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公开(公告)号:CN220021092U
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202321148748.7
申请日:2023-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/49 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型提供一种包括冷却系统的半导体封装,半导体封装可包括中介层、接合到中介层的一个或多个封装组件、中介层上的包封体、以及一个或多个封装组件上方的冷却系统。冷却系统可以包括在一个或多个封装组件的顶表面上的一个或多个金属层、一个或多个金属层上的第一金属引脚、第二金属引脚,其中每个第二金属引脚可以通过焊料接合到对应的一个第一金属引脚,以及在第二金属引脚上方的第一盖体,其中第一盖体可以包括开口。
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公开(公告)号:CN221596429U
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202322919558.7
申请日:2023-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型实施例提供一种封装物。封装物包括集成电路装置、封装剂及散热结构。集成电路装置附接于基板。封装剂设置于基板之上并横向围绕集成电路装置,其中封装剂的顶表面与集成电路装置的顶表面共平面。散热结构设置于集成电路装置及封装剂之上,其中散热结构包括传导层、多个柱状物及多个纳米结构。传导层设置于封装剂及集成电路装置之上。传导层包括多个岛状物,其中多个岛状物中的至少一部分在俯视视角中排列成沿着第一方向延伸的多个排线。多个柱状物设置于传导层的多个岛状物之上。多个纳米结构设置于多个柱状物之上。
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公开(公告)号:CN220873581U
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202322245995.5
申请日:2023-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体装置,包括多个导电连接器、多个导电柱、一第一半导体装置、一第二半导体装置以及一第三半导体装置。多个导电连接器嵌入于一中介层上的一介电层中,多个导电柱直接与多个导电连接器的一第一子集物理接触,一第一半导体装置直接与多个导电连接器的一第二子集物理接触,一第二半导体装置直接与多个所述导电柱物理接触,一第三半导体装置直接与多个所述导电柱物理接触。
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