公开(公告)号：CN103706499B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201310461090.X

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 前田幸次 ,  下元博 ,  中野央二郎 ,  今井正芳 ,  盐川阳一

IPC: B05B7/00 ,  H01L21/30

Abstract: 一种基板清洗装置，具有：保持基板(W)并使其旋转的基板保持部(1)；将药液供给到基板(W)上的药液喷嘴(11)；将双流体喷流供给到基板(W)上的双流体喷嘴(12)；以及使药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)一体地从基板(W)的中心部向周缘部移动的移动机构(15,21,22)，药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)隔开规定距离而相邻，关于药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)的移动方向，药液喷嘴(11)位于双流体喷嘴(12)的前方。采用本发明，可高效地清洗晶片等基板。

公开(公告)号：CN104842259B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201510158582.0

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 曾根忠一 ,  本岛靖之 ,  丸山彻 ,  大野胜俊 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B55/02

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B55/02

Abstract: 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

公开(公告)号：CN106457507A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580020769.2

申请日：2015-04-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B49/05 ,  B24B37/013 ,  B24B37/105 ,  B24B37/32 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02 ,  B24B49/03 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/67 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。

公开(公告)号：CN106256016A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020452.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN104924198A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510125524.8

申请日：2015-03-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  八木圭太 ,  小林洋一

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B49/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 一种研磨装置和研磨方法，使半导体晶片的被研磨面与研磨垫相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨装置具有：边缘室，其通过按压半导体晶片的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫；膜厚测定部，其在半导体晶片的研磨中推断半导体晶片的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制装置，其在半导体晶片的研磨中，根据膜厚测定部的测定结果而控制边缘室对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制装置控制半导体晶片的研磨中的边缘室产生的按压，并对作为边缘室的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。