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公开(公告)号：CN101560692A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910027926.9
申请日：2009-05-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/08 , C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/38 , C23C16/18 , C23C16/44 , C23C16/02 , C23C8/24 , C23C28/04
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0218 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/403
Abstract: 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1－xN材料中In组分x大于0.3。本发明利用MOCVD生长系统，采用LiAlO2(100)材料作为衬底、对LiAlO2(100)衬底进行处理以及利用低温缓冲层，合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，通过选择合适的衬底，在MOCVD系统下，选择适当的生长的技术条件，并利用缓冲层的设计，生产得到非极性面InN材料。
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公开(公告)号：CN101525742A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910030914.1
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 化学气相淀积材料生长设备的装样、取样和样品转移的方法，在化学气相淀积材料生长设备的反应腔体与外界大气之间设置一个只含单纯氮气或其它保护性气体的转移腔及进、取样和转移样品的相应的机械装置，衬底材料不论进、出反应腔体或在不同反应腔之间的转移时，都要先通过这个转移腔；只含单纯氮气或其它保护性气体的转移腔，转移腔结构是与外界相对封闭，只在转移腔腔口与工作台面的底面之间、底部供支撑杠升降的通孔与支撑杠之间留有间隙，既保证在操作过程中转移腔中的气压大于外界大气压、也保留氮气或其它保护性气体的外泄途径；升降丝杆和平移导轨装置位于转移腔的下方，升降丝杠所驱动的升降平台上安装支撑杠、接口法兰及样品架。
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公开(公告)号：CN1885494A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610088287.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L33/00 , C30B29/40 , C30B25/02
Abstract: 高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1－80μm的高结晶的InxGa1－x(0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InxGa1－xN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050℃生长高质量InxGa1－xN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料In0..3Ga0.7N薄膜，电极采用MSM结构。
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公开(公告)号：CN1834286A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610039236.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2－6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm－10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。
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公开(公告)号：CN114914316B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115231616A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210847399.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。
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公开(公告)号：CN114914316A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210559835.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器，其特征在于自下而上依次包括：衬底层、底部GaN缓冲层、InGaN渐变层、InN层、GaN顶层，源极和漏级，所述GaN顶层在源极和漏级之间设有散布或矩阵分布金纳米颗粒的区域，形成表面等离激元结构。本发明通过窄禁带半导体异质结实现红外响应，采用表面等离激元增强型晶体场效应管结构以通过光增强提高灵敏度，实现了近红外探测。
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公开(公告)号：CN114220872A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111609065.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种纵向结构功率肖特基二极管器件，其结构自下而上依次包括：具有变面电场反转层的器件外延结构，所述变面电场反转层由反向pn结组成，形成从表面指向衬底的内建电场，该电场与器件反向耐压时电极电场方向相反；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在漂移层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明采用深度渐变阳极金属结构，充分利用了变面反转电场特性和维持势垒阻挡层，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
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公开(公告)号：CN110112061A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910428331.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层AlxGa(1-x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlxGa(1-x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1-x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化AlxGa(1-x)N/AlN/GaN异质结中二维电子气低温输运的特性问题。
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公开(公告)号：CN106206872A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610635841.9
申请日：2016-08-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0054 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开了一种Si-CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件，其结构自下至上依次包括：蓝宝石衬底、n型GaN层、InxGa1-xN/GaN量子阱有源层、p型GaN层；所述微米柱LED器件刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的微米柱阵列，还包括一p型阵列电极，蒸镀在微米柱阵列的p型GaN层上，一n型电极，蒸镀在n型GaN层上；Si-CMOS阵列驱动电路的阵列电路一一对应的键合到p型阵列电极上，Si-CMOS阵列驱动电路的电极键合到n型电极上。并公开了其制备方法。本发明通过将Si-CMOS阵列驱动电路与微米柱阵列LED器件进行对应连接，可以实现CMOS阵列驱动电路对每个像素点的单独控制，能应用于超高分辨照明与显示，可见光通讯，生物传感等众多领域。
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