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    含钛和硅的光刻用薄膜形成用组合物
    41.
    发明公开
    含钛和硅的光刻用薄膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN103718111A

    公开(公告)日：2014-04-09

    申请号：CN201280035516.9

    申请日：2012-07-20

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 中岛诚 ,  菅野裕太 ,  武田谕 ,  境田康志 ,  志垣修平

    IPC: G03F7/11 ,  C08G79/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31138

    Abstract: 本发明提供用于形成在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂下层膜等的薄膜形成用组合物。而且，提供能够使在极紫外光刻中不受欢迎的UV光在抵达抗蚀剂层前就被抗蚀剂上层存在的薄膜高效吸收的抗蚀剂上层膜、以及极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)、图案反转材料、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜。本发明提供了一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。ROaTi(R1)(4-a) 式(1)，R2a'R3bsi(R4)4-(a'+b)式(2)。

    具有封端异氰酸酯基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物
    42.
    发明授权
    具有封端异氰酸酯基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物 有权

    公开(公告)号：CN101878451B

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：CN200880118089.4

    申请日：2008-11-27

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 中岛诚 ,  菅野裕太 ,  柴山亘

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/091

    Abstract: 本发明的课题是提供形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其用于形成抗蚀剂下层膜，该抗蚀剂下层膜可以用作硬掩模或防反射膜。作为本发明的解决问题的方法是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，包含：含异氰酸酯基或封端异氰酸酯基的水解性有机硅烷、其水解产物或其水解缩合物。上述水解性有机硅烷以式(1)表示：R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)(式中，R1表示异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、或包含它们的有机基团，且末端的N原子或C原子与Si原子结合形成Si-N键或Si-C键，R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团，且末端的C原子与Si原子结合形成Si-C键，R3表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示1或2的整数，b表示0或1的整数，a+b表示1或2的整数。)。

    含有具有带氮的甲硅烷基的聚合物的、抗蚀剂下层膜形成用组合物
    43.
    发明公开
    含有具有带氮的甲硅烷基的聚合物的、抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN101802712A

    公开(公告)日：2010-08-11

    申请号：CN200880106569.9

    申请日：2008-09-10

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 中岛诚 ,  柴山亘 ,  菅野裕太

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0752

    Abstract: 本发明的目的是提供不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚合物和溶剂，所述聚合物含有下述式(1)所示的部分结构，式中，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(4-1)所示的基团。上述聚合物除了式(1)所示的部分结构以外，还含有式(5)：(R1)a(R3)bSi(O-)4-(a+b)所示的部分结构和/或式(6)：〔(R4)cSi(O-)3-c〕2Y所示的部分结构。

    固化膜形成用组合物、取向材料和相位差材料
    46.
    发明授权
    固化膜形成用组合物、取向材料和相位差材料 有权

    公开(公告)号：CN107207641B

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：CN201680009257.0

    申请日：2016-02-10

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 菅野裕太 ,  伊藤润 ,  畑中真

    IPC: C08F2/44 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1337

    Abstract: 本发明的课题是提供一种固化膜形成用组合物，所述固化膜形成用组合物用于提供具备优异的垂直取向性和密合性、即使在树脂膜上也能够使聚合性液晶以高灵敏度垂直地取向的取向材料、以及使用这样的取向材料的相位差材料。本发明的解决方法是含有(A)具有垂直取向性基团和能够热交联的官能团的低分子化合物、和(B)交联剂的固化膜形成用组合物、以使用该组合物而获得为特征的取向材料、以使用该组合物而获得为特征的相位差材料。

    使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法
    47.
    发明授权
    使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN104081282B

    公开(公告)日：2019-07-30

    申请号：CN201380007256.9

    申请日：2013-01-23

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 武田谕 ,  中岛诚 ,  菅野裕太 ,  若山浩之

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/0274 ,  C08G77/80 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3081

    Abstract: 本发明的课题是提供在将抗蚀剂曝光后，用有机溶剂显影来形成抗蚀剂图案方面良好的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷为下述式(1)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷为45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将上述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工。Si(R1)4式(1)R2[Si(R3)3]a式(2)R4[Si(R5)3]b式(3)。

    固化膜形成用组合物、取向材料和相位差材料
    50.
    发明公开
    固化膜形成用组合物、取向材料和相位差材料 有权

    公开(公告)号：CN106459324A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201580034050.4

    申请日：2015-06-29

    Applicant: 日产化学工业株式会社

    Inventor： 伊藤润 ,  汤川升志郎 ,  菅野裕太 ,  后藤耕平 ,  畑中真

    IPC: C08F290/12 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1337

    Abstract: 本发明的课题是提供，表层具有具备优异的液晶取向性和密合性的固化膜的光学膜、取向材料、以及使用该取向材料的相位差材料。本发明的解决方法是一种固化膜形成用组合物、取向材料、和相位差材料，该固化膜形成用组合物的特征在于，含有(A)成分、(B)成分和(C)成分，(A)成分：具有光取向性基团和热交联性基团的化合物中的至少一种，(B)成分：包含具有N-烷氧基甲基的重复单元和具有包含聚合性C＝C双键的侧链的重复单元的聚合物，所述(C)成分为选自(C-1)、(C-2)以及(C-3)中的至少一种聚合物，(C-1)：具有选自羟基、羧基、酰胺基、氨基和烷氧基甲硅烷基中的至少一种取代基的聚合物，(C-2)：具有可与(A)成分进行热反应的取代基、且可进行自交联的聚合物，(C-3)：三聚氰胺甲醛树脂。

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