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公开(公告)号:CN100426451C
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200510005604.6
申请日:2005-01-21
CPC分类号: H01L21/67132 , H01L21/67144 , Y10S156/941 , Y10S438/976 , Y10T156/1137 , Y10T156/1179 , Y10T156/19
摘要: 一种剥离装置(11)包括:一个吸附器(15),该吸附器设置有一个吸附表面(20A),该吸附表面能够对晶片(W)进行吸附并将其保持到合适位置上;一个剥离机构(17),该剥离机构可将粘在晶片(W)上的薄片材料夹住并通过相对吸附器(15)的相对移动将保护薄片(H)从晶片(W)上剥离下来。该吸附器(15)和所述剥离机构(17)被设置成能够在交替执行剥离操作和反剥离操作的过程中通过相对移动将薄片材料(H)间断性地从晶片(W)上剥离下来的结构形式。
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公开(公告)号:CN100375288C
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN02104596.8
申请日:2002-02-09
申请人: 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号: H01L51/524 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/0003 , H01L51/5056 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S438/976
摘要: 提供一种高质量的发光器件,其具有长耐久的发光元件,该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题,并提供制造发光器件的方法。形成堤之后,用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面,以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者,在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理,用于表面修正。
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公开(公告)号:CN100368498C
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN02119984.1
申请日:2002-05-17
申请人: 琳得科株式会社
IPC分类号: C09J7/02
CPC分类号: H01L21/6836 , C08K5/5397 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L2221/68327 , Y10S438/976 , Y10S438/977 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852
摘要: 本文公开了一种用于在半导体晶片真空加工过程中固定半导体晶片的压敏粘合片,其包括基片和叠加在基片一侧或两侧的紫外光可固化的压敏粘合剂组合物层,该组合物层包含具有作为侧链的紫外光可聚合基团的紫外光可固化的共聚物和磷光聚合引发剂。本发明提供了一种用于半导体晶片加工的压敏粘合片,即使半导体晶片是在真空进行加工的,也不会从压敏粘合片产生气体,从而避免了因蒸发的气体成分导致的晶片变形和由此产生的粘合剂转移。
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公开(公告)号:CN100343970C
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200380110105.2
申请日:2003-12-22
申请人: 日东电工株式会社
发明人: 山本雅之
IPC分类号: H01L21/68 , H01L21/304 , C09J5/00
CPC分类号: H01L21/6835 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68395 , Y10S438/976
摘要: 在根据本发明的保护带贴附和分离方法中,由带子贴附机构将保护带贴附到吸盘台所抽吸支承的晶片的表面上,并由切割器单元将保护带切割成晶片的形状。接着,将粘结力比第一保护带弱的保护带贴附到该保护带上。在晶片的磨薄加工之后,由一带子分离设备(15)来首先从上层起逐层地分离形成叠层的保护带。
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公开(公告)号:CN1296988C
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN03810113.0
申请日:2003-07-09
申请人: 赋权新加坡私人有限公司
发明人: 罗伯特·卡罗尔·鲁尼恩 , 何京臻
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/02 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , Y10S438/976 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要: 本发明教示一种在芯片上具有超洁净接合焊垫的被切割开的晶片,其增强了引线接合的强度,并导致了封装半导体芯片的较高的成品率和提高的可靠性。准备用于切片的洁净晶片涂覆有可去除的绝缘水溶性非电离薄膜,该薄膜增强了切口的洁净度并减少了堆积。通过加热来硬化保护膜,并且其可抵抗被用在划片机中的冷却水去除。然而,切片后在晶片洗净器中利用高压温热的去离子水(D.I.水)可将保护膜去除。去除保护膜后该电极焊垫实质上与切片之前一样洁净。该薄膜可在切割开的晶片准备使用之前一直用作保护层。
