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公开(公告)号：CN111933507A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010833434.5
申请日：2020-08-18
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 张力夫
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/02 , H01J27/26 , H01J37/08
摘要： 本发明提供了一种具有双灯丝的离子源结构及其控制方法，所述离子源结构包括：解离腔室、第一容纳腔、第二容纳腔、第一灯丝、第二灯丝；所述第一容纳腔和所述第二容纳腔设置在所述解离腔室的两侧；所述第一灯丝位于所述第一容纳腔内，所述第二灯丝位于所述第二容纳腔内；在具有双灯丝的情况下，通过改变外部接线方式，可以使其中一个灯丝处于燃烧状态时，另一个灯丝处于不燃烧状态，也就是说，当其中一个灯丝断裂时，可使另一个灯丝处于燃烧状态，进而可以延长离子源结构的更换周期，提升离子源结构的使用性能。
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公开(公告)号：CN105895477B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201610078272.2
申请日：2016-02-04
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26
摘要： 本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的冷却性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源具备气体导入室、等离子体生成室、线圈、外壳和绝缘性液体。气体导入室导入原料气体。由电介质材料形成的等离子体生成室连接于气体导入室。线圈沿着等离子体生成室的外周卷绕，并且，被施加高频功率。外壳包围气体导入室、等离子体生成室和线圈。绝缘性液体被填充在气体导入室和等离子体生成室与外壳之间来浸渍线圈。绝缘性液体具有与外壳的绝缘耐压相比相对大的绝缘耐压和与等离子体生成室相同程度的介质损耗角正切。
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公开(公告)号：CN107749388B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710946904.7
申请日：2017-10-12
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明公开了可实现电子束碰撞电离和表面电离的离子源结构，属于加速器技术领域，其包括有靶、阴极、阳极、放电室、励磁线圈以及引出电极，其中所述靶、阴极、阳极和引出电极依次水平放置，所述放电室设置在所述阴极和阳极之间，所述励磁线圈布置在所述放电室外围，所述靶、阴极和阳极处于高温工作环境中；该离子源采用一台离子源可实现电子束碰撞电离和表面电离两种电离模式的切换，从而保证离子源对多种核素均具有较高的电离效率，该离子源的效果非常的明显，即减少了离子源研发的费用和放射性废物的产生，又可大幅度的减少离子源的更换频次，提高加速器的运行效率，一台离子源实现了两台离子源的功能。
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公开(公告)号：CN107924795A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082518.7
申请日：2015-08-20
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26
摘要： 本发明的离子束装置不会损耗发射极电极而清洗腔室内部，从而抑制离子释放电流的变动。离子束装置包含GFIS(1)，该GFIS(1)具有：有针状前端的发射极电极(21)；在发射极电极前端方向与该发射极电极间隔的位置处有开口的引出电极(23)；以及内含发射极电极的腔室(10)。GFIS(1)具有：在对发射极电极施加了离子束产生电压以上的电压的状态下，向腔室导入离子化用气体的离子化用气体导入路径(30)；以及在对发射极电极施加了低于离子束产生电压的电压的状态或者未施加电压的状态中的任一状态下，向腔室导入清洗用气体的清洗用气体导入路径(60)；导入了清洗用气体的状态下的腔室的压力高于导入离子化用气体时的腔室的压力。
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公开(公告)号：CN105895477A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610078272.2
申请日：2016-02-04
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26
摘要： 本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的冷却性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源具备气体导入室、等离子体生成室、线圈、外壳和绝缘性液体。气体导入室导入原料气体。由电介质材料形成的等离子体生成室连接于气体导入室。线圈沿着等离子体生成室的外周卷绕，并且，被施加高频功率。外壳包围气体导入室、等离子体生成室和线圈。绝缘性液体被填充在气体导入室和等离子体生成室与外壳之间来浸渍线圈。绝缘性液体具有与外壳的绝缘耐压相比相对大的绝缘耐压和与等离子体生成室相同程度的介质损耗角正切。
