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公开(公告)号：CN1254855C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN02106772.4
申请日：2002-03-07
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 朴在勤
IPC分类号： H01L21/324 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10S117/911 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088 , Y10T428/12458 , Y10T428/12528 , Y10T428/21
摘要： 本发明公开了一种具有受控缺陷分布的硅晶片，其中具有从晶片表面向内的足够深度的脊区与晶片体区内的高吸除效应结合。硅晶片中充当内部吸除位置的氧淀析具有垂直分布。从晶片顶面到底面的氧淀析浓度分布包括在距晶片顶面和底面第一和第二预定深度处的第一和第二峰、晶片的顶和底面与第一和第二峰中的每一个之间的脊区，以及第一和第二峰之间的凹陷区，该凹陷区对应晶片体区。其中凹陷区内的最低氧淀析浓度至少比第一和第二峰处的最高氧淀析浓度小一个数量级。为得到这种氧淀析浓度分布，晶片在包括氨和氩的气体混合物气氛中在低于约1200℃的温度经历快速热退火工艺，使得晶片器件区内滑移位错减少，且快速热退火加热室上的二氧化硅减少。
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公开(公告)号：CN1253610C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN98805271.7
申请日：1998-04-09
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度V，(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0；以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延，从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三，沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。
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公开(公告)号：CN1227395C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
申请人： 信越半导体株式会社
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
摘要： 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。
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公开(公告)号：CN1508299A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310123311.9
申请日：2003-12-18
申请人： 瓦克硅电子股份公司
发明人： 马丁·韦伯 , 维尔弗里德·冯·阿蒙 , 赫伯特·施密特 , 亚尼斯·维尔布里斯 , 尤里·格尔夫加特 , 列昂尼德·戈尔布诺夫
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10S117/917 , Y10T117/1068
摘要： 本发明涉及一种单晶，其超过总锭长度10％的锭长度具有均匀缺陷图及狭窄的径向掺杂剂及氧变化，以及一种用以制造该硅晶片的方法。该依照Czochralski法的方法包括，于固化界面区域内的熔化物中形成偏离转动对称的温度分布。
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公开(公告)号：CN1489643A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804207.7
申请日：2002-01-02
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T428/21
摘要： 一种单晶硅晶片，它包括一个前表面、一个后表面、一个连接前表面和后表面的侧表面、一个垂直于前表面和后表面的中心轴及一个晶段，上述晶段围绕中心轴轴向对称，并且基本上是从前表面延伸到后表面，其中晶格空位是主要的本征点缺陷，所述晶段具有至少约为半径的25％的径向宽度，并含有附聚的空位缺陷和残留的晶格空位浓度，其中(i)附聚的空位缺陷具有一小于约70nm的半径和(ii)残留的晶格空位本征点缺陷浓度低于当晶片经受氧析出热处理时产生无控制的氧析出的阈值浓度。
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公开(公告)号：CN1405841A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02143180.9
申请日：2002-09-16
申请人： 瓦克硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/206 , C30B33/00
摘要： 本发明提供一种空洞型结晶无瑕疵区达到更深处及制造时间缩短的硅半导体衬底及其制造方法。所述的衬底是一种由佐奇拉斯基法或施加磁场佐奇拉斯基法(Czochralski)所生长的硅单晶体制得的，该硅半导体衬底是(1)利用一满足关系式0.2≥V/S/R的硅半导体衬底，其中V代表空洞型缺陷的体积，S代表其表面积，R代表假设具有与具有体积V的空洞型缺陷同样体积的球状缺陷的半径，及(2)在1150℃上将该衬底加以热处理而制得。
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公开(公告)号：CN1307653A
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN99806946.9
申请日：1999-10-13
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T117/1004
摘要： 本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底,该衬底含有一个以硅自－填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区;还包含一层外延层,该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自－填隙原子缺陷而形成的生长缺陷。
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公开(公告)号：CN1261928A
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN98806904.0
申请日：1998-04-09
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括在自－填隙原子很活跃的温度范围内控制生长条件,如生长速度V、瞬时轴向温度梯度GO以及冷却速度,以避免这类聚集缺陷的形成。在晶棒形式下,从晶棒的圆周边径向朝中心轴测得的轴对称区宽度至少约为晶棒半径长度的30%,沿中心轴测得的轴对称区长度至少约为晶棒恒定直径段长度的20%。
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公开(公告)号：CN108495956A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201680079742.5
申请日：2016-12-14
申请人： 法国原子能及替代能源委员会
发明人： 乔迪·韦尔曼 , 迈克尔·阿尔巴里克 , 塞巴斯蒂安·杜波伊斯 , 杰基·斯塔德勒 , 马蒂厄·托马西尼
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206
摘要： 本发明涉及一种用于制造由半导体材料制成的晶锭的方法，该方法包括以下步骤：在特定的拉伸条件下从含氧的第一熔融炉料中结晶第一晶锭，称为参考晶锭；测量沿参考晶锭分布的各个区域中的填隙氧浓度；在参考晶锭的各个区域中测量在参考晶锭的结晶过程中形成的热施主的浓度；根据填隙氧浓度和热施主浓度的测量结果确定在结晶过程中由参考晶锭的各个区域经历的用于形成热施主的退火工艺的实际持续时间；计算待获得的热施主浓度值，使得第二晶锭在结晶后具有根据目标分布的轴向电阻率；根据热施主浓度值和用于形成热施主的退火工艺的实际持续时间确定对应于目标轴电阻率分布的填隙氧浓度的轴向分布；在所述特定的拉伸条件下从含氧的第二熔融炉料中结晶第二晶锭，在整个结晶过程中调节第二熔融炉料的氧浓度，以便在第二晶锭中获得填隙氧浓度的轴向分布。
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公开(公告)号：CN105189834B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201480013120.3
申请日：2014-08-06
申请人： LG矽得荣株式会社
CPC分类号： C30B15/206 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1032
摘要： 本发明涉及一种利用晶种由容纳在坩埚中的硅熔体生长铸锭的装置。该装置包括：腔室，该腔室包括容放该坩埚的下部和生长的铸锭穿过的上部；以及冷却速率控制单元，该冷却速率控制单元设置在该腔室的上部以延伸到该腔室的下部，并且具有生长的铸锭穿过的孔，其中，该冷却速率控制单元包括用于保持铸锭温暖的绝热部件、设置在该绝热部件上方以冷却铸锭的冷却部件，以及设置在该绝热部件和该冷却部件之间以防止该冷却部件和该绝热部件之间热交换的阻挡部件。
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