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公开(公告)号：CN110707160A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910962753.3
申请日：2019-10-11
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
发明人： 周子游
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/02 , C23C16/32 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B29/06 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种管式直接PECVD制备太阳电池SiC减反射膜的方法，包括以下步骤：对硅片进行制绒，所得硅片于管式PECVD设备炉管中沉积SiC减反射膜；冷却，取出硅片，完成对SiC减反射膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺步骤和工艺参数，在无需改变设备的条件下，可以兼容现有的产线设备实现SiC减反射膜的沉积，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，具有量产门槛低的优点，同时还具有工设备投资成本低、制备成本低等优点，且由此制得的SiC减反射膜表现出较好的性能，如较低的吸光率、较高的电导率，从而有利于制备得到高光电转换效率的太阳电池，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN110438565A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910735850.9
申请日：2019-08-09
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将液态金属镓注入到硅料的孔洞中，使液态金属镓固化和/或密封孔洞，所得装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中，经过熔化、再结晶和退火冷却，得到掺镓硅锭。掺镓硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述掺镓硅锭制得。本发明制备方法能够实现掺镓过程以及掺镓含量的有效、精确控制，具有操作方便、易于控制、掺镓量精确度高等优点，由此制得的掺镓硅锭具有纵向电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，且进一步制成的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN109950186A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711388001.8
申请日：2017-12-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种石墨框装片装置，包括石墨框定位组件、上料同步带、下料同步带、用于校正硅片与上料同步带的相对位置的校正组件、用于定位上料同步带上成列硅片的定位组件、平移组件以及升降组件，所述上料同步带和所述下料同步带平行布置于所述石墨框定位组件两侧，所述校正组件和所述定位组件沿所述上料同步带的传送方向布置，所述平移组件横跨于所述石墨框定位组件、上料同步带以及下料同步带上方，所述升降组件安装于所述平移组件上，升降组件上沿所述上料同步带的传送方向均匀安装有多个用于装片的吸盘。本发明具有硅片定位准确、装片动作简单、装片效率高等优点。
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公开(公告)号：CN109097829A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810876130.X
申请日：2018-08-03
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铸造单晶硅用隔热底板、铸造单晶硅生长设备和铸造单晶硅的制备方法，该隔热底板包括隔热板基板和设于隔热板基板上的活动式隔热板。铸造单晶硅生长设备包括上述隔热底板。铸造单晶硅的制备方法利用铸造单晶硅生长设备制备铸造单晶硅。本发明铸造单晶硅用隔热底板具有操作简单、可控性强等优点，能够实现对温度的有效控制。本发明铸造单晶硅生长设备具有操作简单、热场均匀性可控、长晶质量可控等优点。本发明制备方法具有工艺简单、易操作、成本低廉、单晶硅籽晶用量小、单晶率高、位错率低等优点，适合于大规模制备，利用工业化生产，有着很好的应用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN108456874A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201711382216.9
申请日：2017-12-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/513 , C23C16/517
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD设备石墨舟电极引入装置，包括安装于石墨舟上的石墨舟脚和用于支撑石墨舟的支撑组件，所述支撑组件上设置有与石墨舟脚相对应的石墨舟座，所述石墨舟座通过一连接组件与石墨舟电极杆电连接。本发明的管式PECVD设备石墨舟电极引入装置具有对电极效率高以及可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN105299291B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510714972.1
申请日：2015-10-29
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于PECVD设备真空管道中蝶阀的调整锁紧装置，包括调整组件、支撑组件和锁紧组件，支撑组件固装于管道的端部法兰上，锁紧组件装设于支撑组件上，调整组件与蝶阀的转动轴连接并伸至锁紧组件处，调整调整组件并带动转动轴转动后锁紧组件锁紧调整组件。该装置具有结构简单、成本低廉、可大大提高整体工艺效果的优点。
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公开(公告)号：CN108118310A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711385245.0
申请日：2017-12-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
发明人： 王锦
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/513
摘要： 本发明公开了一种五管PECVD设备的真空排气系统，包括真空管道组件和排气组件，真空管道组件包括五根真空管道，真空管道一端与五管PECVD设备的反应室的反应室连接管道相连，另一端与外部真空泵相连，排气组件包括五根排气管道，每根排气管道通过连接接头与反应室连接管道，排气管道上设有串联的单向阀和控制阀，单向阀用于使气体从反应室连接管道通入排气管道，控制阀用于控制排气管道的通断。本发明中当通入氮气过多导致反应室压力超过常压时，氮气通过排气管道输出，与外部的排气系统汇合后排出，当泵发生故障时，反应室内和真空管道内的气体也可以通过排气组件排出，单向阀可避免了外界空气流向反应室。
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公开(公告)号：CN108054221A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711362873.7
申请日：2017-12-18
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双面PERC电池的背面栅线结构、双面PERC电池及其制备方法，该背面栅线结构包括若干条铝栅线和若干条背电极主栅，铝栅线与背电极主栅垂直连接，铝栅线的下方设有若干段相互间隔的激光线；铝栅线由若干段宽铝栅线和若干段窄铝栅线交替连接而成，宽铝栅线的数量与激光线的数量相同，宽铝栅线用于覆盖激光线实现铝与硅的局部欧姆接触并导出硅片内部的电子，窄铝栅线用于收集硅片内部导出的电子并传输到背电极主栅上。本发明的背面栅线结构具有结构简单、设计成本低等优点。包含该背面栅线结构的电池具有背面光电转化效率高、输出功率高、翘曲度小、隐裂风险小等优点，其制备方法具有简单、成本低、可适用于大规模量产等优点。
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公开(公告)号：CN107316831A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710338389.4
申请日：2017-05-15
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种石英舟及太阳能电池扩散工艺，该石英舟包括至少三根槽棒，每一根槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽，槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。太阳能电池扩散工艺包括进舟工序、恒温工序和扩散工艺。本发明的石英舟可提高硅片在扩散管内不同区域接触扩散源几率的一致性，且本发明太阳能电池扩散工艺，不仅可以降低扩散氮源的用量，还能提高片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性进而提高量产电池转换效率的一致性。相比常规扩散工艺，采用本发明石英舟和扩散工艺进行扩散后制成的电池片的平均效率提高了0.05％，同时电池转换效率＜18.0％的低效电池片比例降低了1.5％。
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公开(公告)号：CN105194949B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510625656.7
申请日：2015-09-28
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于减压扩散炉的尾气真空除酸过滤器，包括密封的过滤筒体以及分设于过滤筒体两端的进气管和出气管，进气管的出气端与过滤筒体连通，出气管的进气端与过滤筒体连通，过滤筒体内填充有用于除酸的吸附剂，进气管的出气端设有多个同于进气管出气的通气小孔，出气管的进气端设有多个用于出气管进气的通气小孔，吸附剂的粒径大于通气小孔的孔径。本发明具有密封性好、防腐蚀性好、可有效除去减压扩散炉的尾气中的偏磷酸的优点。
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