公开(公告)号：CN1868047A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030459.0

申请日：2004-08-04

申请人： 微米技术有限公司

发明人： T·R·阿波特

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66583

摘要： 本发明描述了一种形成具有集成的金属硅化物晶体管栅极的晶体管的方法以及一种半导体装置。所述晶体管栅极是通过使所述金属与外延硅反应同时留在沟槽中以形成金属硅化物而部分地制造的。在所述沟槽内和所述金属硅化物上形成晶体管栅极隔离盖层。可以加上一个可选的沟槽间隔物，以减小给定制造工艺的临界尺寸的限制，并且因而形成具有比所述临界尺寸更小的特征尺寸的晶体管。

公开(公告)号：CN1849708A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480025685.X

申请日：2004-06-28

申请人： 微米技术有限公司

发明人： C·穆利

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11

摘要： 一种成像器，包含具有关联应变硅层的像素单元。该应变硅层提高了电荷转移效率，降低图像滞后，并改善了成像装置中的蓝光响应。

公开(公告)号：CN1849704A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480025263.2

申请日：2004-06-30

申请人： 微米技术有限公司

发明人： R·A·韦默 ,  L·D·布雷纳

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  C23C16/34

CPC分类号： H01L21/0214 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L29/513 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825

摘要： 本发明包括自至少一种氘化氮化合物与一种或多种不含有氢同位素的含硅化合物组合形成含氘化氮化硅的材料的方法。适合的氘化氮化合物包括如NH2D、NHD2和ND3。适合的含硅化合物包括如SiCl4和Si2Cl6。本发明的含氘化氮化硅的材料可结合到如晶体管装置中。该晶体管装置可用在DRAM单元中，其又可用在电子系统中。

公开(公告)号：CN1843026A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024614.8

申请日：2004-06-30

申请人： 微米技术有限公司

发明人： H·E·罗德斯

IPC分类号： H04N3/15

CPC分类号： H01L27/14627 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/37457

摘要： 本发明实施例提供了允许自动照明控制和相关二重抽样操作的像素单元。像素单元包括可被独立读出的第一和第二光电转换器件。例如，第二光电转换器件可以是像素单元的浮动扩散区，带有适用于光电转换的区域和掺杂分布图。图像传感器可包括像素单元阵列，其中的一些或所有的像素单元带有两个光电转换器件；并且可包括用于从像素单元读出信号的外围电路。图像传感器的读出电路可监控由第二光电转换器件生成的电荷，以此确定什么时候读出来自第一光电转换器件的信号。

公开(公告)号：CN1833434A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022502.9

申请日：2004-05-28

申请人： 微米技术有限公司

发明人： J·D·布鲁斯 ,  R·帕尼卡茨

IPC分类号： H04N5/335 ,  H04N3/15 ,  H04N5/217

CPC分类号： H04N5/367 ,  H04N5/335 ,  H04N5/3696

摘要： 一种在芯片上形成的CMOS图像像素阵列用于在像素阵列中存储已编程信息。在制造和测试期间，通过对像素加激光使光电二极管损坏来将制造批次和其它数据写入阵列。使用现有电路从像素阵列中读取已编程的数据。

公开(公告)号：CN1823418A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020262.9

申请日：2004-05-13

申请人： 微米技术有限公司

发明人： H·内亚德 ,  M·西耶迪

IPC分类号： H01L27/22 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C2213/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T－1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T－1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。

公开(公告)号：CN1816915A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019193.X

申请日：2004-05-05

申请人： 微米技术有限公司

发明人： D·维尔斯 ,  U·C·贝蒂格尔

IPC分类号： H01L31/0232 ,  G02B3/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： G02B3/0018 ,  G02B3/0037 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/14627

摘要： 具有多个透镜的成像器或显示系统，在成像器或显示阵列中的一个或多个像素上形成所述透镜，将所述透镜制成图案和成形。所述多个透镜增强了被折射到光敏区上或从显示像素上散射的光的强度。

公开(公告)号：CN1802750A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015732.2

申请日：2004-04-08

申请人： 微米技术有限公司

发明人： H·E·罗德斯

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14623

摘要： 一种经改进的成像装置像素的结构，在像素电路至少但在像素导电互连层之下设有遮光层。遮光层可为不透光(或几乎不透光)材料的薄膜，并有孔供接触体连接到下面的电路。遮光层中的开口露出像素的光电转换器的活性区。

公开(公告)号：CN1795561A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014780.X

申请日：2004-03-26

申请人： 微米技术有限公司

发明人： I·帕特里克

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种钉扎光电二极管，其具有增加的电子容量，以及一种用于形成该钉扎光电二极管的方法。本发明提供了一种钉扎光电二极管结构，其包括衬底基底，在其上方是第一半导体材料层。提供了第一导电类型的基层，其中第一导电类型的基层是衬底基底或是衬底基底上的掺杂层。至少一个第二导电类型的掺杂区域位于所述第一层的表面下方，并且延伸以与基层形成第一结。第一导电类型的掺杂表面层位于至少一个第二导电类型的区域上，并且与所述至少一个第二导电类型的区域形成第二结。

公开(公告)号：CN1788321A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200480013088.5

申请日：2004-03-16

申请人： 微米技术有限公司

发明人： B·约翰逊 ,  B·基思 ,  F·林

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C7/222 ,  G11C7/1072 ,  G11C11/4076

摘要： 为了实现并规定读取等待时间，开发了一种用于管理源自外部时钟信号的内部时钟信号的可变定时的方法与装置，以补偿相对于数据流的读时钟倒计时量的不确定性和变化。在DRAM初始化阶段产生一个复位信号并启动为外部时钟周期计数的第一计数器，该复位信号还通过延迟锁定环的从延时线来启动一个第二计数器。这些计数器一旦启动便连续运行，而其计数值之间的差异便代表了作为外部时钟信号的内部延时。一个内部读取等待时间值被用来补偿两个计数器中的任一计数器的计数值，来应对DRAM电路的内部读取等待时间。一旦未补偿的计数器之值与经补偿的计数器之值相等，读入的数据便以规定的读取等待时间放到输出线上，与外部读时钟同步。