-
公开(公告)号：CN110850208A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911119872.9
申请日：2019-11-15
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于SiC MOSFET频率特性的叠层母排杂散参数提取方法，该方法首先搭建SiC MOSFET双脉冲测试平台，将叠层母排的待测区段外接于测试平台；在SiC MOSFET的两端并联多组额外电容，利用并联额外电容前后SiC MOSFET关断电压波形中震荡的频率信息，得到多组等效电路模型的谐振角频率，进而计算得到叠层母排的杂散电感和寄生电容，实现叠层母排的杂散参数的提取。本发明利用SiC MOSFET的高开关速度特性，以激发明显的关断电压震荡，相比于传统的间接测量法，减少了人为因素带来的测量偏差；此外，本发明能够测量叠层母排中任意区段的杂散电感与寄生电容，测量具有更高的灵活性与全面性。
-
公开(公告)号：CN110780108A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911175147.3
申请日：2019-11-26
申请人： 广东晟合技术有限公司
发明人： 黄金星
IPC分类号： G01R19/04 , G01R19/165 , G01R31/26 , G01R31/27
摘要： 本发明涉及一种峰值检测单元及检测系统及检测方法，用于检测待测芯片中ESD二极管是否损坏。峰值检测单元包括的第一运算放大器A1的正输入端与输入端口P1电连接，第一运算放大器A1的负输入端与VSS端口P5电连接，第一运算放大器A1的输出端与引脚连接端口P3电连接；第二运算放大器A2的正输入端通过所述充放电电容C接地，该第二运算放大器A2的正输入端还与VDD端口P4电连接；第二运算放大器A2的负输入端以及第二运算放大器A2的输出端均与输出端口P2电连接，电阻R的一端与VSS端口P5电连接，电阻R另一端与输出端口P2电连接。本发明可以快速判断该测试引脚连接的两个二极管是否正常，有效减少检测时间。
-
公开(公告)号：CN110133472A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/265 , G01R31/27
摘要： 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
-
公开(公告)号：CN110007206A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910285748.3
申请日：2019-04-10
申请人： 嘉兴腓特烈太赫科技有限公司
发明人： 胡海涛
摘要： 本发明公开了一种基于直流检测筛选4管非平衡式太赫兹二倍频器的方法，涉及倍频器技术领域。所述方法将万用表的测试档位调至二极管测试挡，万用表的红色探针连接SMA头的芯子，万用表的黑色探针连接倍频器的腔体外壳，万用表显示两个二极管串的开启电压，根据测试的二极管串的开启电压的数值大小来判定4管芯太赫兹非平衡式二倍频器的性能是否合格。所述方法工艺简单，能够快速的筛选出不合格的太赫兹二倍频器。
-
公开(公告)号：CN109959853A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910286524.4
申请日：2019-04-10
申请人： 嘉兴腓特烈太赫科技有限公司
发明人： 胡海涛
摘要： 本发明公开了一种基于直流检测筛选4管平衡式太赫兹三倍频器的方法，涉及倍频器技术领域。所述方法包括如下步骤：将万用表的测试档位调至二极管测试挡，首先将万用表的红色探针与SMA头的芯子连接，将万用表的黑色探针与倍频器的腔体外壳连接，此时，万用表显示其中的一个二极管串的开启电压；然后将万用表的黑色探针与SMA头的芯子连接，将万用表的黑红色探针与倍频器的腔体外壳连接，此时，万用表显示另一个二极管串的开启电压；根据测试的两个开启电压的数值大小来判定4管芯太赫兹平衡式三倍频器的性能是否合格。所述方法工艺简单，能够快速的筛选出不合格的太赫兹三倍频器。
-
公开(公告)号：CN109541377A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910014615.2
申请日：2019-01-08
申请人： 华北电力大学
摘要： 一种诊断HBSM内部IGBT开路故障的新方法，该方法需要获得MMC中半桥子模块HBSM的工作状态Sn、测量得到各子模块电容电压ucn，并对ucn进行微分得到各子模块电容电流icn，再对icn进行积分得到任一工作状态下子模块输出电压uSMn，之后利用Sn、ucn和uSMn计算参数λn的值，若λn＝0或3，说明第n个HBSM处于正常工作状态；若λn＝2，说明第n个HBSM中T1n发生开路；若λn＝1，说明第n个HBSM中T2n发生开路。本发明需要的MMC中的参数只有各个HBSM的工作状态Sn及电容电压ucn，采用的计算公式形式简单，计算结果清晰明了，λn仅有0、1、2和3这四种数值。因此，该种方法可以在使用尽量少的参数的前提下，实现快速、有效地定位发生故障的HBSM及IGBT，该方法可为MMC本体内部故障诊断及保护配置提供参考。
-
公开(公告)号：CN106990344B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710345487.0
申请日：2017-05-17
申请人： 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司
发明人： 米夏埃尔·沃尔特贝格
摘要： 本发明涉及监测装置和监测方法。本发明公开了一种用于半导体开关元件(2、32)的监测装置(1、31)，所述开关元件具有控制输入(3、33)、功率输入(4、34)和功率输出(5、35)，所述监测装置包括实施为通过电荷载体(7)对所述开关元件(2、32)的控制输入(3、33)进行充电的电荷载体源(6、36)，并且包括设计成检测来自所述开关元件(2、32)的控制输入(3、33)的电荷载体泄漏(9)并且当所述电荷载体泄漏(9)位于指定的阈值(10)以上时则发出警告信号(12)的测量装置(8)。本发明还公开了一种相应的监测方法。
-
公开(公告)号：CN104076274B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201310757204.5
申请日：2013-12-30
申请人： 奥特拉有限公司
IPC分类号： G01R31/3187 , G01R31/3185 , G01R31/27
摘要： 本发明涉及用于3D装配缺陷检测的3D内置自测系统。提供了用于改进3D装配缺陷检测的内置自测(BIST)机制的技术和机构。根据本公开的实施方式，所描述的机构和技术可以起到检测垂直连接3D器件中不同层的互连中的缺陷的作用，也起到检测3D集成电路的2D层中的缺陷的作用。另外，根据本公开的实施方式，提供技术和机构用于不仅确定集成电路中给定接口组中是否存在缺陷，而且确定缺陷可能存在缺陷的具体接口。
-
公开(公告)号：CN105116314B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510377161.7
申请日：2015-06-30
申请人： 中国西电电气股份有限公司
IPC分类号： G01R31/27
摘要： 本发明公开一种晶闸管保护性触发检测方法，通过判断控制脉冲CP前最后一个正向电压指示脉冲IP与CP之间的时间间隔，如果大于一定时间，在触发脉冲FP下降沿产生一个晶闸管保护性触发检测窗口，在这个窗口内如果收到晶闸管回报信号，就判定为晶闸管保护性触发，否则，则不产生晶闸管保护性触发检测窗口，收到的晶闸管回报信号被判定为正向电压指示脉冲，有效解决了实际工程中经常发生的，在触发角度过小、IP离散过大的情况下晶闸管保护性触发保护误动的问题，经过实际工程的检验和对比，证明非常有效。
-
公开(公告)号：CN108120915A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711352725.7
申请日：2017-12-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
485 条记录 (耗时 0.018 秒)
