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公开(公告)号：CN101405869A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009277.9
申请日：2007-02-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28202 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。
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公开(公告)号：CN101305468A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041556.9
申请日：2006-11-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/04 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种包括有源层和栅绝缘膜的场效应晶体管，其中，有源层包含含有非晶区域和晶体区域的非晶氧化物层，并且，晶体区域在非晶氧化物层和栅绝缘膜之间的界面附近或与所述界面接触。
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公开(公告)号：CN100362667C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200410005828.2
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
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公开(公告)号：CN1269225C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03158850.6
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1532942A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410005828.2
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
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公开(公告)号：CN1163972C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN99105945.X
申请日：1999-03-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L31/0368 , H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 在包含微晶态半导体的半导体元件中，在微晶态晶粒内提供半导体结。而且在包含微晶态半导体的半导体元件中，提供不同直径的微晶态晶粒作为混合物，以便形成半导体层。因此，半导体结的不连续性得以改善，从而改善半导体元件的特性，耐用性，耐热性。半导体层中的变形也降低。
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公开(公告)号：CN1384552A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02121842.0
申请日：2002-03-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78678 , H01L29/78696 , H01L31/03685 , H01L31/075 , H01L31/182 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10T428/261
Abstract: 本发明提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其特征是,至少一层硅基膜含微晶,微晶位于含无取向性的微晶的硅基膜的至少一个界面区中。还提供一种包括硅基膜构成的半导体结的半导体器件,其中至少一层硅基膜含微晶,膜中的微晶取向特征按其膜厚方向变化。为了提供价格便宜的有优良性能的硅基膜,本发明提供一种具有优良特性,生产周期缩短和提高了膜形成速度的硅基膜。和包括该硅基膜,有优良附着力和优良的耐环境性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1241819A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN99111477.9
申请日：1999-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光电元件,包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层,它们以面对面的方式结合在一起,其中,透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化,并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率,即使长时间暴露于强烈的光照之下,其光电转换效率的下降也极小。
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公开(公告)号：CN1112294A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94120764.1
申请日：1994-12-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。
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