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公开(公告)号：CN114411245B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111648313.4
申请日：2021-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括：加热单元、保温单元和晶体生长单元，所述晶体生长单元设置于所述加热单元内部，所述晶体生长单元包括：坩埚，用于盛放碳化硅粉料并提供碳化硅单晶的生长场所；提拉杆，固定于所述坩埚顶部，所述提拉杆用于将所述坩埚拉出或放入所述加热单元。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，在晶体生长单元的坩埚顶部设置提拉杆，通过控制提拉杆拉出和下沉坩埚，能够在碳化硅晶体生长温度下，对保温单元进行抽真空处理，彻底让石墨保温毡中吸附的氮气分子脱附，显著降低石墨毡保温层中的氮含量，且不会造成籽晶的损伤，从而获得高纯度高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN113604883A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110909300.1
申请日：2021-08-09
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶片为衬底进行Si面外延，高温时，原子面都向铺平方向形变，且Si面变形量大于C面变形量，外延结束降温之后，衬底原子面倾向于恢复初始的形状，于是Si面原子面与外延层具有相反的拉伸方向，在一定程度上缓解了外延片向上凸的程度，大大降低了由于外延后面型不合格的比例。本发明还提供了一种碳化硅单晶片的制备方法。
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公开(公告)号：CN113186601A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN112420490A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011301531.6
申请日：2020-11-19
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：将抛光后SiC Wafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；所述进一步清洗的方式选自超声震荡清洗、弱酸清洗、改进RCA湿法清洗和螯合剂的络合清洗中的一种或多种。该清洗工艺简单，操作无安全隐患；清洗后的Wafer表面洁净程度高，表面粗糙度较小，进一步提高衬底的品质，减少外延片上微颗粒的聚集。使用表面缺陷检测仪测定，≥5μm的颗粒较传统工艺平均降至30个以内/片，≥0.13μm颗粒一次去除率达90％以上；通过TXRF测定，离子残留量低至0.1×1010atoms/cm2。
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公开(公告)号：CN118231226A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410554358.2
申请日：2024-05-07
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅衬底的槽式清洗方法，包括如下步骤：A）依次将碳化硅衬底采用SPM‑O3清洗、HF清洗、SC1清洗、SC2清洗；所述SPM‑O3包括硫酸、双氧水和臭氧；B）将上述清洗完毕的碳化硅衬底进行干燥，即得。本发明通过对清洗和干燥的药水、兆声多频改进，实现对碳化硅双抛片的高效清洗，操作安全，颗粒和表面金属离子去除率较高，表面结晶质量稳定。清洗后表面颗粒尺寸≥0.13um的衬底，平均颗粒水平＜500个，表金属离子使用ICP‑MS 8900测试，含量＜2.9E10 atoms/cm2。
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公开(公告)号：CN116497341A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310540606.3
申请日：2023-05-12
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的预热装置用于安装晶圆并对工艺气流进行预热，该预热装置包括多个预热部，任意相邻两个预热部连接，以形成用于安装晶圆的环形预热安装台阶，且晶圆的一端与预热安装台阶的台阶面贴合。本发明提供的预热装置为分体式结构，避免了卡片现象的发生，同时方便了定时对预热装置表面杂质层的去除，解决了现有技术中预热装置随工艺次数的增加难以控制热场均匀性和工艺气流稳定性的问题，可以有效改善外延片的厚度均匀性和浓度均匀性，且具有结构简单、方便耐用、易清理打磨、节约成本等优点，增加了工艺稳定性。本发明还公开了一种外延生长设备和一种外延方法。
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公开(公告)号：CN113604883B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110909300.1
申请日：2021-08-09
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶片为衬底进行Si面外延，高温时，原子面都向铺平方向形变，且Si面变形量大于C面变形量，外延结束降温之后，衬底原子面倾向于恢复初始的形状，于是Si面原子面与外延层具有相反的拉伸方向，在一定程度上缓解了外延片向上凸的程度，大大降低了由于外延后面型不合格的比例。本发明还提供了一种碳化硅单晶片的制备方法。
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公开(公告)号：CN115976642A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211728462.6
申请日：2022-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅单晶衬底，所述高质量碳化硅单晶衬底在显微镜暗场模式下观察，且所述观察是在10倍物镜及以上放大倍数状态，亮点的密度小于10cm‑2。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶制备的衬底的内部缺陷密度很低，在该种碳化硅单晶衬底上制备器件时，一方面器件的良率很高，另一方面制备获得的器件的性能指标优异。
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公开(公告)号：CN113371712B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110849202.3
申请日：2021-07-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
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公开(公告)号：CN112692722A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011554118.0
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/07 , B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法，所述打磨设备包括：第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本发明提供的技术方案，通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理，使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时，在碳化硅晶片表面达到均匀研磨，减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽，提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。
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