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公开(公告)号:CN107111972A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580058963.X
申请日:2015-10-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/22
Abstract: 提供一种方便性或可靠性高的新颖的功能面板以及其制造方法。该功能面板(200)包括:第一基材(210);包括重叠于第一基材(210)的区域的第二基材(270);将第一基材(210)和第二基材(270)接合的接合层(205);接触于第一基材(210)、第二基材(270)及接合层(205)的绝缘层(290);以及位于由第一基材(210)、第二基材(270)及接合层(205)包围的区域中的功能层。利用该结构,可以由绝缘层(290)填充在接合层接触于第一基材(210)或第二基材(270)的区域中容易形成的开口,并且能够抑制杂质扩散到功能层。
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公开(公告)号:CN106256013A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201580022803.X
申请日:2015-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在第二衬底(22)的角部(221)将楔形器具隙,且开始进行贴合了的第一衬底(21)与第二衬底(22)的剥离,然后,离角部(221)最近的第二吸附部(51)的第二吸盘(53)向上移动。接着,第一吸附部(41a)、(41b)、以及(41c)的第一吸盘(43)依次向上移动,由此,从叠层体剥离第二衬底(22)的一边。虽然在第二衬底(22)的剥离进行时,第二衬底(22)卷曲,但是,多个第一吸盘(43)中的各个弹性变形。因此,可以防止第一吸盘(43)的从第二衬底(22)解除吸附,且可以可靠地从叠层体剥离衬底(22)。(6)插入第一衬底(21)与第二衬底(22)之间的间
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公开(公告)号:CN104425320A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410436493.3
申请日:2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B26D3/282 , B26D3/08 , B26F1/3826 , C03B33/027 , C03B33/037 , C03B33/07 , G02F1/1303 , Y02P40/57 , Y10T83/0281 , Y10T156/1051 , Y10T156/1082 , Y10T156/1126 , Y10T156/1137 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T156/12 , Y10T156/1348 , Y10T156/1788 , Y10T156/1793 , Y10T156/1928 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1994
Abstract: 本发明的一个方式的目的是:提供一种剥离起点形成装置,借助于剥离起点能够剥离加工构件的表层以分离剩余部;提供一种具备被剥离了表层的加工构件的剩余部及支撑体的叠层体的制造装置。本发明的一个方式包括:支撑加工构件的载物台;与载物台相对的切削工具;支撑切削工具的头部;支撑头部的臂部;以及将切削工具相对载物台移动的移动机构。
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公开(公告)号:CN104425319A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201410436403.0
申请日:2014-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者,本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置,该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外,装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。
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公开(公告)号:CN103382545A
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201310159721.2
申请日:2013-05-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/24 , A63F13/327 , C23C14/54 , C23C14/564 , F21S6/002 , F21Y2115/20 , H01J49/004 , H01J49/42 , H01L51/001 , H01L51/56 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种可靠性高的有机EL元件。本发明的目的之一是提供一种能够制造可靠性高的有机EL元件的成膜装置。在进行排气及使用质谱仪对成膜室内的水分压进行测量的同时进行如下步骤:在减压下的成膜室内加热成膜材料而使其汽化的第一工序;以及在成膜室内形成包括在EL层中的层的第二工序,其中,在开始第二工序时,水分压小于第一工序中的水分压的平均值。或者,成膜装置所具备的成膜室包括成膜材料室并连接于排气机构。该成膜材料室利用滑板阀与成膜室区分,包括具备加热机构的成膜材料保持部,并连接于质谱仪及排气机构。由于在成膜材料室内可以预先充分地去除包含在成膜材料中的水分等杂质,所以可以抑制来源于成膜材料的水分扩散到成膜室内。
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公开(公告)号:CN101374925A
公开(公告)日:2009-02-25
申请号:CN200780003692.3
申请日:2007-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C09K11/56 , C09K11/00 , C09K11/54 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/78 , C09K11/84 , C09K11/88 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: C09K11/565 , C09K11/54 , C09K11/567 , C09K11/621 , C09K11/7701 , C09K11/883 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新颖的发光材料。另一个目的是提供具有降低的功耗的发光器件和电子设备。又一个目的是提供能以低成本制造的发光器件和电子设备。所提供的是包括基体材料、第一杂质元素、第二杂质元素和第三杂质元素的发光元件。基体材料是ZnS、CdS、CaS、Y2S3、Ga2S3、SrS、BaS、ZnO、Y2O3、AlN、GaN、InN、ZnSe、ZnTe和SrGa2S4之一;第一杂质元素是Cu、Ag、Au、Pt和Si中的任一种;第二杂质元素是F、Cl、Br、I、B、Al、Ga、In和Tl中的任一种;第三杂质元素是Li、Na、K、Rb、Cs、N、P、As、Sb和Bi中的任一种。
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