公开(公告)号：CN107923038B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201680048587.0

申请日：2016-08-23

申请人： 田中贵金属工业株式会社

发明人： 原田了辅 ,  重富利幸 ,  石坂翼 ,  青山达贵

IPC分类号： C23C16/16 ,  C07F15/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

摘要： 本发明涉及一种由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料，其用于通过化学蒸镀法制造钌薄膜或钌化合物薄膜，其中，该双核钌配合物由下式(1)表示，其是通过羰基及含氮的有机配位体(L)配位于金属键结的2个钌而成的。根据本发明的原料可以制造高纯度的钌薄膜，且熔点较低，并兼具适度的热稳定性。因此，适合应用于各种设备的电极等。

公开(公告)号：CN110551989A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910951469.6

申请日：2016-04-18

申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司

发明人： C·M·伯特彻 ,  T·A·斯泰德尔 ,  S·V·伊万诺夫

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： 本文公开了一种容器，其用于利用载气从包含在所述容器内的前体材料输送含有前体的流体流。所述容器限定分段为上空间和下空间的内部空间，所述上空间与所述下空间流体连通，所述下空间包含基本上所有所述前体材料并通过分隔体与所述上空间分隔开。所述容器包括从入口端口延伸通过所述分隔体、具有远端并且沿所述容器的底部内壁延伸的扩散管，所述远端具有多个形成于其中的开口。

公开(公告)号：CN108620577A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810320943.0

申请日：2018-04-11

申请人： 浙江师范大学

发明人： 童国秀 ,  刘琳 ,  胡潘冰 ,  乔儒 ,  孙嘉诚 ,  宫培军 ,  何茹佳 ,  陈锦绣 ,  吴文华

IPC分类号： B22F1/02 ,  C23C16/16

摘要： 本发明是一种等离子共振电磁增强双金属-介质异质材料及其制备与应用。采用化学气相沉积法在纤维状或花状Co粒子表面生长Fe/C纳米晶，形成具有草莓状表面的Co/Fe/C双金属-介质异质材料。Co/C和Fe/C金属-介质界面分别为传播型和局域表面等离子体激元。在外加电磁场作用下，钴和铁内自由电子做集体的共振振荡，产生等离子共振效应。同时在Co/C和Fe/C金属-介质界面处的产生强的局域电磁场增强效应。使Co/Fe/C双金属-介质异质材料显现优异的轻质宽频带吸收特性。本发明材料的设计思路新颖，电磁参数增强显著，所得的异质材料将在屏蔽、微波吸收、磁传感器、检测、生物分离或医学成像等领域具有广阔的应用前景；本发明方法形成机理新颖、过程简单、组成易于控制。

公开(公告)号：CN106458637B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201580029464.8

申请日：2015-06-02

申请人： 田中贵金属工业株式会社

发明人： 中川裕文 ,  石坂翼 ,  石田博文 ,  熊仓亚希子

IPC分类号： C07F15/00 ,  C23C16/16

CPC分类号： C01G55/008 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/80 ,  C07F15/00 ,  C23C16/16

摘要： 本发明的目的在于提供用以得到十二羰基三钌(DCR)的纯化方法，该DCR为化学沉积原料用的DCR，并且即使在形成钌薄膜时也不会在薄膜中混入杂质。本发明涉及通过重结晶法纯化由DCR构成的化学沉积原料用的有机钌化合物的方法，其中至少在溶解阶段中，溶剂中的溶解氧浓度为0.2mg/L以下。根据本发明，可从DCR中分离出微量的杂质，如果通过由此得到的DCR来形成钌薄膜，则难以在形成的膜中混入杂质。另外，本发明的纯化方法也可在用于形成钌薄膜后，应用于DCR的回收纯化。

公开(公告)号：CN105463400A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510848713.8

申请日：2015-11-30

申请人： 金川集团股份有限公司

发明人： 杨志强 ,  王芳镇 ,  肖冬明 ,  禹松涛 ,  李登瑞 ,  冀文利 ,  王大窝 ,  陈旭军 ,  白玉婷 ,  陈菊华 ,  宋晓红

IPC分类号： C23C16/16

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积法制备镍带材的方法，使用热解炉对带状镍基材进行加热，将液态羰基镍经汽化器汽化，气态羰基镍与CO气体混合后通入热解炉中，气态羰基镍在带状镍基材表面生成镍和CO气体，镍沉积在带状镍基材表面，即得到镍带材。本发明的化学气相沉积法制备镍带材的方法，具有工艺周期短的优点，操作简单，且能耗低。

公开(公告)号：CN104662196A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380034204.0

申请日：2013-05-23

申请人： 舍弗勒技术有限两合公司

发明人： 安德烈亚斯·施奈德 ,  亚沙尔·穆萨耶夫 ,  蒂姆·马蒂亚斯·赫泽费尔德

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/513 ,  C23C28/322 ,  C23C28/343 ,  C23C28/347 ,  Y10T428/12625

