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公开(公告)号：CN120076526A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510549479.2
申请日：2025-04-28
Abstract: 本申请提供一种显示面板及其制备方法，提供第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片；将第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片进行键合处理，得到第一键合结构；在第一键合结构中，第一布线层和驱动布线层相接触，且二者为倒装连接；将第一键合结构与第二发光阵列芯片进行键合处理，得到第二键合结构；在第二键合结构中第二发光阵列芯片的一侧形成红色像素单元阵列，得到显示面板。通过将驱动阵列芯片设置在第一发光阵列芯片和第二发光阵列芯片之间，并且通过层间连接技术实现驱动单元对发光单元的驱动，能够降低电连接的工艺难度，不再采用巨量转移技术，能够降低制造成本，提高显示面板良率，且实现了全彩显示，显示面板的显示效果更佳。
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公开(公告)号：CN119325318B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN119433484A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411514815.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/01 , G02B5/08 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种DBR反射镜的制备方法。该方法能够高效转移在金属薄膜上生长的DBR，并制备成低阈值激光器。具体而言，DBR在高温环中生长时，由于金属薄膜的热应力导致自剥离，利用胶带固定剥离的DBR，可以实现二次转移。本发明克服了传统转移技术的局限，利用生长DBR时的高温环境实现自剥离，使得工艺更加简单高效。本发明利用转移好的DBR制备的激光器可以获得更高的性能。
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公开(公告)号：CN119181750A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411679890.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。
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公开(公告)号：CN114914316B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116978850A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310959615.6
申请日：2023-07-31
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种磁组装微器件转移组装结构及转移组装方法。磁组装微器件转移组装结构包括：具有微纳尺度的临时转移微器件，包括微器件和磁性连接层，磁性连接层可分离地固定在微器件上；磁平台，包括沿第一方向依次设置的磁性发生层和图案化软磁材料层，磁性发生层至少用于提供可调节的磁场，磁性发生层与位于磁场内的磁性连接层能够磁性吸引，图案化软磁材料层至少用于引导磁场中的磁力线，而使具有微纳尺度的临时转移微器件能够被磁性吸引固定在磁平台上，或者，使具有微纳尺度的临时转移微器件能够从磁平台上脱离。本发明通过磁吸方式选择性吸附或退吸带微器件能够完成RGB三色模块的选择性转移以及后续良率检测和修复工作。
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公开(公告)号：CN116914057A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310948096.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/00 , H01L21/683 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光电器件的中间结构及制备方法，所述方法包括制备衬底；在所述衬底的一侧沉积介质牺牲层；在所述介质牺牲层的一侧制作光电器件结构；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述介质牺牲层；对光电器件进行剥离和转移。本发明至少有利于无损伤剥离柔性GaN基Micro‑LED或HEMT的光电器件结构。
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公开(公告)号：CN114927578A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210525889.X
申请日：2022-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/88 , H01L29/267 , H01L29/24 , H01L29/207 , H01L29/20 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种p‑NiO或p‑LiNiO/n‑GaN异质结共振隧穿二极管，其结构包括：一衬底层；一生长于衬底层上的GaN层；一生长于GaN层上的n‑GaN层；一生长于n‑GaN层上的n+GaN层；一生长于n+GaN层上的n++GaN层；一生长于n++GaN层上的p++NiO层或者p++LiNiO层；一生长于p++NiO层上的p+NiO层；或者生长于p++Li NiO层上的p+LiNiO层；P型电极，设置在p+LiNiO层上；N型电极，设置在GaN层上。本发明器件结构中n++GaN与P++NiO的重掺杂使得pn异质结界面处的能带产生弯曲，使得零偏下p‑NiO的价带高于n‑GaN的导带，从而通过调节偏压实现载流子的共振隧穿。
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公开(公告)号：CN114914316A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
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公开(公告)号：CN113451881B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110725102.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器，该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激，同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的受激辐射，成功获得了增强型表面等离激元纳米激光器，核心在于通过采用栅状电极对纳米光腔中的载流子实施电磁场刺激，从而增强纳米光腔中的光产生高效率的激发，降低了表面等离激元激光器的阈值，实现了室温下0.8W/cm2低阈值激射，提高激光器的品质因子Q值。本发明特色在于栅状电极与纳米光腔无接触，在实施电磁场加载的同时有效避免了漏电问题，在一个维度上可突破光学衍射极限的限制。
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