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公开(公告)号:CN1787169A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510129477.0
申请日:2005-12-09
申请人: 日东电工株式会社
CPC分类号: H01L21/6836 , B29C63/0013 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/11 , C09J2205/302 , H01L2221/68327 , H01L2924/19041 , Y10S438/976 , Y10T156/1147 , Y10T156/1153 , Y10T156/1911
摘要: 一种热粘附体剥离方法,其中将粘附到具有含发泡剂的可热膨胀层的可热剥离压敏粘结剂片材的粘附体的一部分通过部分加热该可热剥离压敏粘结剂片材选择性地自压敏粘结剂片材剥离,其中该方法包括在可热剥离压敏粘结剂片材的可热膨胀层不膨胀的温度下预先加热要剥离的粘附体的粘着点,然后在可热膨胀层膨胀的温度下加热粘附体在可热剥离压敏粘结剂片材中的粘附点,由此选择性地剥离该粘附体。
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公开(公告)号:CN1669119A
公开(公告)日:2005-09-14
申请号:CN03816665.8
申请日:2003-07-09
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: H01L21/67132 , H01L21/6838 , Y10S438/976 , Y10T156/1132 , Y10T156/1944
摘要: 在拾取附着在粘着片5上的薄型芯片6的操作的粘着片剥落工艺中,将粘着表面22a上设有多个吸引凹槽22b的吸引剥落工具22紧贴粘着片5的下表面,然后,真空抽取吸引凹槽22b内的空气,以使粘着片5与芯片6一起弯曲和变形,借此,因弯曲变形而使片5从半导体芯片6的下表面上剥落。因此,能够实现高生产率的拾取操作而不会引起如破裂或裂缝之类的问题。
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公开(公告)号:CN1532900A
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN200410029644.X
申请日:2004-03-26
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , Y10S156/941 , Y10S438/976 , Y10T156/1052 , Y10T156/1179 , Y10T156/12 , Y10T156/19
摘要: 本发明提供一种减少半导体芯片断裂、崩屑等不良,制造高品质半导体器件,并且抑制制造成品率低下的具有粘着性带剥离机构的半导体制造设备和半导体器件的制造方法。具备剥离机构,该剥离机构被保持台3支撑,用在粘着性带24的剥离方向至少分为至少2个吸附区的多孔质材料吸附固定粘着性带的所述半导体晶片一侧,剥离粘贴在分成小片后的半导体晶片上的粘着性带24。对半导体晶片的每个半导体芯片1的背面粘贴粘合剂层。通过所述多孔质材料吸附固定半导体晶片,控制2系统以上的真空配管系统,在剥离前后一边转换二等分以上的吸附组和真空系统一边剥离粘着性带,从台上剥离一个个半导体芯片。能够制成叠层半导体芯片的叠式MCP制品。
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公开(公告)号:CN1518738A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN02812514.2
申请日:2002-04-22
申请人: 新科实业有限公司
IPC分类号: G11B5/50
CPC分类号: G11B5/4853 , G11B5/50 , Y10S438/976 , Y10T29/49023 , Y10T29/49025 , Y10T29/49027 , Y10T29/4903 , Y10T29/49144 , Y10T29/53165 , Y10T29/53174 , Y10T83/0457 , Y10T83/0538 , Y10T83/2079 , Y10T156/1082 , Y10T156/11
摘要: 公开了一种系统和方法,用于在将微执行器如有缺陷的微执行器从驱动臂悬架上拆除后,将替换的微执行器连接到悬架上。
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公开(公告)号:CN102308377B
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN200980118482.8
申请日:2009-09-08
申请人: 株式会社新川
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/52 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/67132 , H01L21/67126 , Y10S438/976 , Y10T156/1132 , Y10T156/1944
摘要: 在半导体芯片拾取装置中,在用吸附筒夹(18)吸附拾取的半导体芯片(15)状态下,使得盖(23)的前端(23a)从密接面(22)进入,一边上推保持片材(12)及半导体芯片(15),一边使得盖(23)滑动后,使得盖(23)表面与密接面大致平行,后端(23c)侧从密接面进入,一边用盖(23)表面上推保持片材(12)及半导体芯片(15),一边使得盖(23)滑动,顺序打开吸引开口,将保持片材(12)顺序吸引到已打开的吸引开口,顺序剥离保持片材(12)。由此,很容易拾取半导体芯片。
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