摘要： 本发明涉及一种制造在摩擦学上受负荷的层复合物的方法，该层复合物带有基材以及由含钨的、无定形的类金刚石碳所形成的功能层。为了能够简单地制造这种功能层，在使用等离子增强化学气相沉积法的情况下借助含钨的前体施布该功能层。此外，本发明还涉及一种带有借助前体制造的功能层的层复合物，并涉及金属有机化合物作为用于制造功能层的前体的用途。

公开(公告)号：CN103146935B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201310082824.3

申请日：2013-03-15

申请人： 金川集团股份有限公司

发明人： 王芳镇 ,  肖冬明 ,  禹松涛 ,  江龙 ,  甘振君 ,  李朝平 ,  许文 ,  唐瑾 ,  王传普

IPC分类号： C23C16/16

摘要： 本发明公开一种气相化学沉积法制备镍棒的热解炉，包括炉体、炉体冷却系统、镍管、进气口、尾气出口和油加热系统，炉体壁设有炉体冷却系统，进气口设置在炉体底部中间，油加热系统的导热油进口和导热油出口沿进气口对称设置，尾气出口设置于炉体底部侧边，镍管连通导热油进口和导热油出口，镍管中部位于进气口正上方，炉体冷却系统为水冷系统，额定工作温度为50~60℃，油加热系统工作温度为150℃～350℃，羰基镍气体和CO气体按1：1-4的比例混合后通入热解炉生产直径800mm-1200mm的镍棒，热解炉结构简单、投资少、本发明生产效率高，羰基镍加热后分解得到金属镍和CO，相对于传统的电解镍生产具有工艺流程短、自动化程度高、污染小、冶炼过程金属损失少等优点。

公开(公告)号：CN103952679A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410151231.2

申请日：2014-04-15

申请人： 太仓派欧技术咨询服务有限公司

发明人： 陈照峰 ,  聂丽丽

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/448

摘要： 本发明公开了一种MOCVD纳米镍涂层及其制备装置，其特征在于集羰基镍的制备、裂解和处理于一体，以镍粉和CO反应生成的Ni(CO)4为前驱体，制备的镍涂层有等轴晶，涂层厚度为1～10nm的原子厚度。反应中，CO既作为羰基镍蒸汽的载体又作为生成羰基镍的反应物和羰基镍裂解的产物。其中，有一管道将Ni(CO)4裂解沉积镍涂层的装置与盛有醇溶液的闭口容器相联，该管道一端伸长到裂解装置顶部，另一端接入装有盛有醇溶液中，且在醇溶液上部有管道将剩余气体循环接入羰基镍生成装置。该系统采用有效的装置对实验有毒气体进行控制和处理，保障了实验环境和操作人员的安全，整体操作简单，CO循环利用，污染小、效率高、降低成本。

公开(公告)号：CN102828166B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201210307094.8

申请日：2012-08-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 汪雯 ,  刘国全 ,  李建敏 ,  郑杰 ,  滕飞

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/48 ,  C23C16/16

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/047

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积维修设备，属于机械领域，为解决现有技术中，气体喷射装置与基板之间的距离过近而造成的基板划伤的问题而设计。一种化学气相沉积维修设备，包括：气体喷射装置，其包括：气体窗口，与储气模块层叠设置，用于透过气孔喷出金属化合物；储气模块，用于向基板喷出辅助气体，其中，其出气口位于气体喷射装置下表面；通光孔，贯通设置在气体喷射装置中，用于透过激光；气孔，设置在透镜下方的通光孔的内壁上；透镜，设置在通光孔内，靠近通光孔底部；压敏传感器，设置在气体喷射装置的下表面，用于确定基板与所述气体喷射装置之间的距离；控制器，所述控制器与所述压敏传感器连接，用于控制所述储气模块的辅助气体喷出量。

公开(公告)号：CN102076882B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980124332.8

申请日：2009-04-23

申请人： ASM国际公司

发明人： V·鲍尔 ,  T·哈坦帕 ,  M·瑞塔拉 ,  M·来斯科拉

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/06 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

CPC分类号： C07F11/005 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y02P20/582

摘要： 提供了形成含Te薄膜的原子层沉积(ALD)方法，所述含Te薄膜如Sb-Te、Ge-Te、Ge-Sb-Te、Bi-Te和Zn-Te薄膜。也提供了形成含Se薄膜的ALD法，所述含Se薄膜如Sb-Se、Ge-Se、Ge-Sb-Se、Bi-Se和Zn-Se薄膜。优选使用式(Te，Se)(SiR1R2R3)2的Te和Se前体，其中R1、R2和R3是烷基基团。也提供了合成这些Te和Se前体的方法。也提供了在相变存储器设备中应用Te和Se薄膜的方法。