敏感梁也保持同步运动，从而满足敏感梁的纯轴向形变。
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公开(公告)号：CN114813870A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210547108.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电化学葡萄糖传感器电极及其制备方法，以石墨烯纤维(GF)为基底，以Au和Ni(OH)2为无酶葡萄糖催化剂的葡萄糖传感器电极。制备时，采用水热法制备石墨烯纤维，采用电化学沉积的方法制备GF/Au/Ni(OH)2电极。本发明的葡萄糖传感器底层的石墨烯纤维优异的电导率能够保证电荷的快速转移和传输，外部的Au和Ni(OH)2表现出高催化活性和低生物毒性,还能起到协同催化的作用，使其具有优越的葡萄糖传感器性能。解决了现有技术中葡萄糖传感器导电率低，柔性差的问题。
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公开(公告)号：CN114499270A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111434166.0
申请日：2021-11-29
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开一种可批量化加工的振动能量收集摩擦纳米发电机结构，包括PCB底板以及设置在PCB底板上的若干发电单元，每个发电单元中，下框架设置于PCB底板上，底电极层设置于PCB底板上并位于下框架内侧；介电层设置于底电极层上并填充于下框架内；可动金属层的固定部和可动部连接，固定部的下侧面与下框架的上侧面连接，上框架的下侧面与固定部的上侧面连接，质量块设置于可动部上且位于上框架内，上盖板封装于上框架的上侧面；电源管理PCB设置于PCB底板上并位于下框架的外侧，底电极层和可动金属层均具有引出电极，底电极层和可动金属层的引出电极与电源管理PCB连接。本发明将大力推进振动能量收集摩擦纳米发电机器件的标准化、工业化和实用化。
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