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公开(公告)号：CN106645323A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN104883800B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510330960.9
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种GHz高速LED光通信驱动器，供电模块用于适合输出所需的恒压供电并对输出电流进行限制；LED工作模块由谐振腔、LED和K101构成；控制模块包括PWM发生装置、正电Buffer、负电Buffer，用于对开关K101进行开关控制；恒流模块由电阻、电容和运放构成；LED的阴极与开关K101、电阻依次串联后接地；谐振腔与LED并联；限流恒压单元一端与LED阳极连接，另一端接地；PWM发生装置的输出同时与正电Buffer的输入端和负电Buffer输入端连接；正、负电Buffer输出端输出控制信号以控制开关K101。本发明能够实现K101的高速开、关，从而实现对LED的超高速光调制。
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公开(公告)号：CN105590971B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610156889.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105590971A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610156889.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1075 , H01L31/02161 , H01L31/03048 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105206727A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1-xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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公开(公告)号：CN104766902A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510150620.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/028 , H01L31/1804
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管。该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层由至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层组成，并且，至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触，所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极，所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层中的碳纳米管层设于所述源极、漏极之间，且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触。本发明提供的红外光探测晶体管对红外光敏感，可应用于有线或无线通讯、感测和监控等领域。
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公开(公告)号：CN104582134A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410677176.0
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种车载控制器高精密流控电路，包括开关k101、直流电源、高频干扰源、二极管D5、滤波器、电阻R1、开关K102、电阻R2和电流检测单元；电阻R2上的电流为IS ， AB支路上的电流为ID ，支路BD上的电流为Io；电流检测单元用于检测总线电流 IS ，电流检测单元根据电流IS 的大小，通过开关K102补偿电流ID ，使总线电流IS 维持为IS= ID+ Io。本发明采用了非常巧妙而简洁的电路，避开了各种判断、开关、恒流电路的延时环节，大大提高了电路的响应速度，使能很好的抗击高频干扰，防止输入电流下跌至安全值以下；通过对关键器件的性能优化、集成及补偿，实现了高精密的流控电路。
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公开(公告)号：CN104470091A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410677579.5
申请日：2014-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种低功率电流自锁LED控制器，包括整流桥、电阻、电容C1、二极管、三极管、恒流控制单元、电压采样单元、电压偏置单元、开关和LED灯串；电压采样单元的输入端与整流桥的输出端连接，电压采样单元采样输入电压，开关K 101根据电压采样单元的输出进行导通和断开的动作；开关K102根据电阻R4上的电压值和电压采样单元的输出进行导通和断开的动作。本发明具有自动自锁功能；LED灯珠能够始终工作，利用率高；电容储能供电，无纹波、无闪烁；电容承载额外的电压，进一步降低功耗；电流+电压法的逻辑判断法，使自适应输入电压变化，效率高，适应输入电压一定范围的变化；可集成化大大降低尺寸和成本。
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公开(公告)号：CN102544136B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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公开(公告)号：CN101752430B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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