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公开(公告)号：CN103733296B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280040502.6
申请日：2012-05-28
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J37/28 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/28 , H01J2237/0807 , H01J2237/18 , H01J2237/31749
摘要： 在现有的气体离子化室中，存在为了避免辉光放电，只使气压下降，无法通过提高气体导入压力，增大离子电流之类的课题。本发明的目的在于通过提高气体导入压力，增大离子电流，并且防止由离子化引起的离子束散乱。通过从GND电位的结构体供给气体，不在气压更高的离子化气体的导入口附近施加高电压。另外，通过从构成加速集束透镜的透镜电极的透镜开口部进行差压排气，优先减少位于离子束通过的区域的离子化气体。
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公开(公告)号：CN103748653A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280039776.3
申请日：2012-06-20
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/26 , H01J9/50 , H01J37/08 , H01J49/16 , H01J2237/0807 , Y02W30/828
摘要： 本发明提供一种即使反复顶点部分的再生处理，引出电压的变化也微小的离子源发射器。在与本发明有关的发射器中，顶端为以单原子为顶点的三角锥形形状，并且从顶点侧观察顶端的形状为近似六角形。
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公开(公告)号：CN101361159B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200680051591.9
申请日：2006-11-15
申请人： 阿利斯公司
发明人： 比利·W·沃德 , 约翰·A·诺特四世 , 路易斯·S·法卡斯三世 , 兰德尔·G·珀西瓦尔 , 雷蒙德·希尔 , 克劳斯·埃丁格 , 拉斯·马克沃特 , 德克·阿德霍尔德 , 乌尔里克·曼茨
IPC分类号： H01J37/28 , H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/252 , H01J37/305 , H01J37/317 , B81B1/00 , G01N23/225 , G12B21/02 , H01J27/26
摘要： 本发明一种使用气体场离子源的方法，所述方法包括：通过将气体与气体场离子源相互作用而产生离子束；所述离子束与半导体物品相互作用以便引起粒子离开所述半导体物品，所述半导体物品具有包括第一和第二层的多个叠层；探测所述粒子以提供图像，在图像中所述第一层中的特征与第二层中的特征叠加；以及根据所述图像编辑所述半导体物品。
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公开(公告)号：CN101401185B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780008535.1
申请日：2007-01-15
申请人： 威科仪器有限公司
发明人： 戴维·M·伯特内尔 , 斯科特·A·汤森 , 丹尼尔·E·西格弗里德
CPC分类号： H01J27/14
摘要： 一种具有可拆卸的阳极组件(1550)的离子源(1500)，该阳极组件可与底部组件(1552)分开，以允许容易地维修阳极组件(1550)的消耗构件。这些消耗件易于拆卸及替换并可以包括气体分配器(1510)、热控制板(1508)、阳极(1512)、以及介于其他构件(1516、1518、1520)之间的一个或多个传热片(1516、1518、1520)。磁极片(1514)及阴极(1540)也可以是阳极组件(1550)的一部分。阳极组件(1550)可以通过磁极片(1514)连接至底部组件(1552)。热控制板(1508)可以具有用于使工作气体从热控制板(1508)的一侧流向另一侧的的口(1598)。热控制板(1508)上的接合表面(1521)可以具有凹口图案，以允许工作气体散布到气体分配器(1510)下面。气体分配器(1510)可以通过多个固定螺钉(1542)安装至阳极组件(1550)中的热控制板(1508)。气体分配器(1510)可以是在一表面中具有沉孔(1548)的圆盘状，以使固定螺钉(1542)的螺母(1544)凹入。可替代地，气体分配器(1510)可以通过离子源(1500)的其他结构或构件夹紧或保持在适当位置。阳极组件(1550)内的消耗构件之间可以插入有传热片(1516、1518、1520)。传热片(1516、1518、1520)可以是导热的且是电绝缘的或导电的